ZnSe单晶薄膜生长控制和掺杂控制

为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。     

ZnSe:Cl, N单晶薄膜中载流子浓度的 电学法测量和光学法确认

为了证实某一研究结果的正确性,常常需要采用两种以上相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算。本文采用新颖的远红外光谱技术和常用的Ｈａｌｌ、Ｃ－Ｖ等电学测量技术同时对ＭＢＥ生长的ＺｎＳｅ：Ｃｌｍ,Ｎ薄膜中的载流子浓度进行评价研究,发现电８学法和光学法测量的结果可以很好地吻合,从而确认了ＺｎＳｅ宽禁带蓝绿色发光材料中较高的掺杂水平。