用于稀土电解的小盒卡具应用技术研究

对大型稀土电解槽用阳极卡具进行分析研究,介绍了小盒卡具的安装方法及工作过程,再与传统楔形卡具进行了对比分析,得出小盒卡具在使用过程中不发热、不变形、不松脱,具有紧固压力大、导电性好等优点,为改善阳极压接方式收到了良好的效果.     

氯化 Ti3AlC2 陶瓷制备碳化物衍生碳的结构表征

以三元碳化物陶瓷Ti_3AlC_2为原料,在500°C~1000°C温度范围内氯化制备具有纳米孔结构的碳化物衍生碳(Ti_3AlC_2-CDC)。高温氯化制备得到的Ti_3AlC_2-CDC由无定形碳和石墨组成。氯化温度越高,石墨化程度越明显,石墨有序度越高。Ti_3AlC_2-CDC的结构与前驱体Ti_3AlC_2的层状结构保持一致。但随着温度升高,Ti_3AlC_2-CDC会逐渐裂解为单片层或多片层。采用N2吸附技术研究了700°C、800°C和1000°C下制备的Ti_3AlC_2-CDC的孔隙结构特征,通过分析试样的吸附等温线特征和孔径分布探讨了温度对CDC孔结构的影响。     

武汉市地下水源热泵应用研究现状及发展前景分析

概述地下水源热泵技术的国内外发展状况及其优缺点,分析了武汉地区的水文地质特征及地下水源热泵在武汉市的应用和发展现状.总结地下水源热泵应用过程中所存在的问题,并分析其在武汉地区的应用前景,提出当前应加强研究的主要方向.     

碳化物衍生碳的制备及其在气体存储与超级电容器领域的应用研究进展

介绍了二元碳化物与三元碳化物作为前体制备碳化物衍生碳,概述了碳化物衍生碳的几种常见命名,详细阐述了管式炉中氯气高温刻蚀碳化物、多孔化碳材料的制备工艺过程和原理,总结了碳化物衍生碳孔径结构及应用,并着重介绍了在储氢储甲烷和超级电容器电极材料两方面的应用研究。碳化物衍生碳材料的甲烷吸附存储量可以达到18.5%（质量分数）,氢的吸附存储量达到6.2%（质量分数）,作为超级电容器电极材料,它的质量比电容是120F/g,且具有非常高的体积比电容（90F/cm3）,在MEMS等小型化微电子器件中有重要的应用。最后展望了这种新型碳材料通过调控微观结构与改善性能在更多领域的重要应用。     

TiH2做Ti源合成Ti2AlC/Ti3AlC2及热分析

廉价TiH2是制造钛粉的中间产物。本文用TiH2取代钛粉在常压下高温合成一种先进陶瓷材料-钛铝碳(Ti2AlC和Ti3AlC2)。以配料3TiH2/1.5Al/C或2TiH2/1.5Al/TiC为原料,在1400℃保温120 min可合成高纯Ti2AlC。原料3TiH2/1.2Al/2C在1400℃保温120 min和TiH2/1.2Al/2TiC在1350℃保温120 min均可制备高纯的Ti3AlC2。差示扫描量热法(Differential Scanning Calorimetry)被用来分析Ti-Al-C反应体系热量变化。在配料3TiH2/1.5Al/C反应过程中,Ti2AlC合成反应的放热峰消失;表明TiH2脱氢反应所吸收的热量与TiC或Ti2AlC的合成反应所释放的热量相互弥补。以TiH2为Ti源在一定程度上不仅可以降低原料成本,还可以减少或避免大批量生产钛铝碳过程中的热爆现象。     

三元层状陶瓷MAX相的非线性弹性研究

(P-M模型)计算MAX相经过一定的应力历史后的应变.     

政府投资项目HPC模式的探讨

目前大多数政府投资项目已经不再拘泥于传统的管理组织模式,而是逐渐融合多种项目管理经验,发展适应于具体项目的组合模式。现实中组合模式的开发存在多重困难,而正确地运用组合模式也是项目管理面临的一大难题。为此探讨了政府投资项目HPC模式,并进行了治理分析。     

基于CPLD的单片机PCI接口设计

详细阐述一种利用CPLD实现的8位单片机与PCI设备间的通信接口方案,给出用A-BELHDL编写的主要源程序.该方案在实践中检验通过.     

Brφnsted酸性离子液体在汽油烷基化脱硫中的应用

首次提出以BrФnsted酸性离子液体[BMIM]HSO4和H2SO4的复配体系作催化剂,用于汽油烷基化脱硫研究。研究结果表明,在相同反应条件下,相比硫酸,复配体系能够在最大限度不改变烯烃组成的情况下有效催化噻吩与烯烃进行烷基化反应;噻吩转化率随反应温度的增加而增加,但当温度超过45℃后,烯烃聚合速率增加幅度远大于噻吩转化幅度;噻吩转化率随反应时间的增加而增加,反应2h后反应基本达到平衡。     

层状陶瓷材料MAX相的摩擦学性能研究进展

MAX相是一类三元层状化合物,由于其同时具备金属和陶瓷的优异性能,近年来受到人们的广泛关注。MAX相的层状结构预示其将有望成为性能良好的固体润滑材料。主要介绍温度、滑动速度、载荷、对偶种类和显微结构等因素对MAX相材料摩擦磨损性能的影响,综述了MAX相材料在摩擦学方面的研究进展。