新型Al_2O_3/BCB多层薄膜复合介质材料的传输线损耗特性

本文结合功能材料Al2O3和BCB(苯并环丁烯树脂)的特点,创新性地提出了Si/Al2O3/BCB多层薄膜复合结构的衬底,利用Al2O3高介电常数的优点和BCB薄膜工艺制备厚度的灵活性实现了低传输损耗。本研究采用与CMOS相兼容的半导体制造工艺在三种不同衬底(Si、Si/BCB和Si/Al2O3/BCB)上制作了CPW结构的传输线,通过仿真、测量、比较和分析其传输损耗特性得出Si/Al2O3/BCB多层薄膜复合结构衬底有效地降低了普通硅衬底的高频损耗(20GHz时CPW传输线的损耗为1.18dB/mm),实现了微波毫米波电路低损耗传输线,具有广泛的应用前景。     

稀土贮氢合金表面特性的改善

用EDTA二钠对AB5型贮氢合金进行了表面处理。结果表明,该处理对合金的最大放电容量和大电流放电能力没有明显的影响,但是处理后贮氢合金电极的1C放电电位较未处理合金电极负约14mV,而充电电位比未处理合金低约17mV。这有利于提高MH－Ni电池的放电电压和降低充电电压。ICP－AES分析结果表明,处理液中含有合金金属的离子。XPS实验表明,处理后的合金表面有较低的氧含量。     

铝及其合金的氧化着色

实验证明,欲获得优质铝及铝合金的氧化着色膜,必须严格控制阳极氧化时的温度、时间和电流密度,并分析了杂质对膜层着色的影响.     

垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究

在国产三温区VGF单晶炉上，研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术。讨论了引晶、坩埚设计与质量、PBN坩埚的剥落、B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响，基本解决了VGF的工艺问题。通过多炉生长，得到了Φ2″=VGF非掺半绝缘低位错全单晶。     

非掺半绝缘GaAs单晶的垂直梯度凝固生长

研究了非掺ＧａＡｓ半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法（ＶＧＦ）生长技术,解决了Ｓｉ沾污和Ｃ浓度的控制问题,得到了直径２英寸非掺半绝缘低位错单晶。测试表明：该单晶的位错密度较ＬＥＣ单晶下降近一个数量级,电学参数与ＬＥＣ单晶类似,接近国个ＶＧＦ单晶的的参数指标。     

半绝缘砷化镓晶体的制备及性能

一、引言 半绝缘砷化镓晶体是砷化镓场效应晶体管(FET)的衬底材料,它的质量直接影响FET器件的性能,特别是该器件采用离子注入工艺,衬底材料与器件的关系更为密切。实验证明,不论作为外延衬底还是离子注入衬底,材料的热稳定性和均匀性是影响FET器件的主要因素之一,特别是热稳定性的影响更大。为满足FET器件的要求,我们采用了控制掺杂剂,改变掺杂量以及避免晶体生长过程中的沾污,研制了热稳定性,均匀性较好的半绝缘晶体材料。     

高温退火时化学计量比偏离对GaAs晶体气固相平衡的影响

本文利用Ｗｅｎｚｌ的ＧａＡｓ缺陷模型研究了在Ｔ＝１１５０℃时,Ｇａ１－ｘＡｓｘ固溶体化学计量比偏离度（Ｓ＝１－２ｘ）对ＧａＡｓ晶体气固相平衡的影响．计算表明平衡Ａｓ压在晶体富Ａｓ情况下（即Ｓ＜０）随Ｓ的减小,迅速增加、而在富Ｇａ情况下（即Ｓ＞０）随Ｓ的增大趋于零．为了了解杂质对相平衡的影响,本文考虑了非掺ＬＥＣ晶体中两种浓度较高的杂质Ｃ和Ｂ,发现在Ｃ浓度为１．５４×１０１６ｃｍ－３时,平衡Ａｓ压的变化趋势基本不变,Ａｓ压只有少许增加．在Ｂ浓度为２．２×１０１７ｃｍ－３时,平衡Ａｓ压在富Ａｓ侧有较大降低．