一种超低功耗5.8GHz双模前置分频器设计

基于目前流行的TSPC高速电路,利用TSMC90nm 1P9M 1.2V CMOS工艺设计了高速、低压、低功耗32/33双模前置分频器,其适用于WLAN IEEE802.11a通信标准。运用Mentor Graphics Eldo对该电路进行仿真,仿真结果显示,工作在5.8GHz时功耗仅0.8mW,电路最高的工作频率可达到6.25GHz。     

灰色预测PI主动队列管理拥塞控制策略

提出了一种新颖的基于隐含类型的GM模型的预测PI算法。利用预测队列误差而非瞬时采样值来决定路由器的丢包率。该方法致力于在响应速度与增益两者之间取得一个最佳的折中。仿真结果验证了该灰色预测PI主动队列管理策略的有效性。     

导线增强碳纤维复合材料耐候性能的研究

讨论了碳纤维复合芯使用环境中所受到的紫外线、酸性介质、水等环境因素对其性能的影响,表明碳纤维复合芯受环境影响较为严重,导致其表观颜色发生改变、纤维裸露、力学及耐热性能下降。通过在其表面涂覆一种防护涂层,能够有效地提高碳纤维复合芯的耐候性能,使其在架空导线中发挥更加安全可靠的承载作用。     

叠栅MOSFETs的结构设计与研究

通过分析设计,提出了一种新型结构的叠栅MOSFET,它的栅电容是由两个电容混联组成,所以它有较小的栅电容和显著的抑制短沟道效应的作用。模拟软件MEDICI仿真结果验证了理论分析的预言,从而表明该结构可用作射频领域。     

缺陷对RRAM材料阻变机理的影响

基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理和VASP仿真软件,分析了阻变随机存储器(RRAM)阻变效应的物理机制。对比计算了单斜晶相HfO2中Ag掺杂体系、氧空位缺陷体系和Ag及氧空位缺陷共掺杂复合缺陷体系的能带、态密度、分波电荷态密度面和形成能,结果表明在相同浓度下Ag掺杂体系能形成导电通道,而氧空位缺陷体系不能形成导电通道;共掺杂体系中其阻变机制以Ag传导为主,氧空位缺陷为辅,且其形成能变小,体系更加稳定。计算共掺杂体系的布居数和迁移势垒,得出在氧空位缺陷存在的前提下,Ag—O键长明显增加,Ag离子的迁移势垒变小,电化学性能增强。进一步计算了缺陷间的相互作用能,其值为负,表明缺陷间具有相互缔合作用,体系更加稳定。     

高精度3阶delta-sigma调制器的设计

本文设计了一个用在ADC(ADC)中的3阶8级量化的delta-sigma调制器(DSM)。该调制器的过采样率128,信号带宽32.8 kHz,分辨率16位。在设计噪声传输函数(NTF)时采用前馈方式实现极点和局部反馈实现零点,从而优化了输出信噪比,通过这些方法提高动态范围(DR),降低量化噪声。这个DSM的峰值信噪比可以达到145dB以上。最后本文给出了这个DSM的MATLAB仿真模型及仿真结果,在此模型基础上编写电路模块verilog程序及进行行为级建模。     

1.2V 6GHz 1.19mW 32/33前置分频器的设计

基于4/5双模SCL分频结构设计了一个高速、低压、低功耗的32/33双模前置分频器。该设计基于TSMC90nm1P9M CMOS工艺,利用Mentor Graphics Eldo工具仿真,结果表明该分频器最高工作频率达6GHz,在电源电压1.2V,输入6GHz情况下,功耗仅1.19mW。     

用于DVFS片上系统的全数字SARDLL设计

针对动态电压/频率调整系统芯片中时钟同步问题,设计一个具有宽工作频率范围和固定锁定周期的快速锁定全数字逐次逼近延时锁定环,采用改进的可复位数字控制延时线方法,在减小面积和提高最高工作频率的同时,有效地解决传统全数字逐次逼近延时锁定环的谐波锁定和零延时陷阱问题。整个延时锁定环采用 TSMC-65 nm CMOS工艺标准单元库实现,仿真结果表明,在典型工艺角和25℃情况下,工作频率范围为250 MHz~2 GHz,锁定时间为固定的18个输入时钟周期,当电源电压为1.2 V、输入时钟频率为2 GHz时,功耗为0.4 mW。     

基于51单片机的空气净化机的设计

介绍了基于51单片机的空气净化机的基本结构,以及各部分硬件功能。通过硬、软件两方面的设计,实现了该空气净化机。给出了系统硬件结构框图、软件流程图。该空气净化机具有功耗低、体积小、噪声低等优点。     

一种用于PLL的新型电荷泵结构

本文设计了一种适用于PLL的新型电荷泵电路,将MOS开关置于源极,抑制电荷共享和电荷注入,并且采用可调节共源共栅结构增大输出阻抗,用于抑制电流失配。同时该电路具有结构简单、功耗低、充放电速度快等特点。采用Charter 0．35μm CMOS工艺模型,Mentor Graphics公司的Eldo进行仿真,在电荷泵输出电压范围为0．5～2．8V内,充放电电流匹配良好。