铁及其化合物去除地下水中TcO4-的研究

核电站产生的放射性废物中包含有长寿命放射性核素99Tc,99Tc通常以带负电荷的Tc04-形式存在于水中,易于随地下水迁移而污染人类的生存环境。本文分析和总结了近年来铁及其化合物去除Tc04-的反应机理,提出进一步研究的建议。     

油田注入水硫酸钡动态结垢机理研究

采用在线显微成像及统计分析技术手段,设计模拟油田注水系统的动态条件下金属材料表面硫酸钡的结垢规律.并借助AFM及SEM技术分析结垢状况及程度随时间的变化规律.结果表明,高温高流速下硫酸钡结垢程度最大,管壁粗糙度越大,结垢越严重.对于BaSO4垢,在实验速度为1.2 m/s时处于一种过渡状态,此时晶核生长和流体的冲刷破坏...     

硅基上金粒子诱导的聚氧硅烷纳米线的合成

采用液相法以硅基上原位合成的金纳米粒子作为催化剂和模板,在不同的反应条件下,用十八烷基硅烷(Octadecylsilane)作为前驱体合成了纳米线状化合物.研究了不同反应条件对该线状化合物形貌的影响,能量散射光谱实验结果表明该线状化合物为聚氧硅烷,扫描电镜结果显示当反应温度控制在110 ℃和反应时间90 min的条件下,可得到均匀的纳米线状化合物.最后提出了聚氧硅烷化合物可能的形成机理,同时也为制备硅基上的硅氧纳米线状化合物提供了一种方便而简单的方法.     

改性石英砂的润湿性能研究

对经过改性处理之后的普通石英砂的润湿性能进行了研究。实验采用滴水穿透时间法（WDPT）、酒精溶液入渗法（MED）、接触角测定法三种方法。通过这三种方法来定性和定量地描述其润湿性能。实验结果表明：直接经过酸化处理的石英砂与经过硅烷化处理的石英砂的润湿性能有着明显的改变,前者较普通石英砂表现更为亲水,而后者表现出斥水性。此研究为用石英砂模拟不同润湿性能土壤提供了表面改性方法以及前期的理论准备。     

光合细菌降解苯酚的动力学参数研究

苯酚是炼焦（油）、塑料、化工等行业生产过程中的主要污染物。随着经济的快速发展,各类含酚废水已经严重威胁着人类的生存环境。利用微生物处理含酚废水是一种经济有效且无二次污染的方法。本文主要研究了光合细菌-沼泽红假单胞菌降解含酚废水的动力学参数。实验结果表明,沼泽红假单胞菌对含酚废水具有很好的降解性能,正常状态下,该菌最大比生长速率μmax为8.00 mg/g.h,半速率常数Ks为247.92 mg/L,产率系数Y为5.88 mg/mg,内源呼吸系数Kd为0.29 d-1。     

硅基表面无形貌改变的硫酸／过氧化氢氧化清洗

提出了一种利用硫酸／过氧化氢溶液氧化清洗硅基的方法．硅片经超声预清洗后,放入硫酸／过氧化氢溶液中,80℃下氧化清洗其表面的污染物．通过接触角检测,表征了清洗前后硅基表面的亲水性变化．通过原子力显微镜（AFM）表征了经硫酸／过氧化氢溶液清洗后硅基的表面形貌．结果显示,经硫酸／过氧化氢溶液亲水化清洗30min后的硅基表面的接触角为7．3°,显示出很强的亲水性,其表面均方根粗糙度（RMS）仅为0．03nm．因此,硫酸／过氧化氢氧化清洗法是一种硅基表面无形貌改变的亲水化清洗方法．     

硅基上金粒子诱导的聚氧硅烷纳米线的合成

采用液相法以硅基上原位合成的金纳米粒子作为催化剂和模板,在不同的反应条件下,用十八烷基硅烷（Octadecylsilane）作为前驱体合成了纳米线状化合物．研究了不同反应条件对该线状化合物形貌的影响,能量散射光谱实验结果表明该线状化合物为聚氧硅烷,扫描电镜结果显示当反应温度控制在110℃和反应时间90min的条件下,可得到均匀的纳米线状化合物．最后提出了聚氧硅烷化合物可能的形成机理,同时也为制备硅基上的硅氧纳米线状化合物提供了一种方便而简单的方法．     

基于任务的战术态势视图中对象的描述与组织

基于任务的战术态势视图TTSP概念模型,由作战实体、环境实体、任务、作战过程和态势等元素组成.其对象表示通过定义选择空间参考模型,建立数据表示模型,定义相应数据编码标准及建立对象的交互标准四个步骤进行.此外,由描述对象的行为、能力、战场态势及战场空间对象组织完成对TTSP中对象管理的规范描述.     

基于任务的战术态势概念模型

基于任务的战术态势(TTSP)概念模型,由战斗实体、环境实体、任务和实体行为等元素组成.该模型可描述为作战任务、指挥人员的战斗使命、兴趣区内战术数据集及时间的一个函数.其从上级的COP中读取相对稳定的集成信息,再从下层各个数据源中获取快速改变的信息,同时得到Amp-Data的支持.通过采集数据,数据融和,将得到的信息与图元进行一一映射,并以公共图片显示的方式表现信息,由此完成TTSP的生成.     

静磁场下硫酸盐还原菌对HSn70-1铜合金的腐蚀行为

采用失重法、电化学测量和表面分析技术研究了有、无静磁场环境下,在含有硫酸盐还原菌(SRB)的培养基中HSn70-1铜合金的腐蚀行为。结果表明:SRB条件下,HSn70-1铜合金腐蚀质量损失最大,无磁场下的腐蚀电流密度远大于有磁场条件下的,磁场的加入可以有效地减缓HSn70-1铜合金的腐蚀。SEM,EDS,XRD和XPS实验分析表明,静磁场下HSn70-1铜合金表面腐蚀产物膜均匀致密,腐蚀产物为金属硫化物,Cu的化合价以一价(Cu+)为主;而无磁场时腐蚀产物疏松,腐蚀产物硫化物中Cu主要为二价(Cu2+)。静磁场条件下所形成的致密的Cu2S腐蚀产物层阻碍腐蚀的发生,有效地减缓了HSn70-1铜合金的腐蚀。