0.35μm CMOS激光二极管驱动器的设计

本文介绍了0.35μm CMOS工艺的激光二极管驱动器集成电路的设计。整个电路用Smart Spice模拟，模拟结果显示工作速率可以达到2.5Gb/s，调制电流幅度可以达到50mA以上，并且可以通过调节电压Vmod使调制电流幅度在0到50mA之间变化。     

基于实践的"电子电路"翻转课堂建设

以提高学生能力为主线的翻转课堂,对促进我国的课程教学改革有非常积极的作用.本文以"电子电路基础"课程为例,展示了理论和实践结合类课程的翻转课堂的设计思路和教学案例,为翻转课堂的内容建设提供了一种思路.实施效果表明,基于实践内容研讨的翻转课堂激发了学生的学习兴趣,提高了翻转课堂中学生的参与积极性,提升了学生发现、分析和解决问题的能力,起到了良好的教学效果.     

实践、理论、线上线下一体化课程改革与实践

“电子电路基础”内容涵盖广，难度大，对学生数学、物理、电路等知识要求高，综合性和实践性强，需要学生自觉主动学习和积极自发思考，才能更好的领会该门课程。本文在深度挖掘课程特点和充分利用课程线上、线下资源的基础上，创新提出“实践导学、理论强基、线上线下四位一体”的教学模式和方法，积极引导学生激发强烈的学习兴趣，建立正确的学习方法，提高综合实践的能力。     

2.5Gb/s混合集成光发射机

介绍了适用于光纤通信系统且具有完全自主知识产权的混合集成光发射机的研制.该发射机采用薄膜电路和激光焊接耦合技术将高速集成电路和光电子器件进行混合集成,其中高速集成电路是采用0.35μm硅CMOS工艺实现的单片4∶1复接器加激光驱动器芯片,光电子器件是采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift-off等技术实现的激光器芯片,最终混合集成模块采用蝶形管壳进行封装,体积小、性能优良.该发射机工作速率为2.5Gb/s,波长为1550nm,输出光功率为5.5dBm,消光比为9.4dB.     

24万兆比特每秒激光器/光调制器驱动电路

一种应用于高速光纤通讯系统的激光二极管／调制器的单片集成驱动电路已开发成功。该电路的制造使用了0．2μm PHEMT工艺,它的工作信号带宽超过12GHz。在12Gb／s速率下测得了摆幅峰值为3．4V的输出信号眼图。基于实验结果,我们判断该电路的最大工作速率超过24Gb／s。该驱动器电路使用单电源-4．5V供电,功耗小于1．8W。     

2.5Gb/s混合集成光发射OEIC

研制了适用于光纤通信系统的具有完全自主知识产权的混合集成光发射芯片。采用光刻制版技术将采用0．35μm硅CMOS工艺实现的激光驱动器芯片与采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift off等技术实现的激光器芯片制作在一块陶瓷衬底上形成“光电一体”芯片。该芯片工作速率2．5Gb／s,波长1550nm,输出光功率0dBm,消光比5．6dB。     

超高速激光驱动器电路设计与研制

分别利用0.35μm CMOS工艺和0.2μm GaAs PHEMT（pseudomorphic high electron mobility transistor）工艺实现了激光驱动器集成电路,其工作速率分别为2.5Gb/s和10Gb/s,可应用于光纤通信SDH（synchronous digital hierarchy）传输系统．     

IC设计教学课件的开发

以一个成功实现了的、光纤通信用CMOS限幅放大器为范例，介绍IC设计和制造的整个流程，包括系统定义、电路模拟、版图设计、流片和测试。     

超高速激光驱动器电路设计与研制

分别利用0.35μm CMOS工艺和0.2μm GaAs PHEMT(pseudomorphic high electron mobility transistor)工艺实现了激光驱动器集成电路,其工作速率分别为2.5Gb/s和10Gb/s,可应用于光纤通信SDH(synchronous digital hierarchy)传输系统.     

0.25μm CMOS工艺实现的3.125 Gb/s×12通道VCSEL驱动器阵列

本文介绍了一种利用0.25μm CMOS工艺实现的12通道垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列驱动器电路.该电路采用3.3V单电源供电,单通道最大输出调制电流超过30毫安,单通道工作速率达到3.125Gb/s,12个并行通道的总带宽为37.5Gb/s.