金属－PTC陶瓷复合材料研究

研究低Ｔ＿ｃＰＴＣＲ复合材料的制备工艺，测试所制成样品的阻温特性。通过样品Ｘ射线定性相分析，探讨该复合材料所表现的ＮＴＣ阻温特性机理。     

SrTiO3(111)衬底上KTa0.65Nb0.35O3薄膜的取向生长研究

以乙酸钾、乙醇钽、乙醇铌为前驱体，在SrTiO_3（111）衬底上取向生长了KTa_（0.65）Nb_（0.35）O_3薄膜.通过DTA-TG分析，确定了预烧工艺，发现钙钛矿结构KTN在高温（＞950℃）下可分解，产生缺钾中间相K_2Ta_4O_11．单层凝胶膜预热处理（＞450℃），多层覆盖，慢速升降温（1～2℃／min），750℃保温2h，可得到晶粒大小分布均匀，平均直径约0．2μm、致密的薄膜．升高温度、延长时间，晶粒长大，甚至团聚，产生气孔、裂纹，烧结温度应控制在950℃以下．     

基于变分法的光子超导波基态分析

利用一般的电磁辐射与晶格振动的相互作用模型，研究了强光场与晶格振动的非线性相互作用导致光子对形成这一基本问题，导出了光子．光子有效相互作用。然后利用变分法求得了超导波态系统的基态能量表达式，并讨论了光子对的形成条件。     

单模光纤的传输衰减随温度变化的研究

本文从实验上测量了单模石英光纤在－50～120℃范围内的损耗。随着温度升高，光纤的损耗随之降低，在常温附近达到最小。其后损耗随着温度的继续升高而增加。损耗的变化主要是由于杂质的吸收和微弯损耗。本文对杂质的吸收以及微弯损耗进行了数值模拟，并且从理论上定性地解释了损耗对温度的依赖关系。     

胶体模型与金属中点缺陷的研究

在用胶体模型的密度泛函理论方法系统地计算金属Ａｌ中的点缺陷和类点缺陷电子结构的基础上，参照有关的实验资料进行比较，探讨了胶体模型方法的可靠性、局限性及对其局限性的修正方法。分析比较了胶体模型、Ｐｕｓｋａ的无相互作用原子模型、ＦＬＡＰＷ等常见的密度泛函理论计算方案，探讨了各自的利弊。得出了胶体模型方法对于研究金属中的小微空洞（平均半径小于４ｎｍ）是一种有效、简捷的近似计算方法的结论。     

TbMn6Sn6化合物的结构和磁性

研究了重稀土金属化合物ＴＭｎ６Ｓｎ６的晶体结构，内禀磁性及其矫顽力随温度和外场变化的规律，ＴｂＭｎ６Ｓｎ６化合物在外场较弱时，热磁曲线呈亚铁磁性；当外场较强时，则表现出铁磁行为，具有变磁性。     

单模光纤的传输衰竭减随温度变化的研究

本文从实验上测量了单石英光纤在－５０－１２０℃范围内的损耗。随着温度升高，光纤的损耗随之降低，在常温附近达到最小。     

钛酸铋基铁电薄膜研究进展

钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能,在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景.本文分别从制备工艺、掺杂改性、疲劳特性的研究等方面综述了最新的研究进展,并对当前研究中存在的问题进行了讨论.     

重稀土锰基化合物Gd（Mn,Co）Si的结构与磁性

通过金属钴对锰的替代，考察了Ｇｄ（ＭｎＣｏ）Ｓｉ化合物的晶体结构，居里温度ＴＣ和磁化率随替代量变化的规律，初步探讨了重稀土Ｇｄ原子同过渡金属Ｃｏ，Ｍｎ原子之间以及过渡金属原子与过渡金属原子之间的磁相互作用。     

稀土永磁材料Sm_2Fe_（17）N_y磁体的最佳工艺

在深入探讨三元稀土铁基化合物Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｙ的制备工艺和磁性能的基础上，确定熔炼母合金、渗氮、球磨及粘结等制备优化的Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｙ磁体具体工艺过程的技术参数．制取了居里温度Ｔｃ＝７４６Ｋ，最大磁能积（ＢＨ）ｍａｘ＝１９９ｋＪｍ－３的Ｓｍ２Ｆｅ１７Ｎｙ粉末与粘结体．