美国雪佛龙公司承包商HSE管理的经验与启示

通过对美国雪佛龙公司担任作业者的川东北天然气项目承包商HSE管理模式的调查研究,分析雪佛龙公司在川东北天然气项目中对承包商HSE管理的主要做法,包括资质预审、承包商选择、作业前风险评估、承包商培训、作业过程监督、承包商评价、承包商审计、承包商正向激励等。在此基础上,针对国内石油石化行业承包商HSE管理中的难点问题提出建立完善多元化承包商选择机制、内部承包商绩效评价机制、承包商管理人员培养机制、承包商管理工作标准及程序、承包商管理信息化系统等对策措施。     

基于遗传算法的城市空间生长模型研究

城市空间增长影响因素的多样和动态性使城市的空间生长在不确定中不断寻找平衡点,遗传算法思想正好从不同方面反映了这种城市空间增长的动态性理念。通过对空间增长适宜度的量化研究,试图找出通过遗传算法量化计算获得不同发展目标下的多种城市空间增长方案的方法和策略,并对该方法面临的实际问题及改进的思路进行了分析和探讨。     

石油化工蒸汽系统顶层分析研究与应用

介绍石油化工蒸汽系统顶层分析，并通过实例分析阐明，在顶层分析的指导下进行蒸汽系统优化可以给工厂带来可观的经济效益。     

三维数字模型在建筑设计中的应用

以三维形式的思维方式为理论依托,提出三维数字模型作为另一种思维载体而应用在建筑设计中;并阐述三维数字模型的特殊优势,在建筑设计中的具体应用以及其应用对设计思维方式的改变.     

改善UHV／CVD外延生长环境提高GeSi／Si材料性能有效方法

本阐述了应用国产ＵＨＶ／ＣＶＤ设备处延生长的ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料碳、氧含同的原因,定量地分析了有害残余气体的成分,提出了改善处延生长环境提高ＧｅＳｉ／Ｓｉ材料性能的有效方法。     

一种支持大规模多种精度地形的实时绘制算法

为加强大规模地形数据的表现能力,通常采用地形叠加或地形编辑等方法在局部地形数据上构建更高精度的细节模型.因而如何将大规模地形数据与具有高精度的细节数据进行实时融合与绘制成为一个迫切需要解决的问题.基于Geometry Clipmap方法对这一问题开展研究,给出了一种支持大规模多种精度地形的实时绘制算法.在预处理阶段,对大规模地形数据采用clipmap结构进行组织,对细节数据使用mipmap结构进行组织;在运行阶段,重点针对clipmap更新所引起的不同种精度数据间特有的"F"形空洞进行分析和处理,使用过渡带结构对空洞区域进行修补,并对修补后的顶点进行了平滑处理.实验结果表明,该方法有效解决了"F"形空洞并支持大规模地形及细节数据的实时绘制.     

高等级公路路侧景观对交通安全影响的综合评价方法

利用加权算术平均的方法将专家咨询和模糊一致矩阵评价方法相结合,建立了高等级公路全线路侧景观对交通安全影响的综合评价模型。通过对吉林省“安二”公路的实证研究,验证了本方法的可行性和有效性。     

UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

利用 Si H4 和 Ge H4 作为源气体 ,对 UHV/CVD生长 Si1- x Gex/Si外延层的表面反应机理进行了研究 ,通过 TPD、RHEED等实验观察了 Si( 1 0 0 )表面 Si H4 的饱和吸附、热脱附过程 ,得出 Si H4 的分解应该是每个 Si H4 分子的 4个 H原子全部都吸附到了 Si表面 ,Si H4 的吸附率正比于表面空位的 4次方 ,并分析了 Ge H4 的表面吸附机制 .在此基础上建立了 UHV/CVD生长Si1- x Gex/Si的表面反应动力学模型 ,利用模型对实验结果进行了模拟 ,二者符合得很好     

UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学

利用SiH4和GeH4作为源气体,对UHV/CVD生长Si1-xGex/Si外延层的表面反应机理进行了研究,通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH4的饱和吸附、热脱附过程,得出SiH4的分解应该是每个SiH4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面,SiH4的吸附率正比于表面空位的4次方,并分析了GeH4的表面吸附机制.在此基础上建立了UHV/CVD生长Si1-xGex/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟,二者符合得很好.     

用固相外延方法制备Si1-x-yGexCy三元材料

分析了Si1-x-yGexCy三元系材料外延生长的特点,指出原子性质上的巨大差异使Si1-x-yGexCy材料的制备比较困难.固相外延生长是制备Si1-x-y的有效方法,但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择.通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的选择与外延层结晶质量的关系.指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量,而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应,影响以后的再结晶过程.采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷,而二次外延退火存在着一个最佳退火温区.在此基础上优化得出了固相外延方法制备Si1-x-yGexCy/Si材料的最佳条件.