2.5Gb/s混合集成光发射机

介绍了适用于光纤通信系统且具有完全自主知识产权的混合集成光发射机的研制.该发射机采用薄膜电路和激光焊接耦合技术将高速集成电路和光电子器件进行混合集成,其中高速集成电路是采用0.35μm硅CMOS工艺实现的单片4∶1复接器加激光驱动器芯片,光电子器件是采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift-off等技术实现的激光器芯片,最终混合集成模块采用蝶形管壳进行封装,体积小、性能优良.该发射机工作速率为2.5Gb/s,波长为1550nm,输出光功率为5.5dBm,消光比为9.4dB.     

用于SDH-64光发射机的低功耗CMOS 4∶1复接器

介绍了可用于SDH STM-64光纤传输系统的4∶1复接器.整个电路采用树型结构,低速的复接单元采用动态双相伪NMOS逻辑实现,高速的复接单元采用SCL逻辑实现,提出了一种新型采用正反馈对的单端转双端电路,实现由低速单元到高速单元的逻辑变换.基于此结构的全定制单片集成电路采用0.18 μm CMOS工艺设计并实现.测试结果表明,在供电电压1.8 V,50 Ω负载条件下,复接输出数据速率超过10 Gbit/s,在标准速率10 Gbit/s,输出电压峰-峰值180 mV时,功耗仅为180mW,抖动4.9/s(rms),芯片面积为0.89 mm2×0.7 mm2.     

10Gb/s 0.18μm CMOS光发射机芯片

介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的10Gb/s光发射机电路,包括复接器和激光驱动器两部分.仿真结果表明,在1.8V电源电压作用下该电路可工作在10Gb/s速率以上,输入四路单端峰峰值为0.2V的信号时,在单端50Ω负载上的复接输出电压摆幅可达到1.4V以上,电路功耗约为230mW.芯片面积为1.77mm×0.94mm.     

2.5Gb/s混合集成光发射机

介绍了适用于光纤通信系统且具有完全自主知识产权的混合集成光发射机的研制.该发射机采用薄膜电路和激光焊接耦合技术将高速集成电路和光电子器件进行混合集成,其中高速集成电路是采用0.35μm硅CMOS工艺实现的单片4∶1复接器加激光驱动器芯片,光电子器件是采用湿法腐蚀、聚合物平坦和lift-off等技术实现的激光器芯片,最终混合集成模块采用蝶形管壳进行封装,体积小、性能优良.该发射机工作速率为2.5Gb/s,波长为1550nm,输出光功率为5.5dBm,消光比为9.4dB.     

用于SDH-64光发射机的低功耗CMOS4:1复接器

介绍了可用于SDHSTM-64光纤传输系统的4：1复接器．整个电路采用树型结构，低速的复接单元采用动态双相伪NMOS逻辑实现，高速的复接单元采用SCL逻辑实现，提出了一种新型采用正反馈对的单端转双端电路，实现由低速单元到高速单元的逻辑变换．基于此结构的全定制单片集成电路采用0．18μm CMOS工艺设计并实现．测试结果表明，在供电电压1．8V，50Q负载条件下，复接输出数据速率超过10Gbit／s，在标准速率10Gbit／s，输出电压峰一峰值180mV时，功耗仅为180mw，抖动4．9／s（rms），芯片面积为0．89mm^2×0. 7 mm^2．