Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示

采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀机理,光照激发位错处产生电子-空穴对,加速位错处的腐蚀速率.GaN表面出现了大量的六角腐蚀坑(位错露头).优化了KOH溶液的腐蚀条件.     

预处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN显示薄膜

采用化学方法腐蚀部分 c-面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用 LP-MOCVD 在此经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长 GaN 薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、光致发光光谱(PL)、透射光谱分析GaN薄膜的晶体质量和光学质量.分析结果表明,CaN 薄膜透射谱反映出的 CaN 质量与 X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;对蓝宝石衬底进行前处理可以大大改善GaN薄膜的晶体质量和光学质量,其(0002)面及(1012)面XRD半高宽(FWHM)分别降低到 208.80arcsec 及 320.76arcsec,而且其光致发光谱中的黄光带几乎可以忽略.     

济南国际机场污水处理厂改造为中水工程设计

对济南国际机场污水处理厂原水处理流程进行了分析，目的是尽量利用现有设备和构筑物，改变工艺流程，经处理后达到生活杂用水标准。流程由原物理法改造成以生化处理为主的工艺。春方法是将原调节池，加设曝气装置，改造成曝气调节池。增设自动控制装置，达到操作管理简便，处理效果稳定可靠的效果。     

Si(111)衬底上生长的GaN的形貌与AlN缓冲层生长温度的关系

利用LP-MOCVD技术在Si（111）衬底上,用不同温度生长AlN缓冲层,再在缓冲层上外延GaN薄膜．采用高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD）技术和扫描电子显微镜（SEM）分析这些样品，比较缓冲层生长温度对缓冲层和外延层的影响，并提出利用动力学模型解释这种温度的影响．进一步解释了GaN外延层表面形貌中“凹坑”的形成及“凹坑”与缓冲层生长温度的关系．结果表明，温度的高低通过影响缓冲层初始成核密度和成核尺寸来影响外延层表面形貌．     

美国MCT的生产以及未来的发展计划

在美国从事ＭＣＴ研制的公司主要有三家。本文介绍了其中两家－－Ｈａｒｒｉｓ和ＳＰＣＯ公司ＭＣＴ的研制情况，其中Ｈａｒｒｉｓ是世界上最早从事ＭＣＴ研究，并且是全球唯一一家大批量生产ＭＣＴ的公司，它的研制、生产水平代表了ＭＣＴ的全球发展水平，因此Ｈａｒｒｉｓ公司ＭＣＴ的发展计划，可以说是ＭＣＴ器件的未来。     

一种新型SiGe-OI脊形光波导的模式分析及结构参数优化

The mode of a novel SiGe-OI optical waveguide is analyzed, and its single-mode conditions are derived. The Ge content and structure parameters of SiGe-OI optical waveguides are respectively optimized. Under an operation wavelength of 1300 nm, the structures of SiGe-OI rib optical waveguides are built and analyzed with Optiwave software, and the optical field and transmission losses of the SiGe-OI rib optical waveguides are analyzed. The optimization results show that when the structure parameters H, h, W are respectively 500 nm, 250 nm, 500 nm and the Ge content is 5%, the total power loss of SiGe-OI rib waveguides is 0.3683 dB/cm considering the loss of radiation outside the waveguides and materials, which is less than the traditional value of 0.5 dB/cm. The analytical technique for SiGe-OI optical waveguides and structure parameters computed by this paper are proved to be accurate and computationally efficient compared with the beam propagation method （BPM） and the experimental results.     

蓝宝石上横向外延GaN薄膜

在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD)方法对横向外延(ELO)GaN薄膜的生长条件进行了研究.在蓝宝石衬底上利用化学腐蚀的方法刻饰出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,以降低外延层与衬底的晶格失配与热失配,制备出低位错密度的GaN外延层.分别利用X射线衍射、原子力显微镜及湿法腐蚀对外延层进行检测.     

LED产业技术发展方向无铅焊接工艺

以GaN基LED为基础的半导体照明由于其节能、环保、长寿命等独特的优势引爆了研究和产业投资的热潮。2004年是GaN基LED取得长足发展的一年，CREE公司白光LED样品的发光效率在色温6000K时已达到821m／W。色温4600K时为921m／W，与目前日光灯发光效率一样；其量子效率达50％，接近红光LED的最高水平。 随着科学技术及生产工艺的发展，不但提高了白光、蓝光、绿光和紫光LED亮度和使用寿命，     

MCT关断特性的分析

详细分析了ＭＣＴ的关断机理；推导了ＭＣＴ关断电流的简单计算公式，给出了站极等位铝条的设计原则；提出了解决ＭＣＴ关断时边缘效应的方法。