改善UHV／CVD外延生长环境提高GeSi／Si材料性能有效方法

本阐述了应用国产ＵＨＶ／ＣＶＤ设备处延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料碳、氧含同的原因,定量地分析了有害残余气体的成分,提出了改善处延生长环境提高ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料性能的有效方法。     

高压强下外延生长的差分RHEED原位监测

给出了能在较高压强下进行原位监控生长的差分ＲＨＥＥＤ系统的设计思想，结构２性能等，同时给出了ＬＭＢＥ技术中实际应用的结果，包括随着氧压强的增加衍射条纹所发生的变化。阐述了产生这一现象的原因，提出了需要进一步研究和改进的问题。     

具有RHEED在线监控功能的超高真空CVD系统及3＂硅片低温外延研究

本文报道了自己研制的一台超高真空化学汽相淀积（ＵＨＶ／ＣＶＤ）系统，本底真空达１e－７Ｐａ．该系统配有反射高能电子衍射仪，可对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控．利用该设备进行了硅低温外延实验，生长温度为７８０℃，得到了表面平整、缺陷密度低、界面杂质分布陡峭的薄外延层     

高压强下外延生长的差分RHEED原位监测

给出了能在较高压强（10（-1）Pa）下进行原位监控生长的差分RHEED系统的设计思想、结构性能等，同时给出了在LMBE技术中实际应用的结果，包括随着氧压强的增加衍射条纹所发生的变化。阐述了产生这一现象的原因，提出了需要进一步研究和改进的问题。     

7-醚基香豆素衍生物的合成及抑菌活性研究

利用Peachmann缩合反应,合成了7-羟基-4,6-二甲基香豆素和7-羟基-4,8-二甲基香豆素。随后分别与取代苄氯反应,合成了23个7-苄醚基香豆素衍生物。所有化合物的结构经过1HNMR和高分辨质谱进行表征。初步生物活性实验结果表明,在质量浓度为100 mg/L时,化合物7-(4-氟苄氧基)-4,6-二甲基-2H-苯并吡喃-2-酮、4,6-二甲基-7-(2-甲苄氧基)-2H-吡喃-2-酮、7-(4-甲氧苄氧基)-4,6-二甲基-2H-吡喃-2-酮、7-(4-氟苄氧基)-4,8-二甲基-2H-吡喃-2-酮、7-(4-甲氧苄氧基)-4,8-二甲基-2H-吡喃-2-酮对芒果蒂腐病菌(Botryodiplodia Theobromae Pat.)抑制率达70%以上;化合物7-(3-氯苄氧基)-4,8-二甲基-2H-吡喃-2-酮显示出广谱抑菌活性。     

UHV／CVD设备及其特性

本文描述超高真空化学气相淀积系统（ＵＨＶ／ＣＶＤ）的设计思想、系统的结构和性能，着重介绍超高真空的获得和系统的特点，将为“第二代硅”ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结材料的生长及未来的光电子集成提供有力的工具。     

高功率密度同步辐射前端区安全防护系统的结构与配置

第三代同步辐射光源，尤其是由波荡器引出的同步辐射光，具有极高的功率密度。本文介绍了高功率密度同步辐射带来的热辐射问题并探讨了在前端区解决该问题的方法与结构。     

用于超高真空的磁力耦合传动元件工作特性的研究

本文介绍了用于超高真空设备中的磁力耦合传动元件的工作原理与结构，以及与普通磁力传动的差别。利用集总参数法建立了磁路参数计算的数学模型和公式，并得出传动力和力矩的计算公式。针对一种实用元件画出其工作特性曲线。这些内容是指导磁力传动元件优化设计和合理选用的理论其础。