基于供应链的企业库存管理及优化控制研究（上）

基于企业全面库存管理思想,对率存成本,库存控制、库存系统优化等管理经验与前人研究成果进行分析,借鉴先进企业的库存管理理念和方法,以大型制造企业为核心研究对象,在集供应商、制造商、经销商为一体的供应链作为研究框架的基础上,运用供应链系统理论作为研究方法,分析了本存管理现状,影响因素及产生原因,从优化生产管理、整合企业内部供应链和跨企业供应链的角度提出库存控制的相应对策,以实现全面的库存优化,提高经营效益。     

ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-Ⅲ-Ⅵ2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO:Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnO:Al)薄膜.运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO:Al薄膜的表面形貌的影响.实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS2),都会引起沉积ZnO:Al薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.     

基于供应链的企业库存成因及优化控制研究

库存改善首先要增强企业全员的成本管理意识,并从技术、管理、销售、绩效等方面进行改善;就库存管理而言,必须严格遵守先进先出、即时补货、分类管控、少量多次等原则。     

ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO∶Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-III-VI2基薄膜太阳电池上的应用，采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO∶Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温（200℃）制备了铝掺杂氧化锌（ZnO∶Al）薄膜. 运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO∶Al薄膜的表面形貌的影响. 实验发现，衬底材料中硫含量的增加（无论来自ZnS还是来自CuInS2) ，都会引起沉积ZnO∶Al薄膜结晶质量的提高，而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.     

一种X线探测器信号采集电路的设计

该文利用a-Si PIN结构X线平板探测器设计对应的信号采集电路,读出经由探测器阵列感测到的模拟信号并转化为数字信号供后续处理。用德州仪器成熟的商用芯片,经过电路设计、PCB制作实现硬件部分。控制代码使用VerilogHDL硬件描述语言编写,通过Modelsim软件仿真,最后利用Quartus II软件综合、布局布线,使用AlteraCycloneIV系列现场可编程门阵列(FPGA)实现信号输出从而控制信号采集电路的运行。最终实验与测试验证了电路的功能,成功获取X光的模拟和数字信号。验证了电路的功能,并为低剂量X光探测器信号的采集提供了一种设计参考。     

信息技术在建筑工程管理中的应用

随着科学技术的不断发展，社会逐渐步入信息化，计算机网络技术也在逐渐融入到社会生产的各个方面。根据目前我国利用计算机信息化的水平与国外发达国家相比已经相差不大，但是将信息技术很好的运用到建筑工程管理中与发达国家仍然存在着一定的差距。本文就是针对信息技术在建筑工程管理中应用的现状以及意义发现问题并解决问题。     

基于供应链的企业库存成因及优化控制研究（二）

基于企业全面库存的管理思想,对库存成本、库存控制、库存系统优化等管理经验与前人研究成果进行分析,借鉴先进企业的库存管理理念和方法,以大型制造企业为核心研究对象,在集供应商、制造商、经销商为一体的供应链作为研究框架的基础上,运用供应链系统理论作为研究方法,分析了库存管理现状、影响因素及产生原因,从优化生产管理、整合企业内部供应链和跨企业供应链的角度提出了库存控制的相应对策,以实现全面库存优化,提高经营效益.     

ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO:Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-Ⅲ-Ⅵ2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnOAl2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺杂氧化锌(ZnOAl)薄膜.运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnOAl薄膜的表面形貌的影响.实验发现,衬底材料中硫含量的增加(无论来自ZnS还是来自CuInS2),都会引起沉积ZnOAl薄膜结晶质量的提高,而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.     

氢化非晶硅薄膜的制备与工艺参数优化

采用间接型射频等离子体增强化学气相沉积方法,通过改变H₂/SiH₄气流量比、工艺功率和工艺压强,制备出了氢化非晶硅薄膜。研究了H₂/SiH₄气流量比、工艺功率以及工艺压强对非晶硅薄膜光学特性的影响。实验结果表明,该方法可以制备出氢化非晶硅薄膜,且通过改变实验条件,可以改变薄膜微观结构及成分;随着H₂/SiH₄气流量比的增加,SiH化合物含量增加,多氢化合物含量降低;适当增加射频功率,可以提高薄膜表面的均匀性,同时,功率的增加会使氢含量增加;此外,薄膜表面氢含量随工艺气压的降低而减小。