直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱

用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积C轴择优取向的ZnO晶体薄膜,薄膜呈柱状结构,柱状晶直径约为100nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶,而晶界处存在较大的应力．ZnO薄膜在He-Cd激光器激发下有较强的紫外光发射,晶界应力引起ZnO禁带宽度向长波方向移动,提高衬底温度有利于降低晶界应力和抑制深能级的绿光发射．     

直流磁控溅射ZnO薄膜的结构和室温PL谱

用直流反应磁控溅射法在硅衬底上沉积 C轴择优取向的 Zn O晶体薄膜 ,薄膜呈柱状结构 ,柱状晶直径约为10 0 nm,晶柱内为结晶性能完整的单晶 ,而晶界处存在较大的应力 .Zn O薄膜在 He- Cd激光器激发下有较强的紫外光发射 ,晶界应力引起 Zn O禁带宽度向长波方向移动 ,提高衬底温度有利于降低晶界应力和抑制深能级的绿光发射 .     

直流反应磁控溅射生长p型ZnO薄膜及其特性的研究

本文报道了利用直流反应磁控技术生长p型ZnO薄膜。ZnO薄膜在不同的衬底温度沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,生长气氛为NH3 O2 中。利用X射线衍射、Hall试验和透射光谱对其性能进行研究 ,结果表明 ,ZnO薄膜为高度c轴取向 ,在 5 0 0℃的衬底温度下具有很好的结晶性能 ,而且 ,该温度下ZnO还实现了p型转变 ,电阻率为 10 3 Ω·cm ,载流子浓度 10 15cm-3 ,Hall迁移率 3 4cm2 / (V·s)。这是利用溅射技术首次制备出p ZnO薄膜。实验还表明p ZnO薄膜在可见光区域具有 90 %的高透射率 ,室温下光学带宽约为 3 2 1eV。     

ZnO光电导紫外探测器的制备和特性研究

以Si(111)衬底,用脉冲激光沉积(PLD)法制得C轴高度择优取向的ZnO薄膜,并利用剥离技术制备了ZnO光导型紫外探测器.Al叉指状电极是由平面磁控溅射技术沉积得到的.对Al/ZnO/Al的伏安特性和紫外光响应的研究表明,金属铝和ZnO能形成很好的欧姆接触,紫外探测器的电阻值在100KΩ左右.在紫外区域,其5V偏压下的光响应度为0.5A/W.     

反应磁控溅射ZnO薄膜的高温退火研究

ZnO薄膜是一种新型的II VI族直接能带化合物半导体材料 ,有可能实现短波长的探测器 ,LED和LD等光电子器件。用磁控溅射法在硅衬底上生长ZnO薄膜 ,由于薄膜与衬底之间较大的应力失配 ,以及由于较快的生长速率 ,薄膜中存在较多的Zn间隙原子和O空位 ,在薄膜中存在应力。通过高温退火 ,可以使应力得到弛豫 ,降低O空位和Zn间隙原子的浓度 ,提高薄膜的化学计量比和改善薄膜的结晶质量。本实验用XRD和AFM研究了高温退火对ZnO薄膜的晶体性能和表面的影响。对ZnO薄膜在退火处理后c轴方向的应力性质的转变作了机理上的探讨。     

ZnO薄膜的掺杂和转型的研究进展

本征的 Zn O为高阻材料 ,电阻率高达 1 0 12 Ω· cm,如何对 Zn O进行掺杂 ,精确控制其电学性能 ,制备高质量的 n型和 p型材料是实现 Zn O应用的关键。目前 ,研究表明通过掺杂 ,n型 Zn O的制备已经能够精确控制 ,但由于 Zn O中存在的缺陷 ,如氧空位和锌间隙原子 ,Zn O天然呈 n型 ,p型的制备还有一定难度 ,本文报道了这方面研究的最新进展     

ZnO薄膜的研究与开发应用进展

ZnO是一种新型的Ⅱ－Ⅵ族半导体材料。该文介绍了ZnO薄膜的晶格、光学以及电学特性，对其生长技术和开发应用等方面的进展也作了综述，并展望了ZnO薄膜的发展前景。     

反应磁控溅射ZnO薄膜的高温退火研究

ZnO薄膜是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族直接能带化合物半导体材料，有可能实现短波长的探测器，LED和LD等光电子器件，用磁控溅射法在硅衬底上生长ZnO薄膜,，由于薄膜与衬底之间较大的应力失配，以及由于较快的生长速率，薄膜中存在较多的Zn间隙原子和O空位，在薄膜中存在应力。通过高温退火，可以使应力得到驰豫，降低O空位和Zn空隙原子的浓度，提高薄膜的化学计量比和改善薄膜的结晶质量，本实验用XRD和AFM研究了高温退火对ZnO薄膜的晶体性能和表面的影响。对ZnO薄膜在退火处理后c轴方向的应力性质的转变作了机理上的探讨。