Al靶中稀土Y含量对薄膜CrAlTiN的影响

研究了Al靶中加入不同含量的稀土Y对CrAlTiN薄膜的影响。应用SEM、EDS、XPS、显微硬度计对薄膜样品进行分析。结果表明,在Al靶材中加入稀土Y后,不但提高了薄膜的厚度,而且随着稀土Y含量的增加,薄膜的表面相逐渐由CrN、Cr2N向Cr变化,Al的含量也是随着Y含量的增加而增加。CrAlTiN薄膜的硬度随着稀土Y含量的升高而降低,并且随着Y含量的升高而逐渐趋于1500 HV。     

提高热电阻测温装置抗干扰能力的研究

根据测温装置在现场运行的情况,提出了改进信号处理回路、软件中增加缓冲环节、采用具有滤波功能的A/D芯片等几种增强抗干扰能力的措施,并分别进行了现场试验,比较每种措施的性能,最终通过实践,比较成功地提高了测温装置对于环境干扰的抵抗能力,为其他类似的模拟量采集提供了参考.     

提高热电阻测温装置抗干扰能力的研究

根据测温装置在现场运行的情况,提出了改进信号处理回路、软件中增加缓冲环节、采用具有滤波功能的A/D芯片等几种增强抗干扰能力的措施,并分别进行了现场试验,比较每种措施的性能,最终通过实践,比较成功地提高了测温装置对于环境干扰的抵抗能力,为其他类似的模拟量采集提供了参考。     

钇对CrAlTiN薄膜基体结合强度的影响研究

本文研究了Al靶中加入不同含量的稀土钇(Y)对CrAlTiN薄膜结合强度的影响.并应用原子力显微镜(AFM)、能谱仪(EDS)、纳米压入仪、划痕试验仪、激光共焦显微镜(CLSM)对薄膜样品进行了观察与分析.结果表明,CrAlTiN薄膜中稀土元素Y的加入使得Al元素单位时间内沉积量提高,CrAlTiN薄膜晶粒细化,提高其塑性和韧性,减少裂纹倾向,从而提高了CrAlTiN薄膜与基体的结合强度.     

酸碱不同电解质对碳纤维阳极氧化表面处理的研究

以碳酸氢铵和硫酸为电解质,采用阳极氧化表面处理法对聚丙烯腈(PAN)基碳纤维进行表面处理,对表面处理时间进行了对比研究,获取了S-酸和S-碱2个系列样品,经研究发现,碳纤维在碳酸氢铵电解质中处理时间80s时,同在硫酸电解质中处理时间为5s所取得到的拉伸强度、层间剪切强度基本相当。通过对样品的微观表面、表面官能团的分析,发现2种电解质在PAN基碳纤维表面发生的氧化反应不同,S-酸系列样品表面官能团多生成羟基和醚基,S-碱系列样品表面团多生成羰基。     

对薄膜CrAlTi(Y)N硬度的研究

本文研究了Al靶中加入不同含量的稀土钇（Y）对CrAlTiN薄膜硬度的影响。并应用原子力显微镜（AFM）、能谱仪（EDS）、纳米压入仪、显微硬度计对薄膜样品进行分析。结果表明,CrAlTiN薄膜中稀土元素Y的加入使得灿元素单位时间内沉积量提高,CrAlTiN薄膜晶粒细化,薄膜的表面相由CrN、Cr2N向Cr逐渐变化。当Y〈0．84％时CrAlTiN薄膜的硬度随着稀土Y含量的升高而降低;当Y〉0．84％时CrAlTiN薄膜的硬度随着Y含量的升高而升高。     

基于流向图的不完备信息下导弹故障诊断知识获取

针对导弹故障诊断过程中出现信息缺失、数据不完备的问题,提出一种基于流向图的导弹故障诊断知识的获取方法;首先,提取故障特征信息,并利用特征关系对故障诊断知识进行分类处理,得到同一特征关系下的故障诊断实例集合;然后,建立不完备故障诊断流向图,并表述出各个节点之间的置信度和覆盖度,作为衡量完整路径的指标,构建导弹故障诊断知识获取框架;最后,结合实例分析,验证该故障诊断知识获取方法具有较好的直观性,为导弹故障诊断工作提供有效参考。     

低温等离子体碳纤维表面处理技术研究

采用低温等离子体法对碳纤维表面进行处理,并通过滴水试验、SEM、XPS测试处理效果。与阳极氧化法相比,低温等离子体法能更有效地改变碳纤维的表面性质。滴水试验表明经等离子体处理的碳纤维表面呈极性,与水的润湿性好;SEM测试结果表明,低温等离子体法处理的碳纤维表面沟槽比阳极氧化法的更多,前者表现出更强的表面修饰性;XPS测试结果表明,经等离子体和阳极氧化法处理后的碳纤维表面均含有羧基、羟基、羰基,低温等离子体处理后的碳纤维表面的极性官能团总含量为17%。     

偏压对CrAlTi(Ce)N薄膜的制备和性能的影响

本文通过使用Teer-UDP450磁控溅射设备制备CrAlTi(Ce)N薄膜,实验过程中改变偏压。使用了原子力显微镜、X射线衍射仪对CrAlTi(Ce)N薄膜进行分析和研究。试验结果表明:CrAlTi(Ce)N薄膜生长速度随着偏压值的增加而减小;CrAlTi(Ce)N薄膜中XRD衍射峰发生变化,偏压值从60 V升高到100 V,(111)峰择优生长趋势明显,偏压120 V时出现非晶态;CrAlTi(Ce)N薄膜的粗糙度随着偏压值的增加而降低;CrAlTi(Ce)N薄膜的柱状晶尺寸随着偏压值的升高而减小,但当偏压值为120V时,CrAlTi(Ce)N薄膜为非柱状晶结构,CrAlTi(Ce)N薄膜表面出现弹坑形状。