利用控制烧结曲线及其拓展预测ZrO2陶瓷烧结过程

将钇稳定氧化锆(3Y-PSZ)冷等静压素坯在原位测量仪中进行恒速无压烧结, 升温速率分别为2、5、8℃/min, 通过原位测量仪保存图像, 并用软件Image-Pro Plus 6.0对图像进行处理, 得到收缩数据, 建立氧化锆的控制烧结曲线(MSC), 成功计算出其烧结活化能Q为685.7 kJ/mol。并对控制烧结曲线进行扩展(EMSCE), 模拟出恒定加热速率下整个烧结过程中温度与相对密度的关系, 而不仅仅是预测最终密度。该研究提供了一种预测材料烧结制度的可能性, 确保了所选烧结时间和烧结温度的高精确度和可重复性。     

沉淀法制备纳米氧化铟粉末

为了开发适合工业化大规模生产超细且分散性好的In<,2>O<,3>粉体的方法,作者以金属铟、盐酸、氨水为原料,对化学沉淀法制备纳米氧化铟粉末的过程进行了研究.通过严格控制实验条件制备出了单相、分散性好、晶粒尺寸约为30nm,粒度分布范围窄的立方晶系纳米In<,2>O<,3>球形粉末.     

以氨化碱式氯化锌为前驱体制备花状多孔氧化锌

用化学沉淀法结合后续的煅烧工艺制备了三维花状多孔氧化锌.用XRD、FE-SEM、TG-DTA和BET对产物进行分析.沉淀法制得的前驱体为花状氨化碱式氯化锌(Zn5(OH)8Cl2·xH2O·yNH3,记为ZHC-NH3),ZHC-NH3是氨分子插入到碱式氯化锌(Zn5(OH)8Cl2·H2O,记为ZHC)层状结构的层间所得的产物.通过水浴加热可以除去层间氨分子,得到ZHC纯相.ZHC-NH3前驱体花状结构的直径在80～ 150 μm之间,是由很多互相穿插的纳米片组成,纳米片的厚度为～ 100 nm,直径为～20 μm.ZHC-NH3经过煅烧,释放出H2O、NH3和HCl等挥发性气体,得到多孔的氧化锌.这些多孔氧化锌良好继承了ZHC-NH3前驱体的花状形貌.本文提出了ZHC-NH3向ZnO转变的可能的分解机制,也讨论了花状ZHC-NH3前驱体的合理的生长机理.     

稀土氧化物对SPS烧结AlN陶瓷电性能的影响

以AlN粉末为原料, 添加稀土氧化物(Sm₂O₃、Y₂O₃), 在氮气气氛下, 采用SPS烧结方法制备AlN陶瓷, 研究稀土氧化物的掺杂对AlN烧结试样相组成、微观结构和电性能的影响。实验表明: Sm₂O₃、Y₂O₃与Al₂O₃反应生成的液相稀土金属铝酸盐会提高AlN陶瓷致密度, 且在晶界处形成导电通路降低了AlN陶瓷电阻率。随着Sm₂O₃掺杂量的增加, 晶界相逐渐由Sm₄Al₂O₉过渡到SmAlO₃, 且Sm₄Al₂O₉对电阻率贡献最大。其中, 3wt% Sm₂O₃掺杂AlN陶瓷电阻率最低, 为      

基底温度对直流溅射Nb掺杂TiO2薄膜性能的影响

采用陶瓷靶直流磁控溅射,以玻璃为基底制备2.5wt%Nb掺杂TiO2薄膜,控制薄膜厚度在300~350 nm,研究了不同基底温度下所制得薄膜的结构、形貌和光学特性.XRD分析表明,基底温度为150℃、250℃和350℃时,薄膜分别为非晶态、锐钛矿(101)和金红石相(110)结构.基底温度250℃时,锐钛矿相薄膜的晶粒尺寸最大,约为32 nm.薄膜表面形貌的SEM分析显示,薄膜粗糙度和致密度随基底温度升高得到改善.薄膜的平均可见光透过率在基底温度为250℃以内约为70%,随基底温度升高至350℃,平均透过率下降为59%,金红石相的存在不利于可见光透过.Nb掺杂TiO2薄膜的光学带宽在3.68~3.78 eV之间变化.基底温度为250℃时,锐钛矿相薄膜的禁带宽度最大,为3.78 eV.     

氧化锌镓薄膜的制备技术和研究现状

介绍了制备GZO薄膜的各种方法,如磁控溅射法、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法、脉冲激光沉积法、喷雾热解法;阐述了这些方法的镀膜原理,并比较了各种工艺的优缺点。综述了GZO薄膜在单层膜领域、复合多层膜领域有机物基底上镀膜领域和薄膜后续退火处理领域的研究现状。提出了产业化过程中需要解决的问题:①制备高密度、高溅射稳定性和导电性优良的靶材;②完善现有镀膜工艺条件;③制备符合不同生产要求的薄膜。