К НЕКОТОРЫМ ВОПРОСАМ О ЗЕРНОВОМ СОСТАВЕ ДИНАСА

<正> 一、绪言 耐火材料制品的致密性除轻质耐火材料外,是一项重要的物理性质,在与爐渣直接接触的条件下使用时,此性质尤其重要.降低气孔率与提高氧化矽含量是改善爐顶矽磚质量的关键.近年来各国对於矽砖方面的研究成果,日益显示了这个方向的正确性.因此,研究如何提高矽砖致密性的问题是有其重大意义的.     

辽宁产滑石基本性质的研究

本文利用显微镜观察、X-射线分析和综合热分析的方法,对辽宁产五种滑石的化学矿物组成和加热变化进行了研究。结果表明,这五种滑石都是质地纯洁,组成接近于理论值的优质滑石。在加热过程中,随着构造水的脱失呈现有微量的膨胀。     

ФИЗНКО-ХИМИЧЕСКИЕ ИЗМЕНЕНИЯ ВЫСОКОКРЕМНЕМИСТОГО ДИНАСА ПРИ ОБЖИГЕ

为了说明高矽质矽砖在烧成中发生的物理化学变化对制品性质及破裂的影响,以五台(A)、都拉哈拉(B)、石门(C)、江密峰(D)产四种矽石为原料依高矽质矽砖的制造条件制成度样,分别按固定的升温速度烧至1000°,1250°,1250°,1400°,1430℃和在1430℃保温15小时6种温度条件下烧成,根据试样的窑业物理性质与相组成变化讨论了烧成期间影响制品性质和破裂的原因。结果指出: 1.高矽质矽砖的窑业物理性质不论原料的种类如何,均在1000℃以上的温度发生显著的变化。影响这些变化的主要原因是玻璃质的生成和石英的变态转变。 2.高矽质矽砖中的石英变态转变过程,依原料种类有很大区别,石英→方石英的转变速度呈:C>A>B>D的顺序;方石英→鳞石英的转变速度呈B>A>C>D的顺序。 3.高矽质矽砖在烧成中产生破裂的原因,是基质完全转变之后,石英→方石英转变在大颗粒石英进行时产生的应力状态引起的。 4.为了避免烧成破裂,对于A,C两种原料可不加或少加添加物,烧成上火温度应控制在1350℃;B可不加添加物或只加MgO;D需加入适量的添加物,烧成止火温度要略高于1350℃。     

坩堝法培育氟金云母单晶的研究

本文中研究设计了一种以硅碳棒为发热元件来供培育云母晶体用的温度梯度炉,炉子有效容积(即可容纳最大坩堝的体积)为φ180×250毫米,最大熔化量5公斤,加热最高温度为1500℃,炉膛内上下温度差为60～70℃。用这种炉子进行了培育氟金云母晶体的初步试验;研究了温度梯度对云母晶体生长取向的影响、熔化过程熔体成分的变化以及不同成分熔体的结晶情况等等,并在3～4公斤熔化量的试验中,培育出面积为6平方厘米左右的氟金云母单晶体。     

钼酸铅单晶生长研究

应用正交试验法,较系统地研究了PbMoO_4晶体生长工艺参数与晶体质量之间的关系。采用自行设计和制造的浮称自动等径生长装置,从而保证了生长条件的重复性。通过测试样品的透光率、双折射梯度、光束发散度和信噪比,以评定样品的光学均匀性,这对于材料的实际应用是十分重要的。在晶体生长的工艺参数中,以配料组成对晶体质量的影响最为显著,其次为拉速,温度梯度和转速的作用较小。通过岩相分析和电子探针分析确认,当配料组成从化学计量向PbO偏离时容易导致晶体中出现散射小晶粒;向MoO_3偏离时影响更为严重,使熔体产生组分过冷。已应用获得的最佳生长条件生长出高质量晶体,并用此晶体制造了声光偏转器和声光调制器。     

高功率Nd:YAP BNN连续倍频激光器

我们研制了Nd:YAP BNN连续倍频激光器。9.9×5.0×3.6毫米~3的BNN晶体置于加热炉中,加热炉用DWT702精密温度自动控制仪控温,控温精度接近±0.5℃。加热炉放在Nd:YAP连续激光器中,它靠近凸面腔镜处,平凸镜对1.0795微米的反射率～99.5％,对0.5397微米透射率～85％。φ4.8×104毫米的Nd:YAP棒放在双椭圆镀金聚光腔中,用格兰-汤姆逊棱镜将Nd:YAP激光偏振方向调至水平方向,以便通过BNN晶体改变晶轴与基波偏振方向间的相对方位。     

高矽质矽砖烧成过程中的物理化学变化

为了说明高矽质矽砖在烧成中发生的物理化学变化对制品性质及破裂的影响,以五台(A)、都拉哈拉(B)、石门(C)、江密峰(D)产四种矽石为原料依高矽质矽砖的制造条件制成度样,分别按固定的升温速度烧至1000°,1250°,1250°,1400°,1430℃和在1430℃保温15小时6种温度条件下烧成,根据试样的窑业物理性质与相组成变化讨论了烧成期间影响制品性质和破裂的原因。结果指出: 1.高矽质矽砖的窑业物理性质不论原料的种类如何,均在1000℃以上的温度发生显著的变化。影响这些变化的主要原因是玻璃质的生成和石英的变态转变。2.高矽质矽砖中的石英变态转变过程,依原料种类有很大区别,石英→方石英的转变速度呈:C>A>B>D的顺序;方石英→鳞石英的转变速度呈B>A>C>D的顺序。3.高矽质矽砖在烧成中产生破裂的原因,是基质完全转变之后,石英→方石英转变在大颗粒石英进行时产生的应力状态引起的。4.为了避免烧成破裂,对于A,C两种原料可不加或少加添加物,烧成上火温度应控制在1350℃;B可不加添加物或只加MgO;D需加入适量的添加物,烧成止火温度要略高于1350℃。     

SBN:Ce光致折变晶体及其应用的实验研究

本文对SBN:Ce晶体特性进行了实验研究,该晶体可在低功率激光下使用.并给出SBN:Ce在单根多模光纤中实现传输图像的实验结果.     

内热法合成氟金云母的某些工艺条件研究

本文研究了内热法合成氟金云母晶体的几个主要工艺条件:电极安插方式、加热电极的尺寸和形状,以及通电电能等对其熔化过程的影响,并在此基础上进行了20公斤熔量规模的合成氟金云母品体的试验。     

钼酸铅单晶体的常温和高温折射率及其色散

声光技术是一种广泛应用于激光的偏转,调制的新技术。在国外已得到广泛应用,在国内也在激光传真,激光印字,激光测速,激光偏转等方面的应用上取得显著成果。钼酸铅晶体是一种优良的声光介质材料,在我国也已研制成功。它的光学质量,特别是它的折射率的大小和均匀性,对声光