离子束增强沉积制备TiB_2薄膜及其性能研究

用离子束增强沉积法（IBED）在硅及铜基体上沉积了TiB2薄膜，研究了轰击离子束能量和束流对薄膜的微结构及力学性能的影响。用俄歇电子谱（AES）分析了膜的成分及其界面状况，用X射线衍射（XRD）研究了膜的微结构，并测定了膜的硬度及进行了膜的高温氧化试验。结果指出：（1）离子束轰击使薄膜晶化，从而影响到膜的硬度及抗高温氧化性能；（2）离子束增强沉积的二硼化钛薄膜是一种耐高温氧化的高硬膜。     

宽束射频离子源匹配网络

介绍宽束射频离子源原理及结构，分析射频匹配网络中调谐和负载电容与输入频率、离子源电阻、传输线特征阻抗、支路电感的关系，导出了射频离子源阻抗公式。     

关于辅助沉积霍尔离子源的几个问题

本文目的在于改进霍尔源的设计,实现宽能、大束流、低气耗、低污染、能自动化控制的新一代霍尔源.     

用于辅助镀膜的霍尔等离子体源

论述了该源的工作原理,讨论并测试了该源最佳的磁场及分布.设计采用了永久磁铁并利用极靴产生发散磁,沿轴向有较大梯度的磁场,又称该源为端部霍尔加速器.最后给出了束流及均匀区实测结果.     

放射性示踪地下管道检漏技术及检漏仪器的研究

本文主要介绍放射性同位素示踪地下管线检漏方法及其仪器设备。为了检查地下管线的泄漏,上海原子核研究所发展了放射性示踪检漏技术,并研制成功了相应的长距离地下管道检漏仪。用一定量的放射性示踪溶液注入被检测管线,随后冲洗残存在管道内的放射性示踪剂,最后把检漏仪放进管道内,由管内流体推动,使其沿管线向前移动同时进行探测。检漏仪能探测到本底和漏出在管外壁周围的放射性,并自动地把放射性信号和时间信号记录在磁带上。根据信号曲线,我们可以判断该管线有无泄漏;如有泄漏,同时可以准确地确定漏洞的位置。     

用于辅助镀膜的霍尔等离子体源

论述了该源的工作原理,讨论并测试了该源最佳的磁场及分布.设计采用了永久磁铁并利用极靴产生发散磁,沿轴向有较大梯度的磁场,又称该源为端部霍尔加速器.最后给出了束流及均匀区实测结果.     

氚标记TNT的研制

三硝基甲苯(TNT)是国防、矿山、民用等大量应用的重要炸药原料,具有热安定性好、感度低、使用安全和成本低廉等优点。但长期接触TNT可引起机体一系列损害,主要表现为中毒性肝炎、低色素性贫血和中毒性白内障等。为了对探讨发病机理提供科学依据,我们研制了氚标记TNT。     

用于辅助镀膜的霍尔等离子体源

论述了该源的工作原理 ,讨论并测试了该源最佳的磁场及分布。设计采用了永久磁铁并利用极靴产生发散磁 ,沿轴向有较大梯度的磁场 ,又称该源为端部霍尔加速器。最后给出了束流及均匀区实测结果     

走向光学工业应用的辅助镀膜霍尔等离子体源

论述了霍尔等离子体源的工作原理，讨论并测试了该源最佳的磁场及分布。本设计采用永久磁铁并利用极靴产生发散磁场，及沿轴向有较大梯度的磁场，还给出了束流均匀区实测结果及工业应用初步结果。     

高能宽束强流离子源

本文介绍一种考夫曼型高能宽束强流离子源,它的最高引出电压可达100kV,最大引出束流25mA。可使用氩、氮、氢、氧及一氧化碳等多种气态物质作为工质。在使用氩、氮等非腐蚀性气体工作时,阴极连续工作寿命约为100h。引出束流的束径在0.65m,下游靶区约为100mm。束流稳定性<±3%/h。可用于料材表面进行大面积注氮和进行离子束混合及其它表面改性研究。