吊索结构在高层空中庭院中的应用--兼谈仙乐斯广场结构设计

对高层建筑仙乐斯广场总体结构设计作了概要介绍，重点阐述了大跨度悬挑空中庭院中采用的吊索结构方案，并论述了该方案在设计和施工中应该注意的事项。     

氧气底吹工艺处理复杂铅物料的生产实践

简述了氧气底吹熔炼的原理及优势,论述了氧气底吹工艺在处理高铜铅精矿、复杂金精矿、铅酸蓄电池、锌浸出渣及高锌铅物料等复杂铅物料上的应用。     

基于移动信标的无线传感器网络混合节点定位算法

节点定位是无线传感器网络中的关键技术之一。本文在采用装备有GPS装置的移动信标的基础上,提出了加权质心定位方法和Unscented—KF滤波组合定位算法。算法首先利用加权质心定位方法,获得无线传感器网络未知节点的初步位置,再用Unscented—Kalman filter进一步提高定位精度。算法可以实现传感节点的低成本定位,容易达到很高的定位精度、可实现分布式定位计算。仿真结果显示,与算法较常用的极大似然估计相比,未知节点的定位精度有较大的提高。本算法定位过程中节点间无通信开销,计算量小,节省了宝贵的节点能量。在本文中算法是基于RSSI测距方式,它还可应用于TDOA,TOA等基于测距的定位算法中,具有较普遍的应用意义。     

电感耦合等离子体质谱技术新进展

综述了 1999～ 2 0 0 2年间国外电感耦合等离子体质谱技术 (ICP MS)的新进展 ,包括ICP MS的应用范围、ICP MS系统的理论研究和技术改进、激光烧蚀 -ICP MS、电热蒸发 -ICP MS、同位素稀释 -ICP MS、流动注射 -ICP MS、毛细管电泳 -ICP MS以及一些多级联用技术等方面的研究进展 ,引用参考文献 2 2 2篇     

难熔金属Zr中痕量杂质的ICP-MS测定

研究了难熔金属Zr中痕量杂质的ICP_MS分析方法 ,系统考察了ICP_MS中介质影响 ,多原子离子干扰 ,基体影响及不同内标的校正作用等 ,并试验了难熔金属Zr的消解方法 ,设定了最佳工作参数 ,标准加入回收率为 (10 0±10 ) % ,方法的检出限 <0 92mg/L ,精密度RSD <5 % ,样品分析结果准确可靠。     

基于RBF神经网络的非线性系统智能控制

针对工业控制领域中复杂非线性时变系统，采用传统的控制方法不能达到满意的控制效果，提出了基于神经网络的PID自适应控制方案。采用神经网络辨识器在线辨识系统模型，自动调整PID控制器参数，从而实现系统的智能控制。仿真结果表明该方法对于复杂非线性系统能进行有效的控制并且具有很好的自适应性和鲁棒性。     

质量屋中工程特性改进重要度的确定方法

为了以一种经济的方式全面实现顾客满意的目标,提出了一种基于粗糙集和卡诺模型的集成方法,以确定质量屋中工程特性的初始重要度.为了对工程特性表现的改进目标的实现进行效率和风险分析,引入了实现工程特性表现的改进目标所要求的总投入、实现工程特性表现的改进目标所引致的除顾客满意度之外的总产出,以及实现工程特性表现的改进目标的总难度等概念及其计算公式,以表征实现工程特性表现的改进目标的重要性,进而提出了实现工程特性表现的改进目标的重要性计算公式.基于工程特性的初始重要度、实现工程特性表现的改进目标的重要性和工程特性表现点的融合,确定了质量屋中工程特性的改进重要度.通过实例说明了所提方法的应用.     

质量功能配置中工程特性最终重要度的确定方法

针对质量功能配置中顾客需求和工程特性之间的关联关系,以及各项工程特性之间的自相关关系均具有不确定、不分明和模糊等特性,分别提出关联关系和自相关关系确定的粗糙集方法,进而确定工程特性的初始重要度.对工程特性表现的改进比率的实现进行效率和风险分析,提出实现工程特性表现的改进比率的重要性概念及其计算公式.基于工程特性的初始重要度、实现工程特性表现的改进比率的重要性和"技术点"的合成,提出一种工程特性最终重要度的确定方法.以全自动洗衣机的产品研发为实例,说明所提方法的应用.     

基于粗糙集理论的质量屋中工程特性确定方法

工程特性的确定过程中主要存在不准确、可行性差、合理性差等问题.为此,研究了基于粗糙集理论的质量屋中工程特性的确定问题.相应于质量屋中已确定的顾客需求,基于对初选集中工程特性的分析与整理,确定了工程特性的筛选集.针对顾客需求和筛选集中工程特性之间的广义关联关系不确定、不分明和模糊等特质,利用粗糙集中的有关方法确定了顾客需求与工程特性之间的广义关联关系.引入广义关联关系的强度阈值概念,以表征相应于每项顾客需求的广义关联关系的最低限度,进而通过集合运算确定了质量屋中的各项工程特性.最后,以洗衣机的产品研发为例,说明了所提方法的可行性.     

InGaN/GaN多量子阱的变温发光特性研究

采用低压金属有机化学沉积方法制备了InGaN/GaN多量子阱.变温PL测量发现,量子阱发光强度具有良好的温度稳定性,随着温度升高(10～300K),发光强度只减小到1/3左右.分析认为,InGaN/GaN多量子阱的多峰发光结构是由多量子阱的组分及阱宽的不均匀引起的.随着温度升高,GaN带边及量子阱的光致发光均向低能方向移动,但与GaN带边不同,量子阱发光峰值变化并不与通过内插法得到的Varshni经验公式相吻合,而是与InN带边红移趋势一致,分析了导致这种现象的可能因素.还分析了量子阱发光寿命随温度升高而减小的原因.