首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   14篇
  免费   0篇
综合类   1篇
化学工业   1篇
无线电   3篇
一般工业技术   9篇
  2012年   1篇
  2002年   1篇
  2001年   2篇
  2000年   5篇
  1999年   1篇
  1998年   1篇
  1997年   1篇
  1995年   1篇
  1992年   1篇
排序方式: 共有14条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
Ag-MgF2复合金属陶瓷薄膜的结构与光学特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
以真空烧结的Ag-MgF2粉体为蒸发材料,用真空蒸镀法制备了Ag-MgF2金属陶瓷薄膜,X射线衍射、红外以及紫外-可见光谱研究表明:薄膜为由纳米fcc-Ag晶粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2基体中构成.在400~1600cm-1波数范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜具有400~600cm-1的MgF2晶体特征吸收带和Ag-MgF2复合结构产生的730~1250cm-1的吸收谱带;在200~800nm波长范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜对波长为220~800nm的光波均具有很低的反射率和很强的吸收,对波长为340~580nm的光波吸收率高达85%以上;而在紫外光区,Ag-MgF2薄膜则具有高反射率(>51%).  相似文献   
3.
Ag—MgF2复合金属陶瓷薄膜的结构与光学特性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
4.
5.
Ag-MgF_2金属陶瓷体的烧结条件与微观结构   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文报道了Ag -MgF2 金属陶瓷体的烧结条件与微观结构之间的关系。X射线衍射分析表明 ,当真空烧结炉中有氧气氛存在时 ( 3 0Pa的低真空 ) ,如烧结温度T≥ 60 0℃ ,Ag -MgF2 体系将转变为Ag -MgF2 -MgO ;当烧结温度达到 12 5 0℃时Ag -MgF2 体系转变成为Ag -MgO。在高真空中 ( <10 -3Pa)烧结时 ,Ag -MgF2 体系将保持不变。烧结后的Ag -MgF2金属陶瓷体的空隙率 ,在 3 0 %~ 5 5 % (质量分数 )Ag范围内出现极大值。  相似文献   
6.
Ag—MgF2纳米金属陶瓷薄膜的光吸收特性   总被引:6,自引:0,他引:6  
测量了真空热蒸发沉积法制备的Ag-MgF2纳米金属陶瓷薄膜在近紫外到可见光区的吸收光谱、光学常数和介电函数,观察到在427nm处有明显的表面等离子激元共振吸收峰。消光系数与介电函数的虚部谱形类似。讨论了共振吸收峰位置与金属微粒尺寸的关系。  相似文献   
7.
Al-MgF_2金属陶瓷薄膜的微观结构与光学特性   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文首次报道了用真空蒸发制备的Al-MgF2 金属陶瓷薄膜微观结构与光学特性。在200~800nm 波段,薄膜的反射率很低,为1% ~2.5% ;透射率则呈抛物线上升,至800nm处达72% ;吸光度随波长增大呈指数下降。Al-MgF2 金属陶瓷薄膜的这种光学性质与其微观结构有关。文章还对Al-MgF2 金属陶瓷薄膜的制备技术和氧化现象进行了讨论。  相似文献   
8.
9.
测量了真空热蒸发沉积法制备的Ag MgF2 纳米金属陶瓷薄膜在近紫外到可见光区的吸收光谱、光学常数和介电函数 ,观察到在 42 7nm处有明显的表面等离子激元共振吸收峰。消光系数与介电函数的虚部谱形类似。讨论了共振吸收峰位置与金属微粒尺寸的关系  相似文献   
10.
MgF2氧化现象的X射线衍射研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用X射线衍射方法,研究高稳定化学结构的MgF2在30%Ag(质量分数,下同)掺杂下,在低真空中(≥30Pa)高温(≥600℃)烧结后,氧化成为MgO的过程。在烧结温度为600℃,恒温时间为2h时,XRD出现d为24326,2.1065,1.4896A的MgO衍射峰。随着烧结温度升高,MgF2的衍射峰逐渐减弱减少,MgO的衍射峰则逐渐增强增多。到1250℃时,MgF2的衍射峰全部消失。然而,将MGf2-30%Ag样品在高真空中(<10^-3Pa)1000℃烧结,恒温2h,未观察到MgF2有氧化现象。如果将纯MgF2样品在开口高温炉中(即大气中)1000℃烧结,仅发现3个较弱的MgO衍射峰(相应的d值为2.1008,1.4882,1.0525A),MgF2衍射峰全部出现。讨论了MgF2的氧化机理,指出Ag在MgF2的氧化过程中起了中间媒介作用。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号