CMOS流量传感器的传热特性分析

对ＣＭＯＳ流量传感器的传热特性进行了分析研究，提出在器件前后端之间采用隔热结构是提高器件灵敏度的一种有效方法，隔热槽长度是传感器灵敏度的关键参数。实验表明当隔热槽长度为１６５μｍ左右时，器件灵敏度最佳。     

功率半导体器件的场限环研究

分析了场限环结构原理,总结了影响击穿电压的相关因素.采用圆柱坐标对称解进行分析,讨论了给定击穿电压情殚况下场限环结构的电场分布和峰值电场表达式及各种确定场限环个数的方法的.最后用流行的2-D半导体器件模拟工具MEDICI对器件终端进行相关模拟,尤其是表面电荷对带场限环的击穿电压和优化环间距的影响做了大量的分析模拟.得出的结论与文献中的数值模拟结果相符合,对设计优化场限环有一定的指导性.     

低温ECL电路特性及其温度比例设计规则

着重分析了低温ＥＣＬ电路的直流特性和瞬态特性，并用低温双极晶体管温度比便因子设计规则，对低温ＥＣＬ电路进行了优化设计，计算机模拟表明效果很好．     

低温基区轻掺杂硅双极晶体管的温度比例因子设计规则

通过对电流增益温度模型的分析，表明发射区重掺杂引起的禁带变窄效应是低温下双极晶体管电流增益衰变的主要原因，提出了用温度比例因子设计低温基区轻掺杂双极晶体管的新设计方法，计算机模拟表明结果良好。     

CMOS磁敏器件的研究

分析了ＣＭＯＳ磁敏器件的敏感机理，给出了灵敏度表达式，并对其单元ＳＤ－ＭＯＳＦＥＴ结构进行了数据模拟，实验结果与理论分析相一致。     

通信用过流过压保护模块的工作机理分析

本文分析了通信用过流过压保护模块YD-CLP200M在过压保护、正浪涌和负浪涌过流保护模式下的工作原理,给出了与器件结构参数有关的内部等效电路.针对不同的器件结构参数,利用MEDICI器件模拟软件模拟了器件的开启电压、正浪涌开启电流的I-V特性曲线,模拟结果揭示了影响这些直流参数的主要因素,得到了优化直流特性所需的结构参数调整方法.     

VDMOS场效应晶体管的研究与进展

介绍了新一代电力电子器件VDMOS的发展概况及工作原理，分析了其技术特点与优势，重点阐述了近年来国际上VDMOS在高压大电流及低压大电流方面所取得的理论及技术突破，通过不断改进的沟槽技术以及封装工艺提高了器件的整体性能，而Superjunction新结构、SiC新材料的采用突破了Si的高压应用理论极限。最后对未来的研究方向作了展望。     

VDMOS等效电路的SPICE模型

分析了VDMOS器件中存在的各种寄生效应以及这些寄生效应对器件性能的影响,在此基础上建立了VDMOS等效电路的SPICE模型.通过MEDICI数值分析软件,模拟VDMOS在不同偏置条件下的电压、电流、电容特性,从而提取出VDMOS等效电路模型参数.并用SPICE软件对等效电路仿真,进行了直流分析和瞬态分析,得到等效电路的电学特性曲线图.仿真的结果与MEDICI器件模拟工具模拟结果相互比较,具有较好的一致性.     

低温双极晶体管的正向渡越时间研究

分析了禁带变窄效应和少子陷阱效应对低温双极晶体管正向渡越时间的影响，在此基础上，建立了综合两种效应的正向渡越时间模型，理论计算结果与实测值一致。