2D12-T4铝合金薄壁管材晶间腐蚀工艺改进

针对2D12-T4薄壁管材在实际生产过程中晶间腐蚀深度控制难度大的问题,通过现场取样对晶间腐蚀形貌特征及形成机理进行了分析,研究了铸锭化学成分及均匀化工艺对晶间腐蚀的影响。结果表明,调整元素成分、优化铸锭均热工艺可以提高该合金的晶间腐蚀性能。     

显微疏松对7×××系合金厚板疲劳性能的影响

对疲劳不合格的7×××系合金厚板样品进行了断口、金相、扫描电镜和能谱分析,并对相应的铸锭样品进行追溯分析。结果表明,样品疲劳性能低是由于铸锭显微疏松引起的。     

1060铝合金阳极氧化料亮线缺陷的分析与控制

对在电解抛光后出现亮线条缺陷的1060铝合金化妆品瓶盖和还未加工的铝板样品进行电镜扫描和能谱分析。结果表明,亮线条缺陷是由含硼钛聚集团块组成。为了控制含硼钛聚集团块,可以通过选取组织优良的Al-5Ti-1B丝和选择合适的熔铸温度来实现,从而防止亮线条缺陷产生。     

10kV P沟道SiC IGBT终端结构优化设计与实现

提出采用五区多重场限环FRM-FLRs（five-region multistep field limiting rings）终端设计并流片,研制10 kV P沟道碳化硅绝缘栅双极晶体管 SiC IGBT（silicon carbide insulated gate bipolar transistor）终端。通过Silvaco TCAD软件仿真,对比研究传统等间距场限环ES-FLRs（equally spaced field limiting rings）终端和五区多重场限环终端对器件击穿特性的影响。仿真结果表明,五区多重场限环终端具有更均衡的近表面电场分布,减缓电场集中,优化空间电荷区横向扩展,且击穿电压可达到14.5 kV,而等间距场限环终端击穿电压仅为7.5 kV。同时,分别对五区多重场限环终端,以及采用此终端结构的P沟道SiC IGBT进行流片验证。测试结果表明,五区多重场限环终端可以实现12.2 kV的击穿电压;P沟道SiC IGBT的击穿电压达到10 kV时,漏电流小于300 nA,并且栅源电压为-20 V, 集电极正向电流为-10 A时,器件的正向导通压降为-8 V。     

镁合金表面化学镀Ni-P合金稳定剂优选试验研究

在合理选择化学镀Ni-P合金配方和工艺条件的基础上,采用对比实验研究了硫脲、Pb(AC)2、KIO3、KI、Bi(NO3)2几种稳定剂及其复合对镁合金化学镀Ni-P合金镀液及镀层性能的影响。研究发现:适合NiSO4体系镁合金化学镀的稳定剂为KI KIO3,采用复合稳定剂的镀液稳定性及镀层性能明显优于单一稳定剂,在优化的稳定剂及相应的工艺条件下,镀液的稳定性好,镀速高,镀层均匀、致密,孔隙率低,耐蚀性能优良。     

5083铝合金板材塌陷成因分析

为探究某厂多批次5083铝合金板材塌陷问题的形成原因，采用光学显微镜、扫描电镜等仪器观察了5083板材塌陷部位的断口形貌及显微组织，并借助光谱仪和能谱仪分析了该合金的化学成分和裂纹处的微区成分。结果表明：5083合金板材塌陷部位的固态氢含量明显偏高，板材存在较多尺寸不一的孔洞，铸锭中的较大气孔遗传至板材使其在后续轧制过程中出现了塌陷现象。