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利用溶剂蒸汽辅助旋涂和辅助退火(SVA)工艺制备了PVP栅绝缘膜,并研究了SVA过程中溶剂蒸汽压对PVP膜特性的影响。根据椭偏光谱的柯西模型和有效介质近似(EMA)模型,对椭偏谱参数拟合分析得到了PVP膜光学参数与其微结构的关系。拟合结果表明,随着蒸汽压的增大,PVP膜总厚度(均小于30nm)和粗糙层厚度均降低,膜致密性得到改善。由这种膜构成的MIS结构的J-V特性测试结果显示,当蒸汽压由0.21增加至0.82时,在电场为5 MV/cm的条件下,其漏电流密度由1.04×10-6 A/cm2降至1.42×10-7 A/cm2。而且在蒸汽压为0.82时可得到膜厚仅约为20nm、单位面积电容达到145nF/cm2的超薄PVP膜。  相似文献   
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基于溶液工艺和水热处理制备了ZnO薄膜。采用椭圆偏振光谱分析仪,原子力显微镜,X射线衍射仪研究和分析了水热处理温度对薄膜的微观形貌,光学特性,晶体结构的影响。实验结果表明,水热处理温度由110℃升高到130℃,薄膜光学带隙由3.19eV增大到3.31eV,而薄膜表面粗糙度从19.3nm降到12.9nm。然而,当处理温度超过140℃后,与130℃下处理的膜相比质量显著劣化。此外,130℃下水热处理的膜与500℃下高温退火的膜对比表明水热法有相似的光学特性,同时,XRD分析表明水热处理能改善晶体特性。证明了利用水热处理能够极大地降低溶液法制备ZnO薄膜所需的退火温度。  相似文献   
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研究了溶剂沸点对溶液法制备Rubrene薄膜特性的影响。使用苯甲醚、氯苯、甲苯和氯仿等溶剂旋涂制备了Rubrene薄膜,并使用椭偏仪对其光学参数进行研究,采用空间电荷限制电流法获得薄膜电学特性。当使用高沸点的苯甲醚作溶剂时,获得的Rubrene薄膜迁移率为1.58×10-5 cm2/(V·s),薄膜折射率最大,薄膜均一性和致密性较好,粗糙层厚度最小,仅为11.92 nm;而采用低沸点的氯仿作溶剂时,获得的Rubrene薄膜迁移率仅为1.07×10-10 cm2/(V·s)。研究结果表明,溶剂的沸点对Rubrene薄膜特性有较大影响,高沸点的溶剂容易获得性能优良的薄膜。  相似文献   
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元器件应用验证包括多个验证项目指标,不同验证项目下元器件的应用状态、应用电路存在差异。此外,由于温度、幅度和频率等测试条件的多样化,并且其对应用具有较为重要的影响,因此需要采用各种条件交互组织的方式进行器件的应用验证。以PC主机为载体,通过程控示波器、信号源等外接设备完成了一种通用模拟开关器件自动测试验证装置,并开展了ADG506ATE模拟开关电路的验证测试。其测试结果与器件手册指标基本一致,表明符合设计要求。该测试装置简单,无需依赖昂贵的集成电路测试系统即可实现多种器件的基础测试工作,并且由于整个测试过程通过程控实现因而具有较高的测试效率,具有较高的实用价值。  相似文献   
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