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生长温度对SiGe合金的性能有重要影响.在双腔超高真空化学气相淀积生长中,通常采用液氮冷却的方法.该生长模式下,通入乙硅烷时腔内的生长气压约为10-5Pa,SiGe的最低生长温度约为550℃.为了降低生长温度,文中采用了不用液氮冷却的模式.腔内生长气压约为10-2Pa,增加3个数量级,并且将牛长温度降到了485℃,远低于传统的牛长温度.DCXRD测试和TEM图像表明,生长的SiGe薄膜和SiGe/Si超品格具有良好的晶格质量.结果证明,在LJHV/CVD系统中,这是一种有效的实现SiGe低温生长的方法. 相似文献
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在Si(110)衬底上制备了Ge源n型Si沟道隧穿场效应晶体管(TFET)。本文研究了温度对Ge源Si TFET器件的电学性能的影响。温度相关性研究显示器件漏电流主要由漏区的Shockley - Read - Hall (SRH) 产生于复合电流决定。器件开态电流随温度升高而增加,这是因为温度升高材料禁带宽度减小,隧穿几率增大。界面缺陷引起的隧穿电流的亚阈值摆幅随温度升高而变差,但是带间隧穿电流的亚阈值摆幅不随温度变化而变化。 相似文献
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Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长 总被引:1,自引:0,他引:1
采用超低温Buffer层技术在Si衬底上生长出了质量优良的厚Ge材料,材料的穿透位错密度为1×105cm-2。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.33nm,卢瑟福背散射谱表明Ge的沟道产额低达3.9%,透射电镜分析则表明应变的弛豫主要是通过在Si与Ge的界面处形成失配位错来实现的。 相似文献
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生长温度对SiGe合金的性能有重要影响. 在双腔超高真空化学气相淀积生长中,通常采用液氮冷却的方法. 该生长模式下,通入乙硅烷时腔内的生长气压约为1E-5Pa,SiGe的最低生长温度约为550℃. 为了降低生长温度,文中采用了不用液氮冷却的模式,腔内生长气压约为1E-2Pa,增加3个数量级,并且将生长温度降到了485℃,远低于传统的生长温度. DCXRD测试和TEM图像表明,生长的SiGe薄膜和SiGe/Si超晶格具有良好的晶格质量. 结果证明,在UHV/CVD系统中,这是一种有效的实现SiGe低温生长的方法. 相似文献
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We fabricated n-type Si-based TFETs with a Ge source on Si(110) substrate. The temperature dependent IDS-VGS characteristics of a TFET formed on Si(110) are investigated in the temperature range of 210 to 300 K. A study of the temperature dependence of/Leakage indicates that/Leakage is mainly dominated by the Shockley-Read- Hall (SRH) generation-recombination current of the n+ drain-Si substrate junction, ION increases monotonically with temperature, which is attributed to a reduction of the bandgap at the tunneling junction and an enhancement of band-to-band tunneling rate. The subthreshold swing S for trap assisted tunneling (TAT) current and band-to- band tunneling (BTBT) current shows the different temperature dependence. The subthreshold swing S for the TAT current degrades with temperature, while the S for BTBT current is temperature independent. 相似文献
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