新型三维（3,3）碳纳米管聚合体

本文研究了单壁（3,3）碳纳米管束在高压下的结构演变过程。在静水压40 GPa下,（3,3）碳纳米管束会直接聚合形成一种新型六方三维碳纳米管聚合体（命名为六方3D-（3,3）碳）。卸除压力后,它能保持其结构不变,成为一种新型半导体性的超硬碳。该研究为压缩碳纳米管合成新型碳提供了理论依据。     

共价晶体硬度的微观理论

基于共价固体硬度正比于单位面积上每根化学键对压头的阻抗之和的假设．提出了估计极性共价固体硬度的微观理论。计算了新近合成的立方尖晶石结构Si3N4的理论硬度，计算值与最近报道的实验值吻合。最后．预测了高密度C3N4异构体的理论硬度。     

用SACP技术研究ELID磨削后的单晶硅片表面变质层

利用扫描电镜的选区电子通道花样技术研究了用ＥＬＩＤ磨削技术制作的两种单晶硅片磨削样品的表面变质层的厚度及其结构。结果表明，表面粗糙度依次为９．５ｎｍ和２２．５ｎｍ两种〈１１１〉单晶硅片样品的变质层厚度分别为２．８μｍ和４．８μｍ。     

合金元素铜和镍对铸铁短纤维烧结特性的影响

研究了1100℃烧结温度下合金元素铜、镍含量对铸铁短纤维烧结特性的影响规律,结果表明:与铁—铜粉末压坯相比,铸铁短纤维—铜压坯烧结后的最大膨胀率及相对应的铜含量均明显减少。产生膨胀的主要原因是铜熔化后,富铜液相向奥氏体中扩散,在原位留下空隙,而液相沿界面流动不明显。镍显著加快了铸铁短纤维烧结体的致密化。在镍含量高于4.5％时,显微组织中出现奥氏体相,在奥氏体与珠光体边界析出网状渗碳体,在奥氏体晶内析出魏氏碳化物及游离石墨,引起致密化速率下降,断裂方式由延性断裂转化为脆性断裂。     

合金元素Ni对铸铁短纤维烧结特性的影响

Ni 作为铁元素扩散的载体,显著加快了铸铁短纤维烧结体的致密化。当镍含量高于4.5%时,显微组织中发现了奥氏体,在奥氏体与珠光体边界析出断网状渗碳体,在奥氏体晶内析出魏氏碳化物及游离石墨,引起致密化速率下降,断裂方式由延性断裂转化为脆性断裂。     

热丝化学气相沉积法原位制备的MgB2超导薄膜

用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在蓝宝石基片上原位制备了MgB2超导薄膜,并用XRD、SEM和dc SQUIDs研究了基片温度和时间对薄膜相组成、表面形貌和超导临界转变温度Tc的影响.结果表明,HFCVD原位生长MgB2薄膜可以抑制MgO杂质的生成.基片温度在500℃以下,MgB4杂相容易出现;在500℃以上时,可以消除MgB4杂相;在600℃时,获得了纯单相的MgB2薄膜,其超导临界转变温度达到36 K.随基片温度升高,薄膜结晶性、致密度和超导临界转变温度提高.     

乱层石墨结构B_2CN新材料的合成

采用三聚氰胺与硼酸制备含有 H、O的 B- C- N前驱物粉末 ,在氮气保护下进行高温处理去除 H和 O后得到三元 B- C- N化合物。用 X射线衍射 ( XRD)和 X射线光电子谱 ( XPS)研究了 B- C- N化合物的结构和特性。结果表明 ,前驱物在高温处理过程中产生大量挥发物 ,当处理温度高于 1 60 0℃时 ,得到成分为 B0 .54 C0 .2 8N0 .18的具有乱层石墨结构的纯 B- C- N化合物     

高温超导DC—SQUID平面式梯度计

在10×10mm     

高温高压合成热电材料AgPb_(18)SbTe_(20)的电学性能

采用高温高压方法制备了热电材料Ag0.8Pb18SbTe20,测试发现样品具有微米级晶粒和单相的NaCl结构。高压合成的Ag0.8Pb18SbTe20样品为N型半导体,电阻率和Seebeck系数的绝对值随温度的升高而增大。同其它方法制备的AgPb18SbTe20体系材料相比,高温高压方法制备的样品具有较低的电阻率。较低的电阻率导致了较大的功率因子(S2σmax≈17.2μW/cm-1K-2,T≈585K)。