(Ga,Al)As/GaAs及GaInAsP/InP激光器中的深能级

采用深能级瞬态谱技术(DLTS),测定了用水平液相外延法生长的四层结构Ga_(0.7)Al_(0.3)A_3/GaAs,Ga_(0.26)In_(0.74)As_(0.6) P_(0.4)/InP 宽接触及质子轰击条形双异质结激光器中的深能级,对于这些深能级所引起的激光器退化问题进行了初步研究和讨论.     

改性聚四氟乙烯活塞环在引进气体压缩机上的应用

通过改性制得的聚四氟乙烯活塞环能替代进口活塞环，实现了引进气体压缩机密封材料国产化。     

TMS320VC5402最小应用系统的设计与实现

随着DSP的广泛应用.如何在DSP系统上进行上电引导和在线烧写FLASH都是不可回避的。针对在实际应用中存在的问题.提出了一种实用的扩展存储器设计方案。本文阐述了在这种硬件资源的配置下.利用FLASH存储器的在系统编程技术.设计和编写符合系统要求的上电引导程序和烧写程序。     

基于VxWorks嵌入式动力定位控制器开发

相对于系统机,嵌入式微处理器有着体积小、功耗低等优点。针对船舶动力定位控制中的应用,设计了基于ARM9的嵌入式系统。文章首先完成了硬件电路的设计,包括存储器电路的设计、与上位机通讯电路的设计及AD、DA转换电路的设计等,然后在AT91RM9200硬件平台上完成了VxWorks操作系统的移植,最后采用神经网络PID算法实现了船舶的艏向控制。     

毛細管材料及直径对测定鉄-碳(飽和)熔体中磷扩散系数的影响

应用放射性同位素P~(32)并采用瞬时平面源毛细管法和毛细管-熔池法测定了磷在Fe-C(饱和)熔体中的扩散系数D值,并研究了毛细管管径、材料对D测定值的影响。实验结果表明,当直径为1—2毫米时,D值与管径无关。当管径大于2毫米时,则因对流逐渐增加而使所得扩散系数偏高。用高铝质和氧化铝毛细管比用石墨管所得扩散系数约大一个数量级。自射线照相的结果表明,磷在氧化铝管内的熔体中有表面扩散。在1223—1480℃间用石墨毛细管测定了磷在Fe-C(饱和)熔体中的扩散系数和激活能。     

改性聚四氟乙烯活塞环在引进气体压缩机上的应用

通过改性制得的聚四氟乙烯活塞环能替代进口活塞环,实现了引进气体压缩机密封材料国产化。     

自行车击剑运动管理中心电气规划方案分析

在建设工程管理过程中，如果要使项目达到不仅在技术上更合理、在经济上也有收益的目的，就要根据项目自身的特点，制定有针对性的方案。技术与经济是密不可分的两个方面，基于技术的平台，选择性价比良好的方案，对于决策是很好的参考。下面就第29届奥运会比赛场馆之一的自行车击剑运动管理中心的电气规划设计，做如下分析：     

磷砷化镓发光材料的制备

本文采用Ga/As.P/HCl/H_2系统进行GaAs_(1-x)P_x外延生长。在反应管的尾端,增加一个强制冷却装置,迫使反应副产物完全沉积在内套管中。由此造成一个稳定的外延生长条件,有效地改善了外延层的表面状态和促成外延层磷含量的可控。又由于实现了气态NH_3的掺氮工艺,从而提高了由它制作的发光二极管的发光效率。其最大值为30毫安下光通量7.6毫流明;成品率也有明显的提高。