低k氟化非晶碳层间介质对芯片性能的影响

讨论了通过合理设计的工艺流程将低k氟化非晶碳材料应用到制造工艺中作为互连介质对集成电路性能的影响。基于一个互连结构简化模型计算出采用低k氟化非晶碳材料作为互连介质后RC延迟、功率耗散和线间串扰的变化情况。采用低k氟化非晶碳介质后,RC延迟和功率耗散随着互连长度的增大而减小,线间串扰也得到显著抑制。     

双相位共轭镜的工作条件参数分析

本文讨论了纯扩散机制的光折变晶体用作单作用区的双相位共轭镜（ＤＰＣＭ）时的阈值耦合强度和允许的输入光强比范围，并与双作用区的情况进行比较后，给出了在输入光强比远离１的条件下，双相位共轭镜的正常工作的条件参数。     

同时确定光折变晶体中光束耦合强度和响应时间常数的一种方法

文章利用光折变晶体中非简并双光束耦合的有关理论，提出一种能同时确定光折变晶体中光束耦合强度和响应时间常数的方法，并以有关ＳＢＮ晶体的实验结果为例，说明了该方法的应用．     

铜互连电迁移可靠性的研究进展

综述了近年来铜互连电迁移可靠性的研究进展;讨论了电迁移的基本原理、常用研究方法及主要失效机制;探讨了改善铜互连电迁移性能的各种方法,如铜合金、增加金属覆盖层及等离子体表面处理。最后,指出了铜互连可靠性研究中存在的问题。     

超大规模集成电路中低介电常数薄膜的制备与检测技术

近年来,低介电常数材料在IC工业中日益受到人们广泛关注,为了降低信号传输延迟和串扰以及由于介电损失而导致的功耗增加,采用低介电常数材料做层间介质是必要的。本文介绍了有关低介电常数材料薄膜的制备方法和基本特性的检测技术。     

高速调制光束的互泵浦相位共轭器的研究

利用光折变晶体中高速振幅调制光束的简并四波混频（ＤＦＶＶＭ）理论和互泵浦相位共轭器（ＭＰＰＣ）的两作用区模型，对高速振幅调制光束的ＭＰＰＣ进行研究，给出了ＭＰＰＣ的共轭反射率、透过率以及作用区中光扇开系数的表示式及数值结果．实验上所得到的互泵浦相位共轭光的规律与理论相吻合．     

双相位共轭镜的工作条件参数分析

本文讨论了纯扩散机制的光折变晶体用作单作用区的双相位共轭镜时的阈值耦合强度和允许的输入光强比范围，并与双作用区的情况进行比较后，给出了在输入光强比远离１的条件下双相位共轭镜的正常工作的条件参数。     

低介电常数a-C:F薄膜结构和热稳定性研究

采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积的方法以C4F8和CH4为源气体制备了非晶氟化碳(a-C:F)薄膜.采用傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X光电子能谱(XPS)技术分析了a-C:F薄膜化学组分.FTIR分析表明a-C:F薄膜中存在CF=C(1680 cm-1)和位于a-C:F薄膜交联结构末端的CF2=CF (1780 cm-1)结构.C1s峰高斯解叠后结合态与结合能对应关系为:CF3(295 eV),CF2(293 eV),CF(291 eV),C-O(289 eV),C-CFx(x=1～3)(287 eV),以及位于a-C:F薄膜交联结构末端的C-C结合态(285 eV).位于a-C:F薄膜交联结构末端的CF3和C-C结构热稳定性较差,退火后容易生成气态挥发物并导致a-C:F薄膜厚度减小.当C-CFx交联结构增多,且位于a-C:F薄膜交联结构末端的CF3和C-C结构减少时,a-C:F薄膜热稳定性提高.     

BST材料在DRAM电容中的应用研究

钛酸锶钡(BST)高介电常数材料被普遍认为是最有前途的DRAM电容介质材料。BST作为DRAM电容介质材料的研究已有多年，到目前为止取得了不少突破性的进展。介绍了BST的材料特性和堆积型电容结构电极、埋层材料的设计考虑，探讨了BST膜的制备、掺杂及刻蚀工艺技术。     

氮气退火对氟化非晶碳膜结构和电学性能的影响

采用电子回旋共振等离子体化学气相淀积(ECR-CVD)方法以C4F8和CH4为源气体制备了氟化非晶碳(a-C:F)膜并在氮气气氛中对a-C:F膜进行了退火处理研究.X光电子能谱(XPS)化学结构分析表明,退火后a-C:F膜中CF3,CF2和CF含量减少,而C-CFx(x=1～3)交联结构增多.电学性能研究指出,退火后a-C:F薄膜的介电常数由于电子极化和薄膜密度的增大而上升,Al/a-C:F/Si结构的阻滞效应由于界面态密度下降而减弱,同时a-C:F膜的π-π*带隙和电荷陷阱能量减小并导致薄膜漏电流增大.