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单管开路故障是Vienna整流器的常见故障形式,为提高单管开路故障诊断的准确性和可靠性,基于输入电流和输出电压提出了一种故障诊断方法。首先,分析单管开路故障时的故障机理,选取故障时输入电流和输出电压作为故障特征量;然后,通过检测输入电流的零值稳区和分析输出电容电压差的谐波变化,设计故障诊断方法;最后,通过仿真和实验验证了所提方法的有效性。所提出的方法结合电流、电压故障特性,在快速诊断的同时大幅提高了诊断结果的准确性和可靠性,在负载突变的情况下仍能正确工作,并且不需要添加额外的硬件设备,方便嵌入已有的控制系统中,能够实现单管开路故障的快速在线诊断。 相似文献
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文中针对以虚拟机为中心的云计算分配模式中结构复杂、分配困难等问题,采用了一种基于包簇结构的分配框架。在此基础上提出了一个有效的能耗模型,并将二进制粒子群算法进行改进,通过调节自适应的权重,提高了包簇分配算法的速度和准确性。实验表明,改进的二进制粒子群算法在收敛速度和寻优能力方面更加优于传统的二进制粒子群算法。相较于以虚拟机为中心的分配算法,基于包簇框架下的改进二进制粒子群分配算法提升了CPU使用率,有效降低了能耗,更加绿色节能。 相似文献
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高隔离度S波段MEMS膜桥开关 总被引:4,自引:1,他引:3
常规的 MEMS膜桥开关在 1 0 GHz以上频段才具有低插损、高隔离度 (>2 0 d B)的优点。文中介绍了一种应用于微波低频段—— S波段的高隔离 MEMS膜桥开关 ,给出了开关的设计与优化方法 ,建立了开关的等效电路模型。通过双膜桥结构、选择高介电常数的介质膜、微电感结构膜桥这些措施 ,达到提高开关隔离度的目的。利用 HFSS软件仿真的结果表明 ,该开关在微波低频段 (3~ 6GHz)有着很好的隔离性能。开关样品在片测试的电性能指标 :插损 <0 .3 d B,隔离度 >40 d B,驱动电压 <2 0 V 相似文献
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对LPCVD生长结构层多晶硅和掺P多晶硅的原理进行了阐述,分析了薄膜质量与各项工艺参数的关系.实验时,对各项工艺参数进行调节,在保证薄膜质量和片内一致性的同时取得最大的生长速率.生长出来的多晶硅结构层厚度达到2μm;掺P多晶硅的厚度达到1OOOhA. 相似文献
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基于厚度达到毫米量级的双面金属包覆波导,采用波长为1 550 nm的近红外激光入射到该波导金属耦合层上,激发波导中的超高阶导模后,通过定点观测反射光强度的振荡变化,研究近红外激光在硅片产生的热效应.研究表明,耦合进波导的近红外激光被吸收,热效应导致硅片的折射率改变,激光热效应作用随激光功率增大而增强,并且激光热效应在50%工作点时作用最明显. 相似文献
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开关线型四位数字MEMS移相器 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了一种基于射频微机械串联开关设计的开关线型四位数字微机电系统(M icro-e lectrom echan ica lSystem s以下简称M EM S)移相器。该移相器集成了16个RF M EM S开关,使用了13组四分之一波长传输线和M IM接地耦合电容,有效地使开关的驱动信号和微波信号隔离,串联容性开关设计有效地降低了开关的启动电压。使用低温表面微机械工艺在360μm厚的高阻硅衬底上制作移相器,芯片尺寸4.8 mm×7.8 mm。移相器样品在片测试结果表明,频点10.1 GH z,22.5°相移位的相移误差为±0.4,°插损2.8 dB;45°位的相移误差为±1.1,°插损2.0 dB;在X波段,对16个相移态的测试结果表明,移相器的插入损耗小于4.0 dB,驻波比小于2.4,开关驱动电压为17~20 V。 相似文献
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计算机行业的蓬勃发展,促进了设计领域行业的进步。设计领域行业为了满足制造业对设计的需求,虚拟制造技术应运而生。其中,虚拟制造技术在现代化机械工程设计领域的应用,越来越被重视。因此,本文主要针对虚拟制造技术在现代机械工程设计领域的应用进行分析和探讨,希望能给机械工程设计提高有价值的参考和意见。 相似文献
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