脉冲电磁场参数对CoMo/γ-Al_2O_3催化剂加氢脱硫性能的影响

采用等体积浸渍方法和脉冲电磁场辅助浸渍法制备了CoMo/γ-Al2O3催化剂,研究脉冲电磁场参数对催化剂催化噻吩加氢脱硫(HDS)性能的影响。利用BET和XRD对样品进行了分析和表征,结果表明,当脉冲电压为200 V,脉冲频率为3 Hz,脉冲时间为60 s时,催化剂的加氢脱硫活性最好,噻吩转化率可达91.50%。催化剂具有较大的比表面积和孔结构,活性组分与载体的作用力较弱,活性组分在载体表面分布较为均匀。     

氧化锌纳米棒光催化降解染料废水的研究

采用水热合成法制备了ZnO纳米棒阵列。利用SEM和XRD对ZnO纳米棒的形貌和物相结构进行了表征。研究了光照时间、pH、ZnO投加量等因素对染料废水吸光度去除率的影响。实验结果表明,在紫外光照2 h、pH为10、ZnO纳米棒投加量为0.02 g的优化反应条件下,亚甲基蓝废水、分散橙GFL废水和直接耐酸大红4BS废水的吸光度去除率分别为19.32%、9.28%和13.50%。     

氩氧比对磁控溅射梯度AZO薄膜光电性能的影响

采用磁控溅射法在单晶硅和石英玻璃衬底上制备梯度铝掺杂的氧化锌(AZO)薄膜。利用X线衍射(XRD)、霍尔效应测试和紫外可见光分度计等研究了不同氩氧比(体积比)对梯度AZO薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,氩氧比可以改善薄膜的结晶质量,且对电学性能的影响较大。随着氩氧比的增加,晶粒尺寸减小,结晶度稍有下降,薄膜的电阻率却显著降低,当氩氧比为1∶0时,薄膜具有最低的电阻率为6.85×10~(-4)Ω·cm。此外,所有的梯度AZO薄膜在可见光区的透过率均达到80%。     

电解液对二氧化锰电化学性能的影响

利用水热法分别制备了MnO_2纳米线和纳米球。通过场发射扫描电子显微镜(FESEM)和X射线衍射仪(XRD)对两种形貌的MnO_2粉末进行表征,并使用循环伏安法(CV)、恒流充放电(GCD)和交流阻抗测试研究MnO_2电极材料在KOH和Na_2SO_4电解液下的电化学行为。结果表明,MnO_2纳米球形成机理为:先溶解后聚集并呈各向异性生长状态。在2 mol/L KOH或3 mol/L Na_2SO_4电解液中的MnO_2纳米球性能均优于纳米线,比电容分别为756.44 F/g和333.65 F/g;与MnO_2纳米线对比,MnO_2纳米球的比电容分别提高了59.06%和52.14%。经分析可知,MnO_2材料与电解液之间存在一定的匹配性关系。     

成分配比和B-Fe对高温合成Ti-Al的影响

以Ti粉、Al粉、B-Fe为主要原料，采用自蔓延高温合成技术，制备Ti-Al基金属间化合物。研究了自蔓延高温合成技术，成分配比，B-Fe以及高温装炉对热爆反应的影响，分析了热爆反应机理以及热爆产物显微组织。结果表明：随Al含量的减少、加热速度的提高，热爆起始时间缩短、热爆反应峰值增加；加入适量B-Fe可以延缓Ti-Al基金属间化合物的热爆反应，抑制Ti3Al的择优生长，达到细化晶粒的效果。反应产物主要为针状或细棒状α2(Ti3Al)和γ(TiAl)两相。     

热处理温度对磁控溅射AZO薄膜的电学性能影响

利用射频磁控溅射制备了Al掺杂的ZnO(AZO)薄膜,通过X线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及四探针等手段对薄膜进行了表征,研究了不同热处理温度对AZO薄膜的形貌、结构和电学性能的影响。研究表明,Al的掺杂体积分数约为1.2%,随着热处理温度的升高,薄膜颗粒大小均匀,AZO薄膜衍射峰强度先增强后减弱,当热处理温度为450℃时,该AZO薄膜的结晶性最好,电阻率最小为0.024 7Ω·cm。     

影响碳化硼陶瓷致密化的因素

从纯碳化硼的无压烧结、添加烧结助剂、烧结时加压等方面介绍了碳化硼陶瓷活化烧结致密化的方法，综述了国内外在不同的烧结工艺下制备的碳化硼陶瓷材料的性能，进而分析了各种方法提高碳化硼陶瓷致密度的机制，比较了各种烧结方法的优缺点。结果表明：通过综合各种措施可以提高碳化硼陶瓷的致密度。     

脉冲电磁场作用下CoMo/γ-Al_2O_3催化剂的制备工艺参数研究

采用等体积浸渍法和脉冲电磁场辅助浸渍法制备了CoMo/γ-Al2O3催化剂,研究活性组分负载量及脉冲时间对催化剂催化噻吩加氢脱硫(HDS)性能的影响。结果表明,当Co-Mo/γ-Al2O3催化剂的MoO3负载量为载体质量的12%,CoO与MoO3的质量比为1∶6,脉冲处理时间为60 s时,活性最好,噻吩转化率可达91.49%。在适当强度的脉冲电磁场作用下,催化剂具有较大的比表面积和较好的孔结构。     

磁控溅射TiO2薄膜的相结构转变温度

利用射频磁控溅射制备了TiO2致密薄膜,并通过退火处理实现TiO2的相转变,采用扫描电镜,X射线衍射等手段对薄膜相结构进行表征并做了详细的分析,结果表明,退火后TiO2薄膜结构致密,表面呈现出大小均匀的纳米晶粒。400 ℃退火时,TiO2薄膜为单一的锐钛矿相,500～600 ℃退火时为锐钛矿和金红石混合相,700 ℃以上退火时则完全转变为金红石相。     

脉冲电磁场对TiO2纳米线阵列的影响

利用脉冲电磁场辅助水热合成法制备TiO_2纳米线阵列薄膜,证明不同的脉冲电压对TiO_2纳米线的生长具有较大影响。采用FESEM、XRD等手段对TiO_2纳米线阵列的形貌和结构进行表征,结果表明:当施加的脉冲电压为500V时,生长出的TiO_2纳米线阵列尺寸大体均匀,取向基本一致,排列较为整齐,无明显的生长异常区。生长的TiO_2纳米线属于金红石结构,与衬底匹配良好。同时对脉冲电磁场影响下的TiO_2纳米线阵列生长机理进行深入分析。