关于音频水印算法透明性评估的讨论

许多文献都对水印鲁棒性评估技术有大量的阐述,实际上透明性评估在数字水印评估领域也是非常重要的。因此,该文主要是针对数字音频水印算法嵌入函数的透明进行评估。文章给出了透明性的一般性定义,从SMBA中选择攻击方案,利用原始的和修改后的攻击来评估音频水印算法的透明性。该文提出了检测结果和音频内容的依赖性。     

基于模型驱动的ERP平台二次开发的设计与实现

当今ERP软件发展的新方向有两个,一是ERP系统如何进行快速高效地开发,二是具备良好的扩展能力.根据新方向发展要求,提出了平台化的ERP系统与基于模型驱动二次开发的设计思想,并结合实际案例给出了具体实现技术.基于模型的设计快速实现了ERP系统的开发,真正增强了系统的可扩展性,为企业解决ERP软件的高效扩展开发和成功实施提供了一种新的方法.     

基于加密置乱的文本图像水印算法

提出了一种利用加密算法并结合散列函数选择文本中嵌入水印的汉字序列的算法.同时该算法在嵌入的环节采用了冗余嵌入来降低误判率进而提高了水印的抗攻击性.依据此算法,一方面增加了攻击者去除水印的不可预测的难度,提高了水印的安全性;另一方面可以分散冗余水印的分布,抵抗非法使用者的剪裁等的局部性攻击.实验分析结果表明,此算法在提高教字水印安全性和抗攻击性方面非常有效.     

基于移动代理和动态拓扑的分布式入侵检测

运行中网络的拓扑结构是动态变化的,因此提出了一种针对WAN环境设计的基于移动代理和动态拓扑的分布式入侵检测模型.该模型使用移动代理来实现入侵证据的收集、分析,通信和同步机制,并通过移动代理来跟踪运行中网络拓扑结构的动态变化以及网络入侵检测,并讨论了该模型的更新机制.     

GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线的生长研究

GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线是制作金属-半导体-金属(MSM)型高速光电探测器最简洁有效的光电材料之一。采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备,在GaAs(111)B衬底上开展了GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线的生长研究,用场发射扫描电子显微镜(SEM)和微区光荧光谱仪(PL)对制备的GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线样品进行了测试分析。采用已优化的GaAs/AlGaAs核-壳结构纳米线的生长工艺参数,主要研究了AlGaAs壳材料的生长机制,获得了高质量的AlGaAs壳材料,AlGaAs壳材料生长速率约为50 nm/min,Al的原子数分数为14%。这些结果为将来多异质结构纳米线的生长和光电探测器的制备奠定了基础。     

基于改进非线性单纯形的群体药代动力学数据拟合研究与实现

指出了NONMEM所用算法的不足之处,介绍了单纯形法原理及通过改进的方法来解决该问题.通过应用改进的非线性单纯形法对群体药代动力学核心拟合算法进行了研究与改进,使用Matlab编写其核心拟合程序.结果表明,使用改进单纯形法来拟合实测数据可大大提高计算群体药代动力学参数的速度及精度,以便于更好地构造群体药代动力学群体模型.     

提高GaN功率器件开关频率的技术途径

GaN基增强型高速开关器件是提升X波段微系统集成放大器工作效率的核心器件.介绍了凹槽栅结构、F-注入等制作GaN基增强型器件的关键技术,同时分析了场板、介质栅等对器件击穿特性的影响.针对影响GaN基功率器件开关特性的主要因素,重点分析了提高增强型GaN基功率器件开关频率的主要技术途径.减小器件的接触电阻、沟道方块电阻可以降低器件电阻对频率的影响.小栅长器件中栅电容较低,电子的沟道渡越时间较短,也可以提高器件的频率特性.此外,由于GaN基的功率器件频率高,设计应用在GaN器件上的栅驱动电路显得尤为重要.     

基于专业规范的嵌入式系统课程教学

本文通过对嵌入式系统课程教学的研究和探索,结合嵌入式系统教学与设计的特点,在计算机专业规范和课程体系基础上,找出一般计算机专业存在的不足,提出加强以嵌入式系统和技术为主要内容的计算机工程方向的课程设置和教学研究。从飞思卡尔系列微控制器学习入手,进入嵌入式学习的新领域,通过掌握嵌入式系统学习的一般规律和努力的方向,使学生在适应计算机技术发展和满足社会需求等方面得到很好的培养。     

一种提高水印算法隐蔽性的区域测定规则

提出了一种基于层次模型的规则。规则中采用检测机制在文本宿主文件区域上得到检测值,并依据该检测值和极限值来确定嵌入水印信息的区域。依据该规则,提高了已有文本数字水印算法的隐蔽性。实验分析表明与该规则结合使用的算法抗攻击性与单独使用算法相比较有明显提高。     

芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线中AlGaAs壳材料均匀性研究

Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线材料被认为是高速光电探测器最有前途的材料之一。采用金属有机化学气相沉积法在GaAs(111)B衬底上生长芯-壳结构/GaAs-AlGaAs纳米线材料,GaAs芯材料的生长机制为气相-液相-固相,而AlGaAs壳材料的生长机制为气相-固相。采用场发射扫描电子显微镜和微区光荧光谱仪等测试分析手段研究了AlGaAs壳材料横向、轴向和生长方向的均匀性,探讨了生长机制对均匀性的影响。在此基础上获得了组分均匀的高晶体质量的AlGaAs壳材料,其Al组分为0.14。