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拟线性迭代函数方程的解析解 总被引:1,自引:0,他引:1
研究讨论关于拟线性迭代甬数方程λ1(f(z))f(z)+λ2(f(z))f^2(z)+…+λn(f(z))f^n(z)=F(z)解析式的存在唯一性。通过Schroder变换,以上迭代方程能被转化为一个不含有未知函数迭代的辅助函数方程。因此通过有限阶非线性函数方程系的已知结果可以得到关于拟线性迭代函数方程的解析解。 相似文献
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介绍了玻璃幕墙所具有的诸如控光功能、单向可视作用、镜面效应、采暖作用等优点及存在的诸如安全、光污染、节能及通风等方面的问题,提出了从玻璃的性能、安全性可靠度、幕墙构造技术、新型玻璃材料的开发以及通过注重自然、气候、人文、地理环境等条件改进措施,供有关建筑设计人员参考。 相似文献
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汇率政策信誉是公众对政府不会为了追求由放弃政策承诺所产生的短期利益而偏离汇率目标的信任程度,汇率政策信誉的程度会直接影响一个国家反通货膨胀政策的效果,政策信誉系数θ可以作为定量指标刻画汇率政策信誉。基于Barro在1986年建立的模型,以及2004-2008年期间人民币汇率数据的实证分析结果证明:自2005年人民币汇率制度调整为有管理的浮动汇率制以来,由于汇率迅速变化,汇率政策的信誉近年来略有下降;但因为2008年之后汇率基本保持稳定,故汇率政策的信誉有所回升,公众对中国的稳定汇率的政策仍抱有一定程度的信心。 相似文献
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在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在大于 4V反偏电压下发射了来自 Er3+的 1 .5 4μm波长的红外光。测量了由 Si O2 :Er/n+ -Si样品和 Six O2 :Er/n+ -Si样品分别制成的两种 LED,其 Er3+1 .5 4μm波长的电致发光峰强度 ,后者明显比前者强。还发现电致发光强度与 Si O2 :Er/n+ -Si样品和 Six O2 :Er/n+ -Si样品的退火温度有一定依赖关系 相似文献
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目的 为了使轮毂形态设计的过程更加简洁和直观。方法 以五辐轮毂为例,基于产品象元理论中的象元运算法则,运用参数化建模等相关方法和技术,首先,根据轮毂象元的运算法则,对轮毂的合成象元库进行扩充,构建出较为完善的轮毂产品象元库;然后,基于象元库和轮辐形态的变换种类,实现新的轮毂形态的设计目标;最后,运用该设计方法进行轮毂形态设计,证实该方法具有可行性。结果 研究了一种简化有效的轮毂形态的创新设计方法。结论 运用象元理论,以一种模块化的方式实现轮毂产品新形态的生成,对于提高轮毂产品设计效率、开辟形态设计新方法具有一定的参考价值及借鉴意义。 相似文献
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目的 探讨那格列奈联合甘精胰岛素对老年2型糖尿病病人的疗效及安全性.方法 血糖控制欠佳的年龄70a的老年2型糖尿病病人60例,分成2组.试验组30例,男性23例,女性7例,年龄(77±11)a,予那格列奈加甘精胰岛素注射液治疗.对照组30例,男性24例,女性6例,年龄(78±10)a,予精蛋白锌重组人胰岛素混合注射液治疗.疗程均swk,测定治疗前后空腹血糖,餐后Zh血糖、糖化血红蛋白的变化并观察不良反应的发生率.结果 治疗后试验组与对照组空腹血糖分别下降(1.8±1.2)和(1.8±1.3)mmol·L-1,餐后2h血糖分别下降(3.9±1.2)和(3.8±1.2)mmol·L-1,糖化血红蛋白下降(1.2±0.9)%和(1.2±1.0)%,与治疗前比较差异有非常显著意义(P<0.01),2组间比较无显著差异(P>0.05).试验组发生低血搪5例,明显低于对照组19例.结论 在老年2型糖尿病病人中那格列奈联合甘精胰岛素治疗降血糖效果好,使用简单、方便,低血糖发生率低、安全性好. 相似文献
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本文介绍的是一种不需用光敏元件来接收信号的激光全息模拟胸环靶,该靶在制作过程中采用了十三种不同的光路对全息底片进行数字和箭头信息的曝光记录,这样制作的激光全息靶为激光模拟射击训提供了新的、低成本的训练方法。 相似文献
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用磁控溅射法在n+-Si衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(SiO2∶Si∶Er)薄膜,并制备了Au/SiO2∶Si∶Er/n+-Si发光二极管,观测到这种发光二极管的1.54μm电致发光强度是在掺铒二氧化硅薄膜上以同样方法制备的Au/SiO2∶Er/n+-Si发光二极管的8倍.在n+-Si衬底上淀积了纳米(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)三明治结构,其硅层厚度以0.2 nm为间隔从1.0nm变化到4.0nm.在室温下观察到了Au/纳米(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)/n+-Si发光二极管的电致发光,其电致发光谱可分解成峰位和半高宽都固定的3个高斯峰,峰位分别为0.757eV(1.64μm)、0.806eV(1.54μm)和0.860eV(1.44μm),半高宽分别为0.052、0.045和0.055eV,其中1.54μm峰来源于Er3+发光.当硅层厚度为1.6nm时,3个峰的强度都达到最大,分别是没有硅层的Au/SiO2∶Er/n+-Si发光二极管相应3个峰的22、7.9和6.7倍. 相似文献