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1.
序言:产生地下居住空间的社会原因以我的经验看,最早的城市地下空间是大阪梅田站周围的地下道。在1927~28年(昭和2~3年)期间,就是阪神电车在地上架起高架线或地铁、大阪终点站成为地下站的时候。当时地下道的照度显然是非常暗的,可是,由于新建且稀奇的缘故,却没有感到有过于阴郁的气氛。我觉得东京最初的地铁可能也是在浅草线通车的那个时候。其候,在1941~45年(昭和16~20年)的战争期间,地铁渐渐变得肮脏起来了,作为战后住宅难的出路而成为流浪者集聚的地方,变成卫生方面很不清洁和危险的场所。梅田站、上野站等作为地下结构到今天已近50年了,可以说几乎无变化地在继续使用着。而高层建筑的地下道和地下街也是在半个世念里无甚变化地被使用着。因此,必须承认:当建造地下结构形成地下空间时,是可使用半个世纪不变的设施,是非私有财产的公共空间。 相似文献
2.
一、地下停车场的面貌我经常使用地下停车场,可是,夸张点说,最初真有些像掉进地狱般的不安心情。一般停车场都黑洞洞的,由硬梆梆的混凝土所覆盖,的确有洞窟般的感觉。为什么要把这样的东西接连不断地建造在市中心呢?为此,城市交通状况越发困难,并因噪音干扰和空气污染而大伤脑筋。城市环境恶化的主要原因是汽车。为了不让它们流入城市,希望最好尽量减少容纳它们的地方。目前,进入城市的汽车达到过饱和状态。若备有停车设施,交通情况将会更加恶化了。地方公共团体有义务,通过整顿和完善停车设施,谋求道路交通的通畅,在方便群众的同时,维持和增进城市功能,根据这一目的,按停车场法规定,在超过一定规模的建筑中,应具备符合标准规定的停车空间。 相似文献
3.
CPR1000机组安全壳设备舱门密封性试验是为了验证安全壳设备舱门双密封圈的密封性能。RCC-G《核电站土建设计与建造规程》中规定该试验的要求是:"在每次关闭之后,以及至少约每两年一次,在停堆换料时进行"。电厂在每次大修中会多次开、关设备舱门,设备舱门双密封圈属于"非能动"设备,是否有必要每次关闭后都进行密封性试验。本文针对每个换料大修的仅存最后一次关闭设备舱门后执行安全壳设备舱门密封试验的可行性进行了详细的安全分析,并结合EDF及美国西屋核电机组的安全壳设备舱门密封性试验执行情况,对CPR1000机组安全壳设备舱门密封性试验周期给出合理的建议。 相似文献
4.
5.
ISDN交换机是在现有数字程控电话交换机的基础上改进而成的。目前,一般的数字程控电话交换机只能进行电话交换,而且其用户线接口是模拟的,为了适应ISDN端到端的数字传输,将其改为ISDN交换系统,主要需进行3方面的改进:(1)要能实现数字接入;(2)要能进行D信道处理;(3)要能进行对分组数据的交换或能与分组交换网进行互通。因此,ISDN交换机的软件和硬件结构都要比一般数字程控电话交换机复杂得多。ISDN交换机结构示意图如图1所示。1.用户和中继线接口(L/T)ISDN交换机的用户接口有模拟用户接口和数字用户接口。模拟… 相似文献
6.
多址技术是指基站周围的移动台各以何种方式占用信道进入基站接收信号。目前,在移动通信系统中所采用的多址方式主要有频分多址(FDMA)、时分多址(TDMA)和码分多址(CDMA)。一、FDMA频分多址是指不同的移动台占用不同的频率。在我国公用模拟移动通信系统中,TACS制式设备采用的多址方式是FDMA。频分多址是把通信系统的总频段划分成若干个等间隔的互不重叠的频道分配给不同的用户使用。这些频道互不重叠,其宽度能传输一路语音信息。为了实现双工通信,所以使用不同的频率。收发频率之间有一定的频率间隔,这样,在频分多址中… 相似文献
7.
8.
68Ge主要用于制备68Ge-68Ga发生器以及正电子发射型计算机断层显像(positron emission computed tomography)的校正放射源。采用69Ga(p,2n)68Ge反应制备68Ge,本研究建立了制备镓镍合金靶件的方法,以利用现有的回旋加速器生产68Ge。在酸性条件下通过电沉积法制备镓镍固体靶件,优化镀液组分以及电沉积条件,确定了电沉积工艺,制备了镓含量75%的镓镍固体靶件。经过三次辐照实验表明,此靶件可以生产68Ge。此工艺简便易行,制备的靶件质量稳定,可应用于回旋加速器生产68Ge。 相似文献
9.
将以极化为特征、具有丰富功能特性的介电氧化物材料通过外延薄膜的方式,在半导体GaN上制备介电氧化物/GaN集成薄膜,其多功能一体化与界面耦合效应可推动电子系统单片集成化的进一步发展。然而,由于2类材料物理、化学性质的巨大差异,在GaN上生长介电薄膜会出现严重的相容性生长问题。采用激光分子束外延技术(LMBE),通过弹性应变的TiO2的缓冲层来减小晶格失配度,降低介电薄膜生长温度,控制界面应变释放而产生的失配位错,提高了介电薄膜外延质量;通过低温外延生长MgO阻挡层,形成稳定的氧化物/GaN界面,阻挡后续高温生长产生的扩散反应;最终采用TiO2/MgO组合缓冲层控制介电/GaN集成薄膜生长取向、界面扩散,降低集成薄膜的界面态密度,保护GaN半导体材料的性能。所建立的界面可控的相容性生长方法,为相关集成器件的研发提供了一条可行的新途径。 相似文献
10.