6H-SiC材料与器件辐照效应的研究进展

介绍了6H-SiC材料和器件辐照效应研究的目的和方法,并对国内外最近几年的研究情况进行了介绍、分析和总结.指出目前的研究主要集中于辐射效应方面,但在抗辐射加固技术方面研究不足,国内应根据现有条件注重辐射效应机理方面的研究.     

气相缓蚀剂的研究现状及趋势

综述了国内外气相缓蚀剂的发展历程,分别回顾了单组份、混合型和低毒高效气相缓蚀剂研究情况,指出混合型气相缓蚀剂是研究开发的重点.详细阐述了环境友好气相缓蚀剂、缓蚀剂基础理论研究以及缓蚀作用的研究方法等方面的研究,这几个方面是气相缓蚀剂研究的发展趋势.     

碳纳米管的应用研究

碳纳米管是材料科学领域的研究热点,在许多方面都有吸引人的应用前景.综述了当前碳纳米管在电子技术、环境监测和能源利用、催化学等方面应用研究的现状.并展望了碳纳米管的应用前景.     

单相液体微槽散热研究进展

对单相液体微槽散热技术研究的三个主要方面:流体流动和传热特性研究、影响因素研究、系统匹配与优化研究进行了回顾与综述.这三方面密切相关,反映了单相液体微槽散热技术的理论和应用水平.阐述了微槽散热技术未来的发展方向.     

立方氮化硼薄膜制备与性质研究新进展

立方氮化硼(c-BN)具有优异的物理和化学性质, 在力学、光学和电子学等方面有着广泛的应用前景. 自上世纪80年代开始, 低压沉积c-BN薄膜的研究迅速发展, 到90年代中期达到高潮, 随后进展缓慢, c-BN薄膜研究转入低潮. 近年来, c-BN薄膜研究在几方面取得了突破, 如获得与衬底粘附良好、厚度超过1μm的c-BN厚膜; 成功实现了c-BN单晶薄膜的异质外延生长; 此外, 在c-BN薄膜力学性质和过渡层微结构研究方面也取得了进展. 本文主要评述最近几年c-BN薄膜研究在以上几方面取得的最新进展.     

电磁铆接技术国内外研究进展

电磁铆接技术是电磁成形与传统铆接相结合发展起来的一种装配技术,在复合材料结构连接以及大直径难变形铆钉室温铆接方面具有显著优势,具有广阔的应用前景.综述了电磁铆接设备、铆接过程数值仿真技术以及工艺试验3个方面的研究进展,并结合笔者相关研究结果对目前基础研究方面存在的问题进行了简要分析.设备研究方面,重点分析了国内外电磁铆接设备的发展阶段和技术水平,分析表明国外电磁铆接技术仿真较早,而且设备与工艺方法相对比较成熟,而国内研究虽然取得了一定进展,与国外相比仍有很大差距.数值仿真方面,通过对比着重介绍了电磁铆接工艺仿真主流方法的优缺点,可根据自身需求进行选择.工艺试验方面,国内近些年关于该工艺基础研究报道较多,但工艺研究方面无统一的标准和规范,要想使该技术快速得到工程应用仍需长期研究与探索.     

翻领成型器研究新进展

对国内外对翻领成形器的研究作了简要综述.介绍了国内外在翻领成型器的数学模型、截面形式和应用研究等方面的进展.提出了在理论研究和工程应用方面尚未解决的几个问题.     

高温热台在材料研究领域中的应用

综述了高温热台在材料研究领域中的应用,包括实时观察晶体熔融与生长、材料烧结、相变、纳米粉体熔化和低共熔.对比常规实验方法,指出了高温热台在研究材料结构、性能方面的优势,总结了高温热台在材料研究领域中所取得的一些创新性成果.最后指出了高温热台在研究材料组成、结构、性能以及原位观察等方面存在的不足,并展望了其未来的发展方向.     

碳纳米管场发射机理述评

较全面地介绍了碳纳米管场发射研究10年来在发射机理方面的研究结果,包括场发射能量分布、逸出功、发射模型以及发射稳定性和失效等问题,并介绍了相关方面的研究结果.     

重组米品质特性及其功能性产品的研究进展

目的 对目前的重组米品质特性及其功能性产品进行总结研究,并针对其相关机理进行汇总讨论,为重组米领域的深层次研究提供参考.方法 主要综述重组米的糊化特性、质构特性、消化特性和老化特性等在机理及相关影响因素方面的研究现状和进展,以及重组米的低GI(血糖生成指数)、低蛋白和营养强化功能性方面的研究现状和进展.结果 目前多数的研究都趋于表面加工技术方面,缺少营养成分对性质的影响方面的研究.目前重组米的制备工艺较为复杂,产量较低,在一定程度上限制了重组米的市场规模.结论 未来可加强对分子层面机理的研究,改善开发重组米的安全性,研制出更健康、更优质、更具市场潜力的产品.     

