SemDex型晶片厚度测量仪的校准与不确定度评定

SemDex型晶片厚度测量仪是一种半导体行业专用的晶片检验仪器,目前国家还没有检定规程或校准规范。本文给出了一种使用型号为LOGITECH非接触测厚仪对晶片厚度进行定标,然后使用定标的晶片校准晶片厚度测量仪的方法,并给出了测量不确定度的计算方法,使其可溯源至国家基准。     

纳米级线宽标准样片的设计与制备

介绍了纳米级线宽标准样片的用途及其在校准扫描电子显微镜中存在的问题,设计了具有快速循迹结构的线宽标准样片,采用电子束光刻工艺制作了标称宽度为25nm～200nm的线宽样片.以50nm和200nm线宽为例对样片的线宽偏差、线边缘粗糙度、线宽均匀性和稳定性进行了考核.结果表明,标称值50nm～200nm的样片线宽值与设计值基本一致,线边缘粗糙度为1.9nm～2.0nm、均匀性为1.7nm～1.9nm,稳定性为0.06nm～0.6nm.     

基于蒙特卡洛法的常用玻璃量器容量测量结果不确定度评定

采用蒙特卡洛方法 (MCM)对常用玻璃量器容量测量结果的不确定度进行评定,建立了数学模型,分析了各不确定度分量,编写了评定程序,并将评定实例结果与GUM方法评定的结果进行了比较。     

对GUM法量块测量不确定度评定的验证

我国新颁布了JJF1059.2-2012《用蒙特卡洛法评定测量不确定度》,该规范规定了用蒙特卡洛法(MCM)评定与表示测量不确定度的方法,并提供了检查GUM法是否适用的验证方法。本文以量块校准为例,详细介绍了用蒙特卡洛法验证GUM法结果的具体步骤。     

基于MATLAB的温湿度表计量软件设计

温湿度表在国民经济工农业生产中用途非常广泛,数量庞大,由于其检定过程耗时长,后期数据处理、证书打印比较繁琐,导致计量工作过程出错率较高。针对这些问题,本文给出了一个具有推广价值的解决方案,我们基于MATLAB设计了一套温湿度表计量软件,结合Excel数据处理功能,实现了没有程控接口的温湿度表的半自动计量,提高了工作效率,节省了计量成本,并在最大程度上降低了出错率。     

微纳米线距标准样片的研制与应用

为了精确控制线宽尺寸参数,研制了一套周期尺寸为100nm～10μm的线距标准样片。首先,依据样片的应用进行了图形设计,分别采用电子束直写和投影光刻技术开发出线距标准样片,并对制备出的样片进行考核,考核参数包括线距尺寸、均匀性、稳定性。并与VLSI同等量值样片的质量参数进行了对比,以周期尺寸为100nm的样片为例进行表征,研制的样片均匀性为1.8nm,稳定性为0.6nm,VLSI的样片的均匀性为1.5nm；并使用CD-SEM对样片进行了定值,整体不确定度为3.9nm～23nm(k=2)。研制的线距样片不仅包括光栅结构,还包括格栅结构,可以对不同的测试设备进行现场校准。     

基于CD-SEM的线距标准样片测量

针对线距标准样片线间距的测量需求,基于关键尺寸扫描电镜(CD-SEM),提出了一种宽度测量方法。首先,介绍了CD-SEM测量系统的基本原理;其次,使用CD-SEM对VLSI生产的标称尺寸为100 nm、3μm、10μm的线距标准样片进行了测量;最后,对测量不确定度进行评定,并将测量结果与VLSI标准样片证书给出的标准值进行比对。结果表明:En值最大为-0.7,CDSEM测量线间距的准确度很高。     

微纳米台阶标准的制备和评价

台阶高度是半导体技术中重要的工艺参数,其准确度直接影响器件的整体性能。为了精确控制和表征台阶高度参数,制备了一套8nm～50μm的台阶高度标准进行测量技术研究。首先,通过半导体热氧化工艺、反应离子刻蚀工艺制备台阶标准。其次,基于白光干涉仪评估台阶上下表面平行度、表面粗糙度、均匀性和稳定性四项质量参数。结果表明,台阶上下表面平行度为0.4′～2.7°,标准台阶表面粗糙度为0.46nm～6.5nm,台阶两侧表面粗糙度为0.44nm～0.46nm；均匀性为0.5nm～5.9nm,稳定性为0.2nm～11.2nm。最后,与美国VLSI相同标称高度的台阶标准相比,标称高度50μm的台阶标准表面粗糙度较差,均匀性略好,其余质量参数均相当。     

氢气纯度奥氏气体分析仪的校准与不确定度评定

氢气纯度奥氏气体分析仪是一种监测生产氢气纯度的仪器,目前国家还没有检定规程或校准规范用于该类分析仪的检定或校准。因此解决氢气纯度奥氏气体分析仪的校准已成当务之急。文章给出了一种使用有证标准气体对奥氏气体分析仪进行校准的方法,并给出了测量不确定度的评定方法。     

EXCEL在质量比较仪数据处理中的应用

通过对质量比较仪自身性能及校准规范的分析,从应用角度分析了Excel用于校准结果数据处理时将原始记录、校准证书以及不确定度计算的自动一体化方案,明显提高了工作效率,最大程度上降低了出错率。指出了在运用EXCEL对校准结果进行数据处理时应注意的几个问题。