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1.
高熵材料是近年来出现的一种新型材料,具有高强度、高硬度、良好耐腐蚀和优异的高温组织稳定性等性能,在航空航天、高温以及先进核能等领域展现了广阔的应用前景,引起国际材料领域的广泛关注,相关研究也取得了很大进展。粉末冶金作为一种高性能金属基和陶瓷复合材料的先进制备技术,可以获得纳米晶和过饱和固溶体等亚稳材料,同时也可用于传统熔炼法较难制备的具有特殊结构和性能的材料,近些年来,粉末冶金技术在高熵材料制备中得到广泛应用。本文从高熵材料的应用理论出发,针对目前高熵材料粉体制备方法、块体成型以及粉末冶金制备的典型高熵材料三个方面予以综述,着重阐述了高熵材料的力学性能和其变形行为特点,同时展望了高熵材料的未来发展趋势。   相似文献   
2.
吴渊 《中国表面工程》2015,28(3):131-131
<正>高熵合金是一种新型的合金设计理念,这种合金一般含有5种或5种以上的合金元素,且每种元素含量都相同或者相似。高熵效应抑制了金属间化合物的出现,促使元素间相互混合,最终形成体心立方结构(BCC)或面心立方结构(FCC)等较为简单的结构。已有研究集中在相形成、相稳定性和高温、室温性能上,对高温下合金的再结晶行为和相稳定性却鲜有研究。基于此,北京科技大学的吕昭  相似文献   
3.
吕昭平教授,北京科技大学副校长、新金属材料国家重点实验室主任,国家杰出青年科学基金获得者,入选国家百千万人才工程,获得"有突出贡献中青年专家"及国家"万人计划"领军人才等称号。多年来,他不忘初心,牢记高校科研工作者科技创新的使命,坚持不懈地行走在新材料研究的前沿。在国际学术期刊发表高水平论文180余篇,被引用8000余次,获得申请授权发明专利60余项。近日,吕昭平带领团队创新合金设计理念,利用不同的强化机理,开发出一种高密度纳米强化的超高强韧马氏体时效钢。Nature在线发表了这一突破性的研究进展。  相似文献   
4.
5.
利用传热学原理与流体力学原理,并结合啤酒发酵工艺,分析了实验数据,并得出结论:在啤酒发酵过程中,热扩散起主导作用;还分析了发酵各阶段罐壁与罐内发酵液的温差情况,以及环境温度,冷煤温度,酵母对罐壁面温度的影响。  相似文献   
6.
目的 获得Cu-15Ni-8Sn合金动态再结晶临界模型,描述热变形参数对动态再结晶晶粒尺寸的影响规律.方法 基于前期通过Gleeble-3500热模拟机得到的热压缩实验数据,分析Cu-15Ni-8Sn合金在不同热变形参数下的再结晶晶粒尺寸及流变应力数据,采用线性回归拟合等方式建立动态再结晶模型,并利用数值模拟与实验相结合的方法 验证模型精确度.结果 采用YADA模型描述Cu-15Ni-8Sn合金的动态再结晶,通过线性拟合求得模型参数C1=11895.554,C2=0.1503,C3=0.1553,C4=3.933×10?4,C5=2995.6409,数值模拟与实验所得的平均晶粒度分别为16.7μm和15.5μm.结论 变形温度和变形速率对Cu-15Ni-8Sn合金热变形中的再结晶过程有重要影响.变形温度越高,临界应变越小,越容易发生动态再结晶,动态再结晶晶粒尺寸越大;应变速率越小,动态再结晶晶粒尺寸越大.研究所构建的Cu-15Ni-8Sn合金动态再结晶临界模型具有较高精度,将为后续该合金热塑性变形工艺设定提供理论基础.  相似文献   
7.
充芯连铸法制备铜包铝双金属复合材料的研究   总被引:11,自引:0,他引:11  
吴春京  于治民  谢建新  吴渊 《铸造》2004,53(6):432-434
提出了一种制备包覆双金属复合材料的新工艺,即充芯连铸法制备包覆双金属复合材料的工艺.试验研究了铜包铝双金属棒制备的工艺,分析了铜包铝双金属棒的外观、断面和界面.结果表明:采样充芯连铸法工艺可以连续稳定地制备铜包铝双金属棒,包覆层厚度均匀.  相似文献   
8.
利用可溶性高聚合物和光感剂材料,采用染色法制成了用于彩色液晶显示的彩色滤光膜,并对其进行了光学与色度特性的测量。结果表明,用光刻剂技术研制的彩色滤光膜基本上达到了彩色液晶显示的设计要求,一系列三基色的x、y值可以满足不同使用条件对色度的需要。  相似文献   
9.
TFT AMLCD像素矩阵电路中栅延迟的模拟研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
建立了a-SiTFTAMLCD的等效电路模型,综合考虑栅信号线电阻、栅与源信号线的交叠电容以及TFT导电沟道电容构成的RC(ResistivityCapacitance)常数,模拟计算了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及栅信号电极材料的依赖关系,为实现器件优化设计提供参考。  相似文献   
10.
硅基TFT有源矩阵液晶显示技术   总被引:7,自引:2,他引:5  
介绍了薄膜晶体管(TFT),特别是p-Si(多晶硅)TFT矩阵寻址液晶显示器的工作原理、结构、特点、制作工艺和电学特性,对器件参数的选择进行了分析  相似文献   
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