AZO薄膜制备工艺及其性能研究

综述了掺铝氧化锌(AZO)薄膜制备方法与光电特性,重点阐述了磁控溅射法制备工艺参数如衬底温度、溅射功率、气体压强、溅射时间、衬底和靶间距、负偏压等对AZO薄膜结构、光电性能的影响,并指出目前AZO薄膜的研究关键以及所面临的挑战,展望了未来的研究方向。     

铁电钛酸锶钡薄膜的最新研究进展

铁电钛酸锶钡(BaxSrl-xTiO3)是一种拥有十分优越铁电／介电性能的材料，在可调谐微波器件及动态存储器件方面具有很好的应用前景．本文概括介绍了BaxSr1-x-TiO3薄膜的研究意义、基本结构、制备方法、各种性能特征及其表征方法与应用展望，并对当前BaxSr1-xTiO3薄膜研究中的几个重要前沿问题进行了详细讨论．     

还原氧化石墨烯基纳米银线透明导电薄膜研究进展

透明导电薄膜已广泛应用于印刷电子领域,传统的透明导电薄膜氧化铟锡（ITO）因其高脆性低柔韧性而不能满足高速发展的柔性电子行业;纳米银线（AgNWs）和石墨烯均具有良好光学性能、导电性能以及机械性能,使其能成为制备透明导电薄膜的理想材料。综述了近年来还原氧化石墨烯（rGO）基AgNWs透明导电薄膜的研究进展。介绍了柔性导电薄膜的关键参数及rGO/AgNWs透明导电薄膜的成膜工艺;归纳了影响rGO/AgNWs透明导电薄膜光电性能的主要因素和相关研究;阐述了rGO/AgNWs透明导电薄膜在印刷电子领域的应用现状,并展望了rGO/AgNWs透明导电薄膜的未来发展趋势。     

Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜

介绍了Sol-Gel法，并对近年来Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的有关研究进行了分析和总结，详细介绍了Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的各种原料及工艺流程。     

磁控溅射法制备高反射铝膜

通过先后调整溅射沉积时间、溅射功率以及溅射气压等镀膜参数,然后结合所镀样品的反射率测量,分析了镀膜参数对铝膜反射率的影响;通过调整不同的离子束清洗时间,结合所镀样品的太阳光谱反射率测量以及附着力测试,研究了离子束清洗对铝膜性能的影响。结果表明,在这些影响因素中离子束清洗对铝膜性能的影响很大。     

金刚石薄膜异质外延的研究进展

主要介绍金刚石薄膜在Si上异质外延的研究状况。综述了外延金刚石薄膜的偏压形核 ,SiC过渡层的影响及一些实验参数对外延薄膜质量的影响等 ,并论述了发展方向     

Structure and magnetic properties of sputtered FePtM (M = Ti,Nb) thin films

FePt thin films doped with various Ti and Nb concentrations ranging from 2.9 to 9.1 at.% were prepared by r.f. magnetron sputtering. The structural and magnetic properties of Ti- and Nb-doped FePt thin films were investigated. Structural studies revealed that the long range ordering in FePt thin films depends on the doping concentration and annealing temperature of FePt thin films. The addition of Ti and Nb is found to enhance the grain refining in FePt thin films. The effects of doping concentration on the magnetic properties of FePt thin films were studied and discussed.     

化学水浴沉积时间对CdS薄膜性质的影响

采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,通过XRD、XRF、SEM和光学透过率谱等测试手段研究了沉积时间对CdS薄膜沉积过程和性质的影响.结果表明,随着沉积时间的增加,薄膜增厚;S/Cd原子比增加,但都为富Cd的CdS薄膜;XRD研究表明,薄膜结构由立方、六方混合相向立方相转变,(111)方向成为择优生长方向;SEM研究表明,随沉积时间增加,薄膜变致密,薄膜表面出现的白色附着颗粒增多,尺寸增大;沉积时间对薄膜的光学性质也有很大的影响,随着沉积时间的增加薄膜透过率减小,而禁带宽度值增大.     

应用于MEMS的PZT铁电薄膜

薄膜制备工艺的发展使铁电薄膜很好的应用于MEMS, 使两者集成成为可能. 本文将详细论述铁电薄膜的优良性能, 及其与MEMS集成的关键工艺--图形化. 最后, 举例论述了PZT铁电薄膜在MEMS中的应用.     

MEMS领域中形状记忆合金薄膜的研究与进展

总结了近年来微机电系统(MEMS)领域中,ti-Ni形状记忆合金(SMA)薄膜的制备与微加工工艺、形状记忆性能、加工性能、防腐耐磨性能及力学性能的研究进展,由此提出了MEMS领域中,SMA薄膜的使用要求和研究方向.