用于稀土电解的小盒卡具应用技术研究

对大型稀土电解槽用阳极卡具进行分析研究,介绍了小盒卡具的安装方法及工作过程,再与传统楔形卡具进行了对比分析,得出小盒卡具在使用过程中不发热、不变形、不松脱,具有紧固压力大、导电性好等优点,为改善阳极压接方式收到了良好的效果.     

氯化 Ti3AlC2 陶瓷制备碳化物衍生碳的结构表征

以三元碳化物陶瓷Ti_3AlC_2为原料,在500°C~1000°C温度范围内氯化制备具有纳米孔结构的碳化物衍生碳(Ti_3AlC_2-CDC)。高温氯化制备得到的Ti_3AlC_2-CDC由无定形碳和石墨组成。氯化温度越高,石墨化程度越明显,石墨有序度越高。Ti_3AlC_2-CDC的结构与前驱体Ti_3AlC_2的层状结构保持一致。但随着温度升高,Ti_3AlC_2-CDC会逐渐裂解为单片层或多片层。采用N2吸附技术研究了700°C、800°C和1000°C下制备的Ti_3AlC_2-CDC的孔隙结构特征,通过分析试样的吸附等温线特征和孔径分布探讨了温度对CDC孔结构的影响。     

三元层状陶瓷MAX相的非线性弹性研究

(P-M模型)计算MAX相经过一定的应力历史后的应变.     

TiH2做Ti源合成Ti2AlC/Ti3AlC2及热分析

廉价TiH2是制造钛粉的中间产物。本文用TiH2取代钛粉在常压下高温合成一种先进陶瓷材料-钛铝碳(Ti2AlC和Ti3AlC2)。以配料3TiH2/1.5Al/C或2TiH2/1.5Al/TiC为原料,在1400℃保温120 min可合成高纯Ti2AlC。原料3TiH2/1.2Al/2C在1400℃保温120 min和TiH2/1.2Al/2TiC在1350℃保温120 min均可制备高纯的Ti3AlC2。差示扫描量热法(Differential Scanning Calorimetry)被用来分析Ti-Al-C反应体系热量变化。在配料3TiH2/1.5Al/C反应过程中,Ti2AlC合成反应的放热峰消失;表明TiH2脱氢反应所吸收的热量与TiC或Ti2AlC的合成反应所释放的热量相互弥补。以TiH2为Ti源在一定程度上不仅可以降低原料成本,还可以减少或避免大批量生产钛铝碳过程中的热爆现象。     

政府投资项目HPC模式的探讨

目前大多数政府投资项目已经不再拘泥于传统的管理组织模式,而是逐渐融合多种项目管理经验,发展适应于具体项目的组合模式。现实中组合模式的开发存在多重困难,而正确地运用组合模式也是项目管理面临的一大难题。为此探讨了政府投资项目HPC模式,并进行了治理分析。     

武汉市地下水源热泵应用研究现状及发展前景分析

概述地下水源热泵技术的国内外发展状况及其优缺点,分析了武汉地区的水文地质特征及地下水源热泵在武汉市的应用和发展现状.总结地下水源热泵应用过程中所存在的问题,并分析其在武汉地区的应用前景,提出当前应加强研究的主要方向.     

基于CPLD的单片机PCI接口设计

详细阐述一种利用CPLD实现的8位单片机与PCI设备间的通信接口方案,给出用A-BELHDL编写的主要源程序.该方案在实践中检验通过.     

Brφnsted酸性离子液体在汽油烷基化脱硫中的应用

首次提出以BrФnsted酸性离子液体[BMIM]HSO4和H2SO4的复配体系作催化剂,用于汽油烷基化脱硫研究。研究结果表明,在相同反应条件下,相比硫酸,复配体系能够在最大限度不改变烯烃组成的情况下有效催化噻吩与烯烃进行烷基化反应;噻吩转化率随反应温度的增加而增加,但当温度超过45℃后,烯烃聚合速率增加幅度远大于噻吩转化幅度;噻吩转化率随反应时间的增加而增加,反应2h后反应基本达到平衡。     

超高速电梯气压控制系统的风口布局优化分析

超高速电梯在运行过程中,轿厢内气压的快速变化会对乘客的耳朵产生压耳感.为了减轻这种压耳感,有些超高速电梯内配备了气压控制系统,能够使电梯轿厢内的气压在运行过程中呈线性地变化,从而降低气压变化率,改善乘客的压耳感.但那些气压控制系统的风口布局方式会对乘客产生不舒适的吹风感.为了解决上述问题,提出了一种新的风口布局方式.为了验证其合理性,运用计算流体力学分析软件Fluent对气压控制过程中的增减压过程进行了数值仿真,并对不同送排风口的设置以及在不同的风口高度下,电梯轿厢内的风速场进行分析.仿真结果表明,采用非对称的风口布局方式在人体头部周围产生的风速较小,是一种较优的风口布局方式.     

新型MAX相陶瓷Mo2Ga2C的放电等离子烧结

Mo2Ga2C是一种新型MAX相,该材料粉体已经可以被稳定的制备。但是Mo2Ga2C粉体不容易被烧结为致密的块体。本文采用放电等离子烧结技术(SPS)高温处理Mo2Ga2C粉体,通过对制备样品的物相组成和微观结构的表征,研究Mo2Ga2C的烧结性能。SPS烧结Mo2Ga2C 的最佳工艺参数为：烧结温度700℃,保温时间20min,轴向压力30MPa。在此条件下SPS烧结Mo2Ga2C样品相对密度达到71.81%。延长保温时间比升高烧结温度对Mo2Ga2C的致密化有更明显的助益;而增大轴向压力对样品的致密化产生负影响。相对于热压烧结,SPS可以在较低的温度快速制备Mo2Ga2C样品,但是制备的样品的致密度较低。