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有机发光器件的一种失效机制 总被引:4,自引:1,他引:3
制备了结构为铟锡氧化物(ITO)/NPB/插入层/Alq/LiF/Al的有机电致发光(EL)器件,测量了器件发光随电压变化的光谱和电压-电流-亮度特性,观察到这种结构器件在电压升高的过程中总是在某电压附近有一个光谱、亮度和效率等性能突变的不可逆过程,这是由于在发光区域附近的纳米薄层材料将导致电荷在该区域的局部聚集,并引起该薄层材料局部破坏。这一失效的机制表明,尽管在器件制备过程中可能需要在器件中使用几纳米厚的有机层,但是应当考虑尽量避免,以使器件内载流子分布合理,避免此类失效过程发生。 相似文献
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用溶液法制备了CuTCNQ纳米线。用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表征了样品的结构及形貌,用拉曼光谱(Raman)研究了CuTC-NQ纳米线的电荷转移情况。研究了其不同温度下的电学特性。CuTCNQ纳米线的长度为1~8μm,直径50~300nm。XRD结果显示制备得到的CuTCNQ为Ⅰ相。研究表明,在外加电场作用下,单根CuTCNQ纳米线表现出可逆的电开关特性,阻态转变前后其电阻的变化达3个数量级。高低阻态转变电场阈值约为1.8V/μm。另外,CuTCNQ纳米线的电阻随着温度的降低而增大,当温度低于临界值160K时,低阻态的CuTCNQ纳米线将出现负阻效应。 相似文献
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ZnO/TiO_2复合纳米材料的制备及其在染料敏化太阳电池中的运用 总被引:2,自引:0,他引:2
本文在长有ZnO纳米粒子作为"种子层"的FTO基底上用水热合成法制备了取向高度一致的ZnO纳米线阵列,用TiCl4的异丙醇溶液在ZnO纳米线阵列的表面生长了纳米结构的TiO2。利用扫描电子显微镜、能量散射谱、X射线衍射分别表征纳米材料的形貌和结构,用Raman光谱研究了材料的晶格结构特性。染料敏化太阳电池的性能测试表明,与纯ZnO作为光阳极相比,ZnO/TiO2复合纳米材料作为光阳极的器件,开路电压和填充因子都得到了提高。 相似文献
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