Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长

研究了Si(001)面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si(001)6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为640℃,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在Si(001)衬底成岛生长的临界厚度,6°斜切衬底上淀积0.7nm Ge即可成岛,少于Si(001)衬底片上Ge成岛所需的淀积量.从Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线,得到Ge量子点的激活能为1.9eV,远高于Si(111)面上固相外延Ge量子点的激活能0.3eV.实验亦发现,在Si(001)斜切衬底上固相外延生长的Ge量子点较Si(001)衬底上形成的量子点的热稳定性要好.     

反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗

在氧气和氩气的混合气氛中,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜,其直流介电强度为３－４ＭＶ／ｃｍ。当固定氩气流量,改变氧分压时,薄膜沉积速率先减小,再增大,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下,薄膜的介电损耗可以达到０．４％,小于已报道的关于非晶氧化铝薄膜的损耗。从１００Ｈｚ到５ＭＨｚ,所有的样品均未显示出可见的极化驰豫引起的损耗峰。     

反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗

在氧气和氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜 ,其直流介电强度为 3～ 4MV/cm。当固定氩气流量 (压力 ) ,改变氧分压时 ,薄膜沉积速率先减小 ,再增大 ,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下 ,薄膜的介电损耗可以达到 0 4% ,小于已报道的关于非晶氧化铝薄膜的损耗。从 1 0 0Hz到 5MHz,所有的样品均未显示出可见的极化弛豫引起的损耗峰     

反应溅射制备的a-A12O3薄膜中的时效过程

用反应溅射方法制备了非晶氧化铝薄膜,以Al/a-Al2O3/Al电容器为载体,研究了此种电容器的电容量,随样品放置时间的衰减过程及其影响因素,结论如下：（1）同一样品,高频下测得的电容随样品旋转时间而变小的趋势相对于低频值要缓慢。（2）其它条件相同时,低的工作气压下形成的样品,其电容量不易随时间而改变。（3）真空中的低温热处理有助于改善时效过程。（4）时效的机制可能是样品中亚稳态的缺陷逐渐消失。这些缺陷跟缺氧和吸水没有必然联系,也不太可能是Al2O3/Al的界面缺陷;它们的消失跟电老化也无必然联系。机制之一可能是氧过量引起的铝离子过配位的逐渐消失。     

外加磁场对磁控溅射过程及薄膜物性的影响

通过在放电空间中引入垂直基片方向有梯度的磁场,使得利用普通的平面磁控溅射技术可以方便地制备磁性薄膜。与此同时,磁性薄膜的许我物理性能发生了变化。这种变化还出现于非磁性靶的情况中。本工作对有、无磁场时溅射的过程与结果作了比较,包括自偏压值,薄膜结晶状况,薄膜磁性能的变化等等。通过比较认为,带电粒子在放电空间中的特殊磁场位形中的运动是变化的根本原因。     

反应溅射制备非晶Al2O3薄膜的介电特性

在氧气、氩气的混合气氛中，利用反应射频磁控溅射制备了厚度在１００到１０纳米的非晶氧化铝薄膜。通过Ａｌ－Ａｌ２Ｏ３－Ａｌ电容器研究了此非晶薄膜的介电性质。     

反应溅射制备非晶Al2O3薄膜的介电特性

在氧气、氩气的混合气氛中,利用反应射频磁控溅射制备了厚度在100到10纳米的非晶氧化铝薄膜.通过Al-Al2O3-Al电容器研究了此非晶薄膜的介电性质.     

非晶氧化铝超薄膜中的电荷输运特性

研究了反应射频磁控溅射制备的非晶氧化铝薄膜中电荷输运过程,发现交流和直流电导导电机制是明显不同的。对直流输运,以Poole-Frenkel发射发射模式为主,而新样品的直流电导则常常是带陷阱的空间电荷限制电流模式。交流电导则是由所谓的声子辅助的定域载流子的跳跃引起的。电导的温度特性表明,交流电导有两种不同的导电机制,即低温区的浅陷阱发和 高温区的因氧缺陷导致的深陷阱的发射过程,直流电导与交流电导在高温区趋于一致。     

Si(001)斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长

研究了Si(001)面偏[110]方向6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长.实验结果表明,在Si(001)6°斜切衬底上固相外延生长Ge量子点的最佳退火温度为640℃,在斜切衬底上成岛生长的临界厚度低于在Si(001)衬底成岛生长的临界厚度,6°斜切衬底上淀积0.7nm Ge即可成岛,少于Si(001)衬底片上Ge成岛所需的淀积量.从Ge量子点的密度随固相外延温度的变化曲线,得到Ge量子点的激活能为1.9eV,远高于Si(111)面上固相外延Ge量子点的激活能0.3eV.实验亦发现,在Si(001)斜切衬底上固相外延生长的Ge量子点较Si(001)衬底上形成的量子点的热稳定性要好.     

梯度磁场中薄膜厚度梯度

通过在基片的下方放置磁铁 ,在放电空间中引入了纵向的磁场梯度。在这种情况下 ,辉光外貌发生显著收缩。同时 ,沉积的薄膜在平面内存在明显的厚度梯度。利用磁场中带电粒子的运动理论解释了此种薄膜的形成机制。