聚酰亚胺/SiO_2纳米复合抗原子氧气凝胶的合成与性能

以3,3′,4,4′-联苯四酸二酐(sBPDA)和2,2′-二甲基-4,4′-二氨基联苯胺(DMBZ)为聚合单体,八(氨基苯基)聚倍半硅氧烷(OAPS)为交联剂,SiO2纳米粒子为填料,采用超临界二氧化碳干燥工艺制备了一系列聚酰亚胺(PI)/SiO2纳米复合气凝胶(CPIA-SiO2-0~CPIA-SiO2-7)。研究表明:SiO2纳米粒子的引入对PI气凝胶的耐热性能未产生显著的影响。然而,随着SiO2纳米粒子含量的增加,PI气凝胶的孔隙率从89.6%逐渐降低至79.4%,BET表面积也随之从425.5m2/g降低至380.2m2/g,纳米泡孔孔径分布呈现出变宽的趋势。SiO2的引入显著提高了PI气凝胶的抗原子氧侵蚀能力,含量为7%(质量分数,下同)的PI/SiO2复合气凝胶CPIA-SiO2-7的原子氧侵蚀率(2.6%)仅为不含SiO2气凝胶CPIA-SiO2-0的原子氧侵蚀率(12.3%)的1/5左右。     

封接性聚酰亚胺研究进展

封接性聚酰亚胺是一类可以与自身或其他介质黏结,以形成大规模形态或复合结构的材料.聚酰亚胺通过封接发挥结构支撑、防护和功能特性赋予等作用.综述了聚酰亚胺封接性的实现方法、本征热封性聚酰亚胺,介绍了封接性聚酰亚胺在空间和电子等领域的应用,并对封接性聚酰亚胺未来的重点发展方向做了展望.聚酰亚胺封接性的实现方法包括表面辐照改性...     

精选硫酸渣球团试验研究

在试验室条件下进行了精选硫酸渣球团试验研究，结果表明，添加10％的超细钢渣，能有效改善硫酸渣精矿球团的成球性能，焙烧性能和冶金性能，成品球的各项指标能满足高炉冶炼要求，此外，还就添加超细钢渣后球团的成球及固结机理进行了探讨。     

微电子封装技术与聚合物封装材料篚发展趋势

近年来，我国集成电路产业发展迅猛，已成为国家经济发展的主要驱动力量之一。在构成集成电路产业的三大支柱（集成电路设计、集成电路制造和集成电路封装）之中，集成电路封装在推进我国集成电路产业快速发展过程中起到了重要的作用；多年来，我国集成电路封装的销售额在国家整个集成电路产业中一直占有70％的份额；从某种意义上讲，     

高性能聚酰亚胺材料的研究进展

聚酰亚胺材料具有许多其他高分子材料所不具备的优异性能,在航天、航空、空间技术领域具有重要的应用前景,本文主要报道中国科学院化学研究所近年来在聚酰亚胺材料领域的研究进展,主要包括(1)耐高温聚酰亚胺基体树脂及其复合材料;(2)耐高温聚酰亚胺超级工程塑料;(3)耐高温聚酰亚胺结构粘结剂等.     

适应无铅焊接的新型耐湿热环氧树脂的发展趋势

在12篇艾献的基础上综述了近年来国内外研究开发了可应用于无铅焊接工艺的新型耐湿热环氧树脂的最新研究进展状况，重点介绍了联苯型、苯酚一芳烷基型以及双酚F型等可应用于无铅焊接工艺中的新型环氧树脂。     

聚酰亚胺纳米复合薄膜的低温电气强度研究

介绍了在77K的低温条件下复合薄膜电气强度的测试方法，研究了聚酰亚胺／蒙脱土、聚酰亚胺／云母、聚酰亚胺／SiO2 3个系列的低温电气强度，分析了填料含量等因素对薄膜电气强度的影响。研究结果表明：前两个系列填料对电气强度的影响趋势相同，均存在最佳填料含量，聚酰亚胺／蒙脱土系列电气强度最佳可达215．77MV／m；而聚酰亚胺／SiO2系列，电气强度比纯PI薄膜略有下降，且含量较高时下降明显，但仍然可以满足应用的要求。     

微电子封装技术与聚合物封装材料的发展趋势

目前,全球集成电路封装技术已经进入第三次革命性的变革时期,为我国集成电路产业的发展提供了一次难得的发展机遇。我国集成电路封装材料的发展必须从我国国情出发,将发展重点集中在集成电路封装第三次技术变革所需的先进封装方面,包括BGA、CSP和MCM所需先进材料,兼顾发展目前我国仍量大面广的传统SMT封装PQFP和PSOP等所需的重要材料,同时还要考虑未来SiP和MCM等先进封装所需的关键性材料。     

环氧包封层对高压陶瓷电容器耐电压水平的影响研究

随着高压陶瓷电容器应用范围的不断扩大，环氧树脂包封层的质量问题变得越来越突出而日益受到广泛的关注。固化残余应力是高压陶瓷电容器产品耐电压合格率降低的主要原因之一，其与电机械力的联合作用造成陶瓷－环氧界面的劣化。本文就减少残余应力，改善高压陶瓷电容器耐电压水平的不同方法进行了深入研究，提出了退火、静置和提高填料量以及对包封层增韧等技术手段。     

正性光敏聚酰亚胺研究与应用进展（二）

正性光敏聚酰亚胺（p—PSPI）是一类重要的集成电路（IC）封装材料,广泛用于IC器件的应力缓冲、表面钝化以及层间绝缘。与传统的负性光敏聚酰亚胺（n-PSPI）相比,p-PSPI无论在光刻精度还是环境友好性方面均表现出了更为优良的品质。文章综述了国内外p-PSPI电子封装材料的最新研究与应用进展状况。系统阐述了p-PSPI的光化学机理。对目前商业化p-PSPI产品的特性、在微电子以及光电子领域的应用和未来发展趋势进行了介绍。最后对国内高性能p-PSPI电子材料的研发工作提出了建议。