煤泥粒度组成对浮选效果的影响

采取内蒙古乌海某选煤厂煤样,在小筛分试验基础上,采用方开泰的22水平5因素设计表对各粒度级配比煤样进行浮选试验。根据精煤产率、灰分、可燃体回收率、浮选完善指标对浮选效果进行评价,分析了不同粒度级对浮选效果的影响。运用偏最小二乘回归方程对精煤产率、精煤灰分进行建模,预测了最佳浮选效果时的煤泥粒度组成。     

采用磁控溅射法在Si(100)生长InN薄膜及其禁带宽度与拉曼的测试

本文采用磁控溅射法在Si(100)衬底上生长出高取向性和多种微观形貌的InN薄膜,其中铟作为铟靶,氮气作为氮源。x射线衍射(XRD)法和x射线光电子能谱(XPS)表明所有衍射峰和标准的纤锌矿晶型的InN一致,并且在 (101), (100)和(002)方向具有极高的取向度。扫描电子显微镜(SEM)和能带衍射谱表明,可以生长出高质量的不同微观结构的InN晶体薄膜,尤其是溅射功率为60W,溅射压强为0.4Pa时表现为标准的正六边形结构。在室温下并且激发波长为λ= 633的拉曼测试表明,可以通过E₂(High)峰计算出InN薄膜的应力,由于微观结构的不同导致应力值也不同,A₁(LO)峰值比较低是由于迁移率较高导致。紫外吸收测试可以计算出的能带宽度分别为1.07 eV,1.13 eV,1.32 eV。XRD、SEM、XPS、霍尔效应,紫外吸收和拉曼光谱证明生长出的不同微观结构的薄膜可以适应各种需求的传感器和其他设备。     

浅谈畲族传统文化现状与保护

畲族历史悠久,畲族人民在长期的历史发展进程中,创造了丰富多彩的独具民族特色的民间文化,但随着经济社会和现代化进程的加快,畲族传统文化已经受到严重冲击,许多畲族民间传统文化形式正面临着濒临消失的危机。本文针对当前保护和抢救畲族文化遗产中出现的问题,以一个乡镇、民族村的畲族文化现状调查分析和研究得以有效保护,提出畲族文化的传承和保护等重要策略,为弘扬民族优秀文化具有借鉴意义。     

关于加强农村文化队伍建设的发展与思考

长期以来,群众文化界往往把制约农村文化事业发展,影响农村群众文化工作开展的主要原因,归结为农村文化基础设施和资金投入两大问题,忽略了文化队伍的因素。     

溶胶-凝胶法制备(Sr,Pb)TiO3纳米晶粉及表征

采用溶胶－凝胶法成功地合成了（Sr,Pb)TiO3纳米晶粉，并利用FTIR技术对凝胶的形成过程及350℃，1．5h煅烧获得的粉体材料进行了表征。实验以TG－DSC分析作为拟定煅烧温度的依据，以XRD作为煅烧产物的分析手段，最佳煅烧温度为600℃，所合成的（Sr,Pb)TiO3纳米晶粉的平均晶粒尺寸约为21nm，属钙钛矿型立方顺电相结构。     

采用磁控溅射法在Si(100)生长InN薄膜及其禁带宽度与拉曼的测试（英文）

采用磁控溅射法在Si(100)衬底上生长出高取向性和多种微观形貌的InN薄膜,其中铟作为铟靶,氮气作为氮源。X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表明所有衍射峰和标准的纤锌矿晶型的InN一致,并且在(101),(100)和(002)方向具有极高的取向度。扫描电子显微镜(SEM)和能带衍射谱表明,在Si(100)衬底上可以生长出高质量的不同微观结构的InN晶体薄膜,尤其是溅射功率为60 W,溅射压强为0.4 Pa时表现为标准的正六边形结构。在室温下并且激发波长为λ=633的拉曼测试表明,可以通过E_2(High)峰计算出InN薄膜的应力,由于微观结构的不同导致应力值也不同,A1(LO)峰值比较低是由于迁移率较高导致。紫外吸收测试可以计算出的能带宽度分别为1.07,1.13,1.32 eV。XRD、SEM、XPS、霍尔效应、紫外吸收和拉曼光谱证明生长出的不同微观结构的薄膜可以适应各种需求的传感器和其他设备。     

麒麟OS环境下基于Qt的驱动程序学习系统

随着基础软件国产化的浪潮,麒麟操作系统已经应用于各个行业.本文基于Qt提供的强大的C++API框架,开发运行于国产麒麟OS (Operating System)上的内核驱动程序学习系统,弥补了麒麟OS环境下缺乏驱动程序学习软件的不足.主要研究内核中几百个驱动程序的执行流程, Linux内核驱动程序的一般体系结构、内核驱动程序的详细分类、驱动程序配置与调试技术以及应用程序、内核、硬件、驱动程序之间的关系等驱动程序学习机理.在实现过程中系统基于模块化设计思想,采用分层实现软件架构.具体实现网络请求、远程文件下载与上传、内核驱动程序一般架构、驱动程序详细分类、驱动程序学习机理、视频学习、具体驱动程序、系统设置(包括计算机系统信息和系统升级检测两个子模块)等8大模块.最后采用交叉编译方式,使其部署到X86、ARM、MIPS三种不同的架构平台的计算机上.     

低温生长SiC薄膜衬底碳化研究

讨论了在用热丝化学汽相沉积(HFCVD)法沿Si(111)晶面异质生长SiC薄膜的过程中衬底碳化工艺对SiC成膜的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射谱(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和俄歇电子能谱(AES)等分析手段,对衬底碳化进行研究。并对典型工艺条件(钨丝温度2 000℃,衬底温度800℃,衬底碳化时间5 min)下制备的样品的碳化层进行分析,得出其厚度约为20 nm,由富C的3C-SiC层,3C-SiC层和含C的Si层组成。     

气敏器件用SnO2薄膜材料

采用溶胶-凝胶法以SnCl