In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的热力学分析

本文采用独立组元法对In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的平衡状态作了热力学计算和分析,所得结果对认识该体系外延生长的规律性及改进工艺条件有一定参考价值.     

SiH_4-SiCl_4-H_2、SiH_4-HCl-H_2混合硅源CVD法生长硅晶体的热力学研究

本文从热力学角度,通过计算机计算,研究了SiH_4—SiCl_4—H_2及SiH_4—IICl—H_2混合硅源气相生长硅晶体体系的平衡状态。给出了不同配比的混合硅源沉积硅的产率和产率随温度、压力等控制参数变化的图解。根据准平衡理论计算了混合源体系中硅的沉积速率,计算结果与有关实验数据具有一致性。我们还进一步提出了一系列有关混合硅源生长硅晶体工艺的参考意见。     

Co_xFe_3－xO_4纳米晶的磁性与组成关系

各种组成的Ｃｏ＿ｘＦｅ＿３－ｘＯ＿４纳米晶是通过作者改进的化学共沉淀法制备的￣［１］。考察了系列组成Ｃｏ＿ｚＦｅ＿３－ｘＯ＿４样品的穆斯堡尔效应，推算出晶体中阳离子分布与饱和磁矩同Ｃｏ（Ⅱ）含量的关系。     

纳米晶PLT薄膜的合成与表征

纳木材料的制备技术结合Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺在（１００）单晶硅上制备了粒径在２０～８０ｎｍ的多晶ＰＬＴ（Ｐｂ＿（１－ｘ）Ｌａ＿ｘＴｉＯ＿３）纳采晶膜，并用ＩＲ、ＴＧＡ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等对膜的制备过程及结果进行了研究。结果表明，所制各的ＰＬＴ纳米晶膜属多晶钙钦矿结构，薄膜表面平整致密，厚度均匀，约为１μ，颗粒为球形或椭球形，粒度呈对称分布。     

纳米TiO2的制备,表征及光催化性能的研究

采用硬脂酸凝胶（SAG）法制备了TiO2纳米材料,用差热分析,热重分析,X射线衍射对合成过程进行了研究。用X射线光电子能谱（XPS）对其表面状态进行了分行。TiO2纳米材料对甲基橙溶液光催化降解结果表明：催化剂浓度、初始溶液pH值和金属离子对降解效率有较大影响。     

柠檬酸盐法合成的纳米晶La_0.7Sr_0.3FeO_3材料酒敏特性研究

用柠檬酸盐法合成了纳米晶Ｌａ０．７Ｓｒ０．３ＦｅＯ３材料，平均粒度在１０ｎｍ左右。检测了用该材料制成的气敏元件的酒敏特性，发现其不仅灵敏度高，抗干扰性强，响应速度快而且具有相当好的电阻值稳定性以及与之相关的测量准确性和稳定性。     

SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的热力学分析

本文采用热力学计算方法对引起SiCl_4外延生长硅晶体中碳沾污的三个来源作了较详细的分析.所得结果对外延硅中SiC沾污问题的认识,外延工艺和H_1、SiCl_4原材料制备及提纯工艺的改进将有一定的参考意义.     

纳米晶La_(1-x)Sr_xFeO_3薄膜的制备与表征

采用Sol－gel工艺在石英玻璃和硅衬底上成功地制备了纳米晶La1-xSrxFeO3（x=0～0．4）系列薄膜，薄膜为钙钛矿结构，平均粒度在30nm左右。XPS结果表明，随着Sr含量的增大薄膜表面吸附氧含量增大。     

LaFeO_3 栅膜 FET 气体传感器的研究

本文采用溶胶－凝胶技术制备ＬａＰｅＯ３纳米晶薄膜，并摸索出该薄膜的光刻方法，将这一成膜技术与集成电路平面工艺相结合，首次研制出了纳米晶薄膜作为栅极的场效应晶体管气体传感器，它对乙醇具有较高的灵敏度和良好的选择性．     

多晶硅中碳化物及其来源的研究

本文用电子探针等手段分析了多晶硅中的碳化物.结果表明:采用不同工艺制备的多晶硅中都含有SiC微颗粒,它们在多晶硅棒中呈随机分布,最大面密度达10~3个/cm~2,颗粒尺寸最大可达70μm,元素分析结果表明其组成符合SiC的计量比.根据国内常用的制备多晶硅的方法,从理论上分析了SiC沾污的原因,并讨论了减少这种沾污的可能途径.