Ce掺杂SnO_2材料结构和光学性质的研究

基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,用广义梯度近似(GGA)PBE交换相关泛函,研究稀土Ce掺杂的SnO2材料能带结构和光学性质,对纯SnO2和掺杂后的能带结构、态密度以及光学性质进行了分析对比。结果表明,掺杂后材料均属直接跃迁半导体,Ce的4f轨道进入导带使导带底向低能端移动,禁带宽度变小,吸收光谱与介电函数虚部谱线相对应,吸收谱发生红移,峰强减弱,各峰值与电子跃迁吸收有关。因此,本文可对接下来的实验研究有一定借鉴作用。