排序方式： 共有4条查询结果，搜索用时 0 毫秒
1
1.
利用锐钛矿晶型的纳米TiO2 胶体溶液 ,将硅胶作为粘结剂按不同配比加入TiO2 胶体 ,用提拉法在陶瓷表面形成均匀薄膜并在高温下烘烤成膜。研究TiO2 和硅胶在不同比例情况下的薄膜特性 ,讨论了退火温度对亲水性及光催化活性的影响 ,利用分光光度计测量了TiO2 薄膜对亚甲基蓝的分解活性 ,测定了薄膜对洗涤剂、消毒剂、3 %NaOH和沸水的抗腐蚀能力。结果表明 ,利用这种方法制备的薄膜具有较好的光致亲水性和光催化性 ,并具有良好的抗腐蚀能力。 相似文献
2.
透明导电氧化物薄膜的新进展 总被引：8，自引：0，他引：8
透明导电氧化物（TCO）薄膜In2O3:Sn和SnO2:F都已经发展成熟，分别大规模应用于平板显示器和建筑两大领域。最近几年，TCO薄膜的研究又进入了一次复兴时期，研究和开发出几类具有明显特色的新型TCO薄膜。ZnO基TCO薄膜有替代In2o3:Sn薄膜的趋势；多元TCO薄膜材料可以调整其性能来满足某些特殊应用的需求；具有高载流子迁移率的In2O3：Mo薄膜为进一步提高TCO薄膜的性能打开了一条新路；真正的p型TCO薄膜为制造透明电子元器件迈出了第一步。 相似文献
3.
溶胶—凝胶法制备掺氟二氧化硅低介电常数薄膜 总被引：2，自引：0，他引：2
采用溶胶－凝胶法制备了低介电常数SiO2薄膜和SiOF薄膜，F的掺入明显地降低了SiO2薄膜的介电常数。研究了F的掺杂量对薄膜介电常数的影响，测定了10－300kHz范围内电容随频率变化的曲线，并计算了相应介电常数。二次离子质谱对薄膜深度分析的结果表明，F在薄膜中的分布是不均匀的。讨论了溶胶－凝胶法制备掺F的SiO2薄膜过程中各种因素对介电常数的影响，并用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌。 相似文献
4.
1