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1.
磁控溅射法制备V掺杂Cu_3N薄膜研究
黄赛佳
侯雨轩
侍宇雨
王志姣
杨柳青
杨建波
李兴鳌
《功能材料》
2015,(4):4057-4060,4065
利用磁控溅射法成功制备了V掺杂Cu3N薄膜。XRD显示随着V掺入浓度的升高,薄膜的择优生长取向由(111)面向(100)面转变。SEM结果表明向Cu3N薄膜中掺入V,薄膜的晶体颗粒形态发生了变化。从对薄膜样品进行的光反射率、电阻率和显微硬度测试结果可以看出,薄膜中掺入适当浓度V对其光吸收、导电性和力学性能有一定程度的改善。
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