硫化亚铜中硫原子的高分辨观察

我们利用高分辨电子显微术,曾对Cu_2O中氧原子的成象规律进行了研究,并利用这种规律研究了一系列初期氧化物中氧原子位置。本文将讨论已知结构的Cu_2S晶体的高分辨观察结果及硫原子成象问题,以作为用HREM研究金属初期硫化产物的一个开端。将离子薄化的纯铜薄膜(纯度为99.99％)放置于壁上附有微量硫的封闭石英管中,在真空度为10~(-2)pa,温度为300℃的条件下进行硫化实验。所获样品的x射线能谱分析及电子衍射分析表明:在铜膜的边缘处形成的小晶体为Cu_2S,它具有逆荧石结构,晶格常数为a=0.55nm。图1的插图给出了     

高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析

使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术，对外延生长的ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析。用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系。使用像点定位及畸变测量的分析方法，获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线，扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩，得到了仅由Ｉｎ元素分布导致的点阵参数变化曲线。由晶格参数与Ｉｎ元素含量的线性对应关系，获得了超晶格中Ｉｎ元素沿生长方向的分布曲线。     

SiC／Si3N4复合材料中晶间相的能量过滤像研究

ＳｉＣ／Ｓｉ３Ｎ４复合材料中晶间相的能量过滤像研究＊于瀛大戴吉岩兰建章李斗星叶恒强（中国科学院金属研究所固体原子像开放研究实验室，沈阳１１００１５）复合材料的高温机械性能在很大程度上受材料中的界面和晶间相的影响，因此在纳米尺度上研究其晶间相的形态和化...     

CONSTITUTE AND PROPERTY OFα-Ti AFTER HYDRIDING TREATMENT

研究了氢化处理对退火α-Ti 板材的组织、结构及性能的影响。α-Ti 在室温出现两种结构的氢化物:有序的fctγ相(TiH)和fccδ相(TiH_2)。分析了用X 射线衍射只查觉到δ相的原因。氢化物的数量及形态影响除氢后基体的晶粒组织。控制氢含量可以改善拉伸性能及疲劳性能。     

大塑性变形纳米结构Al-Mg合金中的形变缺陷和电子辐照效应

为澄清大塑性变形纳米结构Al-Mg合金中形变缺陷形成的本质,采用高分辨透射电子显微镜（HRTEM）研究电子辐照对高压扭转合金中面缺陷形成的影响。结果表明：对已有高密度面缺陷的HRTEM图像,经电子束照射一段时间后,这些面缺陷会完全消失;而在没有缺陷的HRTEM图像区域进行电子辐照,即使电子束的照射提高到足以在该区域击出孔洞,整个过程均未观察到任何晶格缺陷。因此,高压扭转合金中的面缺陷主要来源于极度的塑性变形,而与HRTEM观察过程中的电子辐照效应无关。     

能量过滤成像技术在材料研究中的应用

在简述获得元素分布图实验方法的基础上，介绍利用ＨｉｔａｃｈｉＨＦ－２０００冷场发射枪透射电子显微镜，采用能量过滤成像技术在材料科学领域开展的研究工作以及取得的一些结果。     

α—Ti氢处理后的组织结构与性能

研究了氢化处理对退火α-Ti 板材的组织、结构及性能的影响。α-Ti 在室温出现两种结构的氢化物:有序的 fctγ相(TiH)和 fccδ相(TiH_2)。分析了用 X 射线衍射只查觉到δ相的原因。氢化物的数量及形态影响除氢后基体的晶粒组织。控制氢含量可以改善拉伸性能及疲劳性能。     

弥散La_2O_3质点的NiAl型复合涂层氧化行为的HREM研究

首次用高分辨电子显微镜(HREM)对Ni-La_2O_3复合镀——扩散渗铝涂层氧化前后的精细结构进行了研究。发现NiAl相中含有纳米级的La_2O_3质点,Al_2O_3层中“嵌”入La_2O_3微粒(直径<50nm);氧化物层涂层界面存在过渡相。由此认为La_2O_3质点通过影响Al_2O_3层的生长机制而改善涂层的抗氧化性能。     

Oxidation Behavior of La_2O_3 Oxide Dispersion Strengthened Aluminum－Diffusional Coating

ＯｘｉｄａｔｉｏｎＢｅｈａｖｉｏｒｏｆＬａ_２Ｏ_３ＯｘｉｄｅＤｉｓｐｅｒｓｉｏｎ　ＳｔｒｅｎｇｔｈｅｎｅｄＡｌｕｍｉｎｕｍ－ＤｉｆｆｕｓｉｏｎａｌＣｏａｔｉｎｇＰｅｎｇＸｉａｏ；（彭晓）；ＬｉＴｉｅ－Ｆａｎ；（李铁藩）（ＣｏｒｒｏｓｉｏｎＳｃｉｅｎｃ...     

高分辨电子显微像的定量分析与应用Ⅱ.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析

使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术,对外延生长的GaAs/InxGa1-xAs应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析.用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系.使用像点定位及畸变测量的分析方法,获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线,扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩,得到了仅由In元素分布导致的点阵参数变化曲线.由晶格参数与In元素含量的线性对应关系,获得了超晶格中In元素沿生长方向的分布曲线.