CdS/CdTe叠层太阳电池的制备及其性能

CdS/CdTe太阳电池是薄膜太阳电池研究工作的一个重要方向.为了提高开路电压Voc、改善电池的光谱响应,进而提高电池的转换效率,在此提出CdS/CdTe叠层太阳电池结构.文中,叠层电池的顶电池由CdS/CdTe超薄层构成;底电池由CdS/CdTe薄膜层构成.经分析测试,实验制备的CdS/CdTe叠层太阳电池具有明显的叠层结构,开路电压最高达到了852mV,短路电流密度最大为13mA/cm2,填充因子最高为55.2%,这种叠层电池的效率达到了8.16%(0.071cm2).研究表明相对于传统的单层CdS/CdTe太阳电池,CdS/CdTe叠层电池的制备对研究如何提高CdS/CdTe太阳电池的光伏性能有一定的参考价值.     

透明导电薄膜现状与发展趋势

在对透明导电薄膜的市场、产业、及技术现状综述的基础上,结合目前透明导电薄膜存在的问题对未来透明导电薄膜的发展趋势及研究方向及研究内容进行了论述。     

ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的制备及光学性质研究

为了提高CdTe太阳电池的效率,ZnS/CdS单带差超晶格被创新性地提出.用射频磁控溅射法制备了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜,用SEM观察样品截面,分层清晰;测试了ZnS/CdS单带差超晶格薄膜的透过谱图,在300～800nm波长范围内存在4个明显的透过峰.相较于CdS单层膜与ZnS单层膜,ZnS/Cds单带差超晶格薄膜在可见光短波部分的光谱响应十分明显,说明Zns/Cds单带差超晶格薄膜的电子能带与光子吸收方式发生了明显的变化.理论上可以提高CdTe太阳电池的效率.     

单晶硅太阳能电池前表而化学腐蚀研究

制绒工艺是晶硅太阳能电池产业化研究的重要方向之一。本文对德国Rena公司的湿法腐蚀制绒设备进行了工艺流程的简要概括,在产业化环境中对硅片表面的化学处理工艺进行了研究。通过研究分析,自制的GP溶液能有效的降低溶液表面张力并改善单晶硅片表面的浸润效果;湿法腐蚀后,硅片表面绒面结构清晰,金字塔形状均匀,底座大小在2～3μm左右;由腐蚀深度变化曲线分析可知,各腐蚀槽腐蚀深度值92％都集中在7．5～8．5之间,接近最优化腐蚀深度,碎片率低于5‰。     

CdS/CdTe叠层太阳电池的制备及其性能

CdS/CdTe太阳电池是薄膜太阳电池研究工作的一个重要方向.为了提高开路电压Voc、改善电池的光谱响应,进而提高电池的转换效率,在此提出CdS/CdTe叠层太阳电池结构.文中,叠层电池的顶电池由CdS/CdTe超薄层构成;底电池由CdS/CdTe薄膜层构成.经分析测试,实验制备的CdS/CdTe叠层太阳电池具有明显的叠层结构,开路电压最高达到了852mV,短路电流密度最大为13mA/cm2,填充因子最高为55.2%,这种叠层电池的效率达到了8.16%(0.071cm2).研究表明相对于传统的单层CdS/CdTe太阳电池,CdS/CdTe叠层电池的制备对研究如何提高CdS/CdTe太阳电池的光伏性能有一定的参考价值.     

单晶硅中替位碳含量的常／低温红外光谱对比研究

对不同单晶硅片中的替位碳含量进行了常温／低温（〈15K）红外光谱测试。通过对比研究发现,在所有实验样品中,除一个碳含量高的样品相对偏差较大以外,其余样品的相对偏差都很小,均在±0．06ppma以内。实验证明低温（〈15K）红外光谱可以替代常温红外光谱完成杂质碳含量的检测．低温红外光谱的一次扫描即可同时完成碳、硼、磷杂质的含量检测．本文为多晶硅生产中的杂质含量分析提供了一种快速、高效的检测模式,避免了设备的重复和资源的浪费.     

基于GaAs系高效叠层太阳能电池的聚光光伏系统技术

以GaAs系高效叠层太阳能电池的技术背景和特点为基础,介绍了基于GaAs系高效叠层太阳能电池的聚光光伏(CPV)系统的基本结构、工作原理以及技术现状,并对聚光光伏系统的发展前景进行了论述。     

近空间升华法氧气氛下CdTe源的性能

在用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜时,由于CdTe源在有O2的环境下多次使用,造成了源表面氧化,进而失效,严重影响所沉积的CdTe多晶薄膜性能.文中研究了多次使用后CdTe源结构形貌、成分等性能.结果表明:多次使用后的CdTe源表面有变黄的趋势,源表面有CdO粉末的存在,经H2在一定条件的高温还原,可以去除表面的氧化物,为源的重复使用奠定基础.     

温场均匀性对CdTe薄膜及太阳电池性能的影响

采用近空间升华法(CSS)制备CdTe多晶薄膜,模拟制备过程中的温场变化,结合,I-V、C-V特性及深能级瞬态谱研究温场均匀性对CdS/CdTe太阳电池性能的影响.结果表明,温场分布和薄膜厚度分布基本一致,温场均匀性对电池组件的开路电压影响不大,对短路电流和填充因子有影响,CdTe薄膜的深中心对温度和频率的响应基本一致.580℃制备的样品暗饱和电流密度最小,载流子浓度较高,光电特性较好,而且空穴陷阱浓度较低,深中心复合作用较小.通过改进温场的均匀性能够制备出组件转换效率为8.2%的CdS/CdTe太阳电池.     

近空间升华法氧气氛下CdTe源的性能

在用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜时,由于CdTe源在有O2的环境下多次使用,造成了源表面氧化,进而失效,严重影响所沉积的CdTe多晶薄膜性能.文中研究了多次使用后CdTe源结构形貌、成分等性能.结果表明:多次使用后的CdTe源表面有变黄的趋势,源表面有CdO粉末的存在,经H2在一定条件的高温还原,可以去除表面的氧化物,为源的重复使用奠定基础.