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利用波长为248nm的KrF准分子激光器进行了蓝宝石衬底GaN外延层剥离。对极薄的MOCVD生长的单层GaN外延膜(3μm)和InGaNLD外延膜(5μm)实现了大面积剥离。对剥离蓝宝石衬底背面抛光和未抛光外延片的不同特点作了比较,激光剥离所需的能量密度阈值分别约为200mJ/cm2和300mJ/cm2,优化结果表明,能量密度分别在400mJ/cm2和600mJ/cm2可实现稳定的剥离。同时对剥离后的InGaN多量子阱LD结构薄膜进行了解理,SEM观察显示获得的InGaNLD腔面平整光滑。基于这种技术可以获得无蓝宝石衬底的GaN基光电子和电子器件。 相似文献
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InvestigationofCrystallizationIncorporationofEr-implantedSiliconWanYa(万亚);LiDaiqing(李岱青)(DepartmentofChemistry,YantaiTeachers... 相似文献
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光学微盘是光学微腔的一种典型结构.它以一个折射率高于周围介质的光波长尺度的微型光盘为光学谐振腔.半导体光学微盘以其相对简单的制造工艺,高品质因子Q成为微腔物理和微腔器件很好的研究对象.在光学微盘中存在高品质因子的回音壁模式,沿微盘平面向外传播.解决微盘模式的非定向性发射,使光学微盘器件走向应用,是近年来光学微腔研究的一大热门课题. “光子晶体”的概念最早是由Yablonovitch于1987年首先提出的.近年来随着深亚微米微加工技术的发展为光子晶体的实验研究创造了条件,各种光子晶体特别是二维光子… 相似文献
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用LPE研制的室温连续工作的1.48μm单量子阱激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
利用液相外延(LPE)技术研制出室温连续工作的InGaAsP/InP分别限制单量子阶(SCH-SQW)双沟平面掩埋(DC-PBH)激光器。室温下,腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为23mA(激光器腔长为200μm,CW,13℃)。激射波长为1.48μm,最高输出功率达18.8mW(L=200μm.CW,18℃)。脉冲输出峰值功率大于50mW(脉冲宽度1μs、频率1kHz),未见功率饱和。量子阱的阱宽为20nm[1]. 相似文献