漏及衬底偏压对深亚微米工艺器件总剂量效应的影响

本文对采用0.18?m工艺制造的NMOS器件辐射总剂量效应进行了研究。对晶体管进行了不同剂量的₆₀Co辐射实验,同时测试了辐照前后晶体管电学参数随漏、衬底偏压的变化的规律。采用STI寄生晶体管模型来解释晶体管的关态漏电流及阈值电压漂移性质。3D器件仿真验证了模型的准确性。     

采用遗传算法的RMS设备布局设计及仿真

根据可重构制造系统车间设备布局的最小物流费用原则,建立车间的单行和多行设备布局的数学模型,针对设备布局属于NP完全问题,提出利用MATLAB遗传算法工具箱实现一个基本的设备布局模型的求解,降低了遗传算法对设备布局问题的求解难度。最后,给出一个六台设备的车间布局实例,采用Delmia/QUEST三维可视化仿真软件对求解的布局结果建立仿真模型,并进行仿真结果分析,为设备布局的改进提供决策依据。通过重建仿真模型,能够很好地解决设备布局问题。     

离子注入改性SOI材料总剂量辐射退火效应和机理研究

基于绝缘体上硅(SOI)的CMOS电路具有天然的抗单粒子优势,但绝缘埋层的存在使得其总剂量效应尤为突出和复杂。本文研究了利用离子注入改性SOI材料的总剂量辐射和退火效应、基于赝MOS技术的SOI材料辐射效应评估技术和离子注入改性提高SOI材料抗辐射性能的机理。实验结果表明,采用该技术制备的绝缘体上硅材料抗总剂量能力达到1Mrad(Si);离子注入改性SOI材料在经过室温和高温退火后,辐射导致的固定电荷和界面态可以完全恢复;离子注入和高温退火在二氧化硅薄膜中形成硅纳米团簇结构,从而引入深电子陷阱,补偿总剂量辐射引起的绝缘埋层中的空穴积累。     

纳米化学复合镀的开发及在PCB制造中的应用研究

化学镀表面处理技术使用范围很广,镀层均匀、装饰性好;在防护性能方面,能提高产品的耐蚀性和使用寿命;在功能性方面,能提高加工件的耐磨性和导电性、润滑性能等特殊功能,因而成为表面处理技术的一个重要部分。钠米化学复合镀是在化学镀液中加入纳米粒子,使其与化学镀层共沉积的工艺技术。文章主要研究在化学镀Ni-P中加入纳米颗粒,在基体表面沉积具有镀厚均匀、耐磨、耐腐蚀、可焊的纳米复合镀层,阐明镀液组成和工艺条件对沉积速率、镀液稳定性、镀层与基体的结合力的影响,获得钠米化学复合镀技术的工艺参数,并对纳米复合镀层的性能进行了研究。     

小焊盘电势差情况下化镍金漏镀问题改善

漏镀是化镍金(Electroless Nickel and Immersion Gold,ENIG)产线上常见的一种品质问题,经常出现在焊盘、标志(Mark)点、印制插头等部位.导致漏镀的原因主要有铜面污染、药水影响以及板件本身问题这几种.我们发现一种连接掩埋大铜面的小焊盘容易出现漏镀,业界关于这种情况的漏镀如何改善研...     

ENIPIG工艺介绍及其优点

介绍了一种镍钯金ENIPIG工艺,阐述了其工艺流程和优点。ENIPIG的钯层能有效防止金和镍相互迁移,高温后仍具有良好的键合和焊锡性能,能耐多次回流焊,且能做细小间距的板,适应于高密度HDI的要求。