氧化钒薄膜的制备及电致开关特性的研究

采用反应溅射法,室温下,在Cu/Ti/SiO2/Si衬底上制备了氧化钒(VOx)薄膜,并对薄膜进行450℃、30min的真空退火处理.采用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的结晶取向和表面形貌进行了表征,通过半导体参数分析仪对薄膜的电开关特性进行测试,并利用导电原子力显微镜(CAFM)对VOx薄膜的导...     

氧化钒薄膜的制备及其在光激励下对太赫兹波的调制

采用磁控溅射法在蓝宝石基底上制备金属钒薄膜,然后在O2中快速热处理获得具有相变特性的VOx薄膜。实验对比了不同的热处理温度和热处理时间对薄膜性能的影响,薄膜的结晶状况用X射线衍射(XRD)进行分析;利用THz时域频谱系统,观测薄膜在不同激励光功率下的相变特性及其对THz波的调制作用。结果表明,在570℃条件下快速热处理60s所制得的VOx薄膜性能最佳,薄膜对THz波透过性最好,光激励后对THz波的调制作用最大,调制幅度达到83.9%,且引发相变的功率阈值低。     

光诱导氧化钒薄膜原位太赫兹波调制特性研究

采用磁控溅射及快速热氧化法在c-Al2O3基底制备出高质量的氧化钒薄膜。首先,分析结果表明所制备的氧化钒薄膜表面颗粒大小均匀,表面均方根粗糙度约为16.75 nm,主要成分为VO2和V2O5,V4+离子的含量为78.59%,所制备的氧化钒薄膜具有稳定的热致相变特性;其次,光诱导下薄膜的THz波调制特性研究结果显示,随着激励光功率增大,薄膜的THz透过率逐渐减小;最后,经过多次原位反复测试结果表明所制备的氧化钒薄膜具有稳定可逆的THz波调制特性,可应用于太赫兹开关和调制器等集成式太赫兹功能器件。