电泳法制备ZnO纳米薄膜研究

报导了一种简单而有效的制备ZnO纳米薄膜的方法。以纳米ZnO和Mg(NO3).6H2O的异丙醇溶液作为电泳膜的沉积液,采用电泳法在ITO衬底玻璃上制备了高质量的ZnO纳米薄膜,并用透射电镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、Raman谱和光致发光(PL)谱等对所制得的薄膜进行了表征。XRD表明,ZnO电泳膜是多晶膜且具有纤维锌矿结构;Raman谱和PL谱表明,ZnO纳米薄膜具有较强的紫外发射,其峰值波长为384 nm,而它的可见发射几乎观察不到,表明ZnO电泳膜是高质量的。     

CdS纳米粒子的LB膜自组装研究

采用杯[8]衍生物的LB膜成功制备了尺寸可控的CdS纳米微粒.并用AFM、吸收谱、PL谱对其表面形貌和光学性能进行了研究.吸收谱表明循环1次时CdS纳米粒子的吸收边为425nm,这个值同体材料的520nm相比发生了明显的蓝移.随着循环次数的增加,CdS纳米粒子的吸收边逐渐红移,当循环3次时,其吸收边已经移到475nm,这表明纳米粒子的粒径在逐渐长大.CdS纳米粒子的PL谱表明,随着循环次数的增加,其发射峰值逐渐红移,这可能是由于量子尺寸效应造成的.     

Y2O3:Eu薄膜的制备及其发光性能研究

用电子束蒸发方法在ITO基片上生长Y2O3：Eu荧光薄膜．并在不同条件下退火处理。分别用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(KPS)、扫描电于显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱表征Y2O3：Eu荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明：随着温度升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的发光性能：600 O退火处理的光致发光中,617nm和596nm的谱线最强。     

光电平板显示器的研制

报告了我们设计、研制的一种新型光电平板显示器。它由光平面电子源、XY扫描控制板、微通道板及荧光屏组成。实际测量了显示器发光亮度随激发电流、激发电压的变化关系。结果表明这种新型的光电平板显示器是可行的。     

ZnS:Zn,Pb薄膜的制备及其发光性能研究

用电子束蒸发的方法制备了ZnS：Zn,Pb荧光薄膜,分别经400℃、600℃退火处理。采用X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、扫描电子显微镜（SEM）、光致发光（PL）谱等,表征了ZnS：Zn,Pb荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明,随着退火温度的升高,薄膜的结构程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的发光性能。因此,退火处理是提高ZnS：Zn,Pb荧光薄膜发光性能的有效方法之一。     

Y_2O_3∶Eu薄膜的制备及其发光性能研究

用电子束蒸发方法在ITO基片上生长Y2O3∶Eu荧光薄膜,并在不同条件下退火处理。分别用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(KPS)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发光(PL)谱表征Y2O3∶Eu荧光薄膜的结构、成分、形貌和发光性能。实验表明:随着温度升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,提高了薄膜的发光性能;600℃退火处理的光致发光中,617nm和596nm的谱线最强。     

反向偏压下的压控颜色可调谐聚合物电致发光

成功制备了结构为ITO/PDDOPV/PPQ/Al的异质结聚合物发光二极管，其中PDDOPV是P型聚合物材料，PPQ是n型聚合物材料。该器件在正、反向偏压下均可发光。在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV；在反向偏压下的光发射来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射。蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加。换句话说，该器件的发光颜色是压控可调的，这对实现彩色显示是极为有利的，分析了在反向偏压下的发光机理。     

n型聚合物掺杂p型聚合物单层电致发光器件

成功制备了可溶性n型聚合物PPQ掺杂的可溶性p型聚合物PDDOPV的单层发光器件。与具有相同厚度的纯PDDOPV的单层器件相比，起亮电压从4.5V降低到2.6V；在电压相同的条件下，掺杂的单层器件的电流和纯PDDOPV的单层器件在同一个数量级，但亮度和发光效率均高出1个数量级以上。在10V时，掺杂器件与未掺杂器件的电流、亮度和发光效率的比值分别是1.95,30.9和16.0。掺杂器件亮度和发光效率的大幅提高被归因于在PDDOPV中掺杂PPQ降低了少子的注入势垒，提高了少子注入水平。这一结果表明，在可溶性p型聚合物中掺杂可溶性n型聚合物是提高器件性能的有效方法。