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本研究采用金属掺杂的方式调控氧空位导电细丝的电子结构以获得更好的器件性能.计算了HfO2体系中四组氧空位的形成能,得到VO4-VO23-VO34-VO46最易形成的氧空位簇;分波电荷态密度进一步表明在[010]晶向上电荷聚集形成导电通道.另外,研究了Ag、Mg、Ni、Cu、Al、Ta、Ti掺杂对该缺陷体系电子结构的影响,显示Ni与其它金属相比,在共缺陷体系中最易形成,体系最稳定;VO-Ni共缺陷体系中导电细丝最均匀,最高等势面值最大,证明导电细丝最易形成;VO-Ni之间相互作用能为-2.335 eV,表明缺陷相互吸引;金属Ni具有很强的局域电子能力. 相似文献
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鲁世斌 《数字社区&智能家居》2005,(7):56-58
API函数介于操作系统核心和Windows应用程序之间,能够直接控制和处理计算机的系统参数和硬件资源,实现许多高级功能。通过具体实例,阐述了在VB中调用API函数的方法。 相似文献
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基于VB的Windows API函数应用 总被引:1,自引:0,他引:1
鲁世斌 《数字社区&智能家居》2005,(21)
API函数介于操作系统核心和Windows应用程序之间,能够直接控制和处理计算机的系统参数和硬件资源,实现许多高级功能。通过具体实例,阐述了在VB中调用API函数的方法。 相似文献
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本文在对传统CMOS带隙电压基准电路的分析上,综合一阶温度补偿,电流反馈和电阻二次分压的技术整个电路采用CHARTER 0.35um CMOS工艺实现,采用MentorGraphics的Eldo工具进行仿真,结果表明该电路具有低温度系数和高电源抑制比. 相似文献
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基于OrCAD/PSpice10.5的电子电路仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍利用OrCAD/PSpice10.5实现电子电路仿真的方法,并以具体电子电路为例,阐述了OrCAD/PSpicel0.5在电子电路中的应用.为电子电路的设计和开发提供一个新的平台。 相似文献
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基于OrCAD/PSpice10.5的电子电路仿真 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍利用OrCAD/PSpice10.5实现电子电路仿真的方法,并以具体电子电路为例,阐述了OrCAD/PSpice10.5在电子电路中的应用,为电子电路的设计和开发提供一个新的平台。 相似文献
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研究了氟(F)离子对硅化学机械抛光速率的促进作用。抛光结果显示,加入2.5%(质量比)的氟化钾(KF)到硅溶胶基碱性抛光液中能够使抛光速率提高57.7%。为了揭示其作用机理,通过测试硅在KF碱性溶液中的开路电位和极化曲线分析了电化学反应过程,其结果表明F离子不仅能够溶解硅钝化层还能增加极化电流,当KF浓度为2.5%(质量比),硅的腐蚀电流密度可达44.5μA/cm2。光电子能谱和接触角的进一步测试表明,F离子的加入减少了硅在碱性水溶液中的氧化物生成,并使得抛光后表面接触角达到93.2°,形成强疏水的表面。结合Pietsch提出的无F条件下硅在碱溶液中原子去除模型,分析了在有F条件下硅的抛光机理。这种机理可以给开发硅衬底高速抛光液提供解决思路。 相似文献
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