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A solar-blind ultraviolet photodetector based on Ti-doped Ga2O3/Si p–n heterojunction is demonstrated for the first time. It is found that the heterojunction quality forming between Ga2O3 and Si becomes better after Ti incorporation in Ga2O3. The current–voltage and temporal response measurements show that the detector based on Ti-doped Ga2O3/Si p–n heterojunction has a responsivity of 0.382 A/W and a fast rise time of 73 ms as well, which are much better than those undoped Ga2O3/Si p–n heterojunction analogues.
相似文献Surface (0–5 cm) and subsurface soil samples (30–40 cm) were collected near CCA-treated utility poles and control soil samples away from CCA-treated utility poles were also collected. Water holding capacity, pH and mechanical properties of soil samples were determined for both depth levels.
Results showed that Cu, Cr and As concentration in soil samples taken from all three cities in 0–5 cm depth was higher than soil samples taken from 30–40 cm depth. Cu, Cr and As concentrations were much higher in soil samples taken from city of Rize 相似文